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가변 이득 증폭기

  • 기술번호 : KST2015078707
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가변 이득 증폭기에 관한 것으로, 저전압에서 동작하고, 저왜곡(low distoration), 고선형성(high linearity), 광대역 동작특성을 얻기 위하여, 폴디드 캐스코드 구조로 이루어지되, 제1 및 제2 입력신호를 차동 형태로 입력받고, 제1 바이어스 전압에 따라 상기 제1 및 제2 입력신호의 차신호를 증폭하여 제1 및 제2 차동신호를 발생하여 전류 미러 형태로 상기 제1 및 제2 차동신호를 출력하는 입력부와, 상기 제1 및 제2 차동신호와 바이어스 전류를 전류 미러 형태로 입력받아 직류 동작점을 결정하고, 이득조절전압 신호에 따라 가변 전압 이득을 가변시켜 제1 및 제2 가변전류를 발생하며, 제2 바이어스 전압에 따라 상기 제1 및 제2 가변전류를 출력하는 가변 이득 조절부와, 상기 제1 및 제2 가변전류를 입력받고, 상기 제1 및 제2 가변전류를 전압 형태의 제1 및 제2 출력전압으로 변환하여 출력하는 전류/전압 변환부를 포함하는 가변 이득 증폭기를 개시한다. 가변 이득 증폭기, CMOS, 차동 증폭기, 폴디드 캐스코드
Int. CL H03G 3/30 (2006.01)
CPC H03G 3/30(2013.01) H03G 3/30(2013.01) H03G 3/30(2013.01)
출원번호/일자 1020020079287 (2002.12.12)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0499859-0000 (2005.06.28)
공개번호/일자 10-2004-0051366 (2004.06.18) 문서열기
공고번호/일자 (20050707) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.12.12)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권종기 대한민국 대전광역시서구
2 조규형 대한민국 대전광역시서구
3 박문양 대한민국 대전광역시유성구
4 김종대 대한민국 대전광역시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2002-0413450-69
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2004.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2004-0043657-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0091994-70
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.04.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0222586-48
6 의견서
Written Opinion
2005.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2005-0222595-59
7 등록결정서
Decision to grant
2005.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0296283-23
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
폴디드 캐스코드 구조로 이루어지되, 제1 및 제2 입력신호를 차동 형태로 입력받고, 제1 바이어스 전압에 따라 상기 제1 및 제2 입력신호의 차신호를 증폭하여 제1 및 제2 차동신호를 발생하여 전류 미러 형태로 상기 제1 및 제2 차동신호를 출력하는 입력부;상기 제1 및 제2 차동신호와 바이어스 전류를 전류 미러 형태로 입력받아 직류 동작점을 결정하고, 이득조절전압 신호에 따라 가변 전압 이득을 가변시켜 제1 및 제2 가변전류를 발생하며, 제2 바이어스 전압에 따라 상기 제1 및 제2 가변전류를 출력하는 가변 이득 조절부; 및상기 제1 및 제2 가변전류를 입력받고, 상기 제1 및 제2 가변전류를 전압 형태의 제1 및 제2 출력전압으로 변환하여 출력하는 전류/전압 변환부를 포함하되,상기 입력부는 전원전압원과 접지전압원 사이에 접속되며 상기 제1 및 제2 입력신호를 차동 증폭하는 차동 증폭기와, 상기 차동 증폭기의 제1 출력단과 상기 가변 이득 조절부의 제1 입력단과 접속되며 상기 제1 바이어스 전압에 따라 동작되는 제1 PMOS 트랜지스터와, 상기 차동 증폭기의 제2 출력단과 상기 가변 이득 조절부의 제2 입력단과 접속되며 상기 제1 바이어스 전압에 따라 동작되는 제2 PMOS 트랜지스터와, 상기 제1 PMOS 트랜지스터와 상기 접지전압원 사이에 접속되며 상기 제1 PMOS 트랜지스터로부터 출력되는 상기 제1 차동신호를 상기 가변 이득 조절부의 제1 입력단으로 출력하는 제1 NMOS 트랜지스터와, 상기 제2 PMOS 트랜지스터와 상기 접지전압원 사이에 접속되며 상기 제2 PMOS 트랜지스터로부터 출력되는 상기 제2 차동신호를 상기 가변 이득 조절부의 제2 입력단으로 출력하는 제2 NMOS 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 이득 증폭기
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제 2 항에 있어서, 상기 차동 증폭기는, 상기 전원전압원과 상기 제1 출력단 사이에 접속되는 제1 저항소자; 상기 전원전압원과 상기 제2 출력단 사이에 접속되는 제2 저항소자; 드레인단이 상기 제1 출력단과 접속되며 상기 제1 입력신호에 따라 동작되는 제3 NMOS 트랜지스터; 드레인단이 상기 제2 출력단과 접속되고, 소스단이 상기 제3 NMOS 트랜지스터의 소스단과 접속되며, 상기 제2 입력신호에 따라 동작되는 제4 NMOS 트랜지스터; 및 상기 제3 및 제4 NMOS 트랜지스터의 소스단과 상기 접지전압원 사이에 접속되어 상기 차동 증폭기의 바이어스 전류를 잡아주는 전류원을 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 이득 증폭기
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제 2 항에 있어서, 상기 가변 이득 조절부는, 소스단이 접지전압원과 접속되며 상기 제1 및 제2 차동신호에 따라 동작되는 제1 및 제2 NMOS 트랜지스터;소스단이 접지전압원과 접속되며 상기 바이어스 전류에 따라 동작되는 제3 및 제4 NMOS 트랜지스터;상기 제1 NMOS 트랜지스터의 드레인단과 상기 제3 NMOS 트랜지스터의 드레인단 사이에 접속되며 상기 이득조절전압 신호에 따라 트랜스컨덕턴스가 가변되는 제5 NMOS 트랜지스터;상기 제2 NMOS 트랜지스터의 드레인단과 상기 제4 NMOS 트랜지스터의 드레인단 사이에 접속되며 상기 이득조절전압 신호에 따라 트랜스컨덕턴스가 가변되는 제6 NMOS 트랜지스터;상기 제1 NMOS 트랜지스터의 드레인단과 상기 제1 가변전류가 출력되는 제1 출력단 사이에 접속되며, 상기 제2 바이어스 전압에 따라 상기 제1 가변전류를 출력하는 제7 NMOS 트랜지스터;상기 제2 NMOS 트랜지스터의 드레인단과 상기 제2 가변전류가 출력되는 제2 출력단 사이에 접속되며, 상기 제2 바이어스 전압에 따라 상기 제2 가변전류를 출력하는 제8 NMOS 트랜지스터;상기 제3 NMOS 트랜지스터의 드레인단과 상기 제2 출력단 사이에 접속되며, 상기 제2 바이어스 전압에 따라 상기 제2 가변전류를 제어하는 제9 NMOS 트랜지스터; 및상기 제4 NMOS 트랜지스터의 드레인단과 상기 제1 출력단 사이에 접속되며, 상기 제2 바이어스 전압에 따라 상기 제1 가변전류를 제어하는 제10 NMOS 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 이득 증폭기
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제 4 항에 있어서, 상기 바이어스 전류는, 일단이 상기 전원전압원과 접속되는 전류원과, 상기 전류원의 타단과 상기 접지전압원 사이에 접속되고, 드레인단과 게이트단이 서로 접속되는 제11 NMOS 트랜지스터를 포함하는 바이어스 회로로부터 제공되는 것을 특징으로 하는 가변 이득 증폭기
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제 2 항에 있어서, 상기 전류/전압 변환부는,전원전압원과 상기 가변 이득 조절부의 제1 출력단과 접속되는 제1 저항소자; 및 상기 전원전압원과 상기 가변 이득 조절부의 제2 출력단과 접속되는 제2 저항소자를 포함하는 것을 가변 이득 증폭기
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제 2 항에 있어서, 상기 전류/전압 변환부는,전원전압원과 상기 가변 이득 조절부의 제1 출력단과 접속되는 제1 저항소자; 및 상기 전원전압원과 상기 가변 이득 조절부의 제2 출력단과 접속되는 제2 저항소자를 포함하는 것을 가변 이득 증폭기
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.