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반도체 기판과, 상기 반도체 기판과 오믹 접촉을 이루도록 상기 반도체 기판 위에 형성된 소스 및 드레인 전극과, 상기 반도체 기판상에서 상기 소스 및 드레인 전극 사이에 형성된 T형 게이트 전극과, 상기 게이트 전극과 상기 소스 및 드레인 전극과의 사이에 개재되어 있는 실리카 에어로겔(silica aerogel)막을 포함하는 절연층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 절연층은 실리콘 질화막과 실리카 에어로겔막의 복합막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제2항에 있어서, 상기 실리카 에어로겔막은 상기 실리콘 질화막보다 더 큰 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제2항에 있어서, 상기 실리콘 질화막은 100 ∼ 1000Å의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 실리카 에어로겔막은 1000 ∼ 3000Å의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제1 절연막과 실리카 에어로겔막의 복합막으로 이루어지고 반도체 기판의 제1 부분을 노출시키는 제1 홀을 한정하는 절연층 패턴을 상기 반도체 기판 위에 형성하는 단계와, 상기 제1 홀을 통하여 노출되는 상기 반도체 기판 위에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와, 상기 소스 및 드레인 전극과 상기 절연층 패턴을 덮는 제2 절연막을 형성하는 단계와, 상기 제2 절연막 및 상기 절연층 패턴을 패터닝하여 상기 소스 및 드레인 전극 사이에서 상기 반도체 기판의 제2 부분을 노출시키는 제2 홀을 형성하는 단계와, 상기 제2 홀을 통하여 노출되는 상기 반도체 기판상에 T형 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 제2 절연막은 실리카 에어로겔로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 절연층 패턴을 형성하는 단계는 상기 반도체 기판 위에 상기 제1 절연막을 형성하는 단계와, 상기 제1 절연막 위에 상기 실리카 에어로겔막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 제2 홀을 통하여 노출되는 상기 반도체 기판을 식각하여 상기 반도체 기판에 리세스 영역을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 게이트 전극은 상기 리세스 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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반도체 기판상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와, 상기 소스 및 드레인 전극과 상기 반도체 기판의 상면을 덮는 제1 절연막을 형성하는 단계와, 상기 제1 절연막 위에 실리카 에어로겔막을 형성하는 단계와, 상기 실리카 에어로겔막 및 제1 절연막을 패터닝하여 상기 소스 및 드레인 전극 사이에서 상기 반도체 기판의 제1 부분을 노출시키는 홀을 형성하는 단계와, 상기 홀과 연통되고 상기 홀보다 더 큰 직경을 가지는 개구부가 형성된 감광막 패턴을 상기 실리카 에어로겔막 위에 형성하는 단계와, 상기 홀을 통하여 노출되는 상기 반도체 기판의 제1 부분에 게이트 전극 형성 물질을 증착하여 T형 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 T형 게이트 전극이 형성된 후 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제6항 또는 제10항에 있어서, 상기 제1 절연막은 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제6항 또는 제10항에 있어서, 상기 제1 절연막은 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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