1 |
1
(a) 웨이퍼의 전면에 멤브레인층을 형성하는 단계;(b) 소정의 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 상기 멤브레인층에 전자빔이 통과될 홀을 형성하는 단계;(c) 상기 전자빔이 통과될 홀을 포함하는 상기 멤브레인층 상에 실리콘 질화막을 형성하는 단계;(d) 소정의 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 상기 전자빔이 통과될 홀에 형성된 실리콘 질화막이 노출될 때까지 상기 웨이퍼의 배면을 식각하여 홈을 형성하는 단계; 및(e) 상기 실리콘 질화막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 컬럼 전자빔 장치의 렌즈용 멤브레인 제작 방법
|
2 |
2
(a’) 웨이퍼의 전면에 멤브레인층을 형성하는 단계;(b’) 소정의 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 상기 멤브레인층에 전자빔이 통과될 홀과 모니터링 패턴 홀을 형성하는 단계;(c’) 상기 전자빔이 통과될 홀과 상기 모니터링 패턴 홀을 포함하는 상기 멤브레인층 상에 실리콘 질화막을 형성하여 상기 실리콘 질화막으로 이루어진 모니터링 패턴을 형성하는 단계;(d’) 소정의 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 상기 모니터링 패턴이 노출될 때까지 상기 웨이퍼의 배면을 식각하여 홈을 형성하는 단계; 및(e’) 상기 실리콘 질화막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 컬럼 전자빔 장치의 렌즈용 멤브레인 제작 방법
|
3 |
3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 웨이퍼는 <100> 구조를 가지는 P형 실리콘 웨이퍼이며, 양면이 폴리싱된 것을 특징으로 하는 마이크로 컬럼 전자빔 장치의 렌즈용 멤브레인 제작 방법
|
4 |
4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 멤브레인층은 상기 웨이퍼에 P형 불순물 이온이 주입된 에피층을 성장시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 컬럼 전자빔 장치의 렌즈용 멤브레인 제작 방법
|
5 |
5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 멤브레인층은 상기 웨이퍼에 P형 불순물 이온을 주입하여 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 컬럼 전자빔 장치의 렌즈용 멤브레인 제작 방법
|
6 |
6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 전자빔이 통과될 홀 및 모니터링 패턴 홀은 실리콘 산화막을 식각 마스크로 이용한 반응성 이온식각 공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 컬럼 전자빔 장치의 렌즈용 멤브레인 제작 방법
|
7 |
7
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 웨이퍼 배면의 홈은 실리콘 질화막을 식각 마스크로 이용한 비등방성 습식 식각 공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 컬럼 전자빔 장치의 렌즈용 멤브레인 제작 방법
|
8 |
8
제 2 항에 있어서, 상기 모니터링 패턴 홀은 원형, 사각형 또는 다각형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 컬럼 전자빔 장치의 렌즈용 멤브레인 제작 방법
|
9 |
8
제 2 항에 있어서, 상기 모니터링 패턴 홀은 원형, 사각형 또는 다각형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 컬럼 전자빔 장치의 렌즈용 멤브레인 제작 방법
|