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파장가변 광 필터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015078882
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 패브리-패럿 구조의 능동형 파장가변 광 필터에 관한 것이다. 본 발명은, 실리콘막 및 산화막이 순차적으로 다층 적층되고 최상부에 실리콘막이 적층된 형태의 하부 거울과, 상기 하부 거울과 소정 거리 이격되어 실리콘막 및 산화막이 순차적으로 다층 적층되고 최상부에 실리콘막이 적층된 형태의 상부 거울과, 상기 하부 거울 및 상기 상부 거울을 반도체 기판에 연결하여 지지하기 위한 연결 수단 및 상기 하부 거울 및 상기 상부 거울 사이의 간극을 정전력으로 제어하기 위한 전극패드를 포함하는 파장가변 광 필터 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 실리콘막 및 산화막의 다층 구조로 이루어진 상부 및 하부 거울을 정전력에 의하여 미소하게 구동함으로써 입사광에 대한 투과광 파장을 선택적으로 송출할 수가 있다. 파장가변 필터, 파장분할다중, 미소거울, 미세기전집적시스템
Int. CL G02B 5/20 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020020078443 (2002.12.10)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0489801-0000 (2005.05.06)
공개번호/일자 10-2004-0050586 (2004.06.16) 문서열기
공고번호/일자 (20050516) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.12.10)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최창억 대한민국 대전광역시유성구
2 이명래 대한민국 대전광역시유성구
3 김창규 대한민국 대전광역시유성구
4 전치훈 대한민국 대전광역시유성구
5 김윤태 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2002-0410176-38
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2004-0043618-31
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0439282-19
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2004-0603946-28
6 의견서
Written Opinion		 2005.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2005-0025362-18
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.01.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0025353-07
8 등록결정서
Decision to grant		 2005.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0201706-41
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
개구부가 형성된 반도체 기판; 상기 개구부에 위치되며, 도전성의 실리콘막들 사이에 산화막이 형성된 다층 구조의 하부 거울; 상기 하부 거울 상부에 중첩되도록 위치되며, 도전성의 실리콘막들 사이에 산화막이 형성된 다층 구조의 상부 거울; 도전성의 실리콘막으로 형성되며, 상기 하부 거울 및 상기 상부 거울을 각각 지지하는 연결 수단들; 상기 반도체 기판 및 상기 하부 거울과 상기 하부 거울 및 상기 상부 거울을 소정 거리 이격시키기 위해 상기 반도체 기판 및 상기 연결 수단과 상기 연결 수단들 사이에 각각 형성된 산화막들; 상기 하부 거울 및 상기 상부 거울 사이에 정전력을 형성하기 위해 전압이 인가되는 전극패드들을 포함하는 것을 특징으로 하는 파장가변 광 필터
2 2
제1항에 있어서, 상기 하부 거울을 구성하는 실리콘막과 상기 하부 거울에 연결된 연결 수단을 구성하는 실리콘막이 동일층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 파장가변 광 필터
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 상부 거울을 구성하는 실리콘막과 상기 상부 거울에 연결된 연결 수단을 구성하는 실리콘막이 동일층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 파장가변 광 필터
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 하부 거울 및 상기 상부 거울을 구성하는 실리콘막은 (2m+1)λ/4n (m= 0, 1, 2, …)(여기서, λ는 광원파장, n은 실리콘막의 광 굴절율임)의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 파장가변 광 필터
7 7
제1항에 있어서, 상기 하부 거울 및 상기 상부 거울을 구성하는 산화막은 (2m+1)λ/4n (m= 0, 1, 2, …)(여기서, λ는 광원파장, n은 산화막의 광 굴절율임)의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 파장가변 광 필터
8 8
제1항에 있어서, 상기 연결 수단은 실리콘막으로 이루어진 토션 바 또는 스프링 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 파장가변 광 필터
9 9
삭제
10 10
제1항에 있어서, 상기 하부 거울 및 상기 상부 거울은 서로 대칭되며, 원판형 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 파장가변 광 필터
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
(a) 반도체 기판에 하부 거울을 부양시키기 위한 제1 희생 산화막을 형성하는 단계; (b) 상기 제1 희생 산화막 상에 도전성의 실리콘막들 사이에 거울 영역을 정의하는 산화막 패턴이 형성된 다층 구조의 하부 거울을 형성하는 단계; (c) 상기 결과물 상에 제2 희생 산화막을 형성하는 단계; (d) 상기 제2 희생 산화막 상에 도전성의 실리콘막들 사이에 거울 영역을 정의하는 산화막 패턴이 형성된 다층 구조의 상부 거울을 형성하는 단계; (e) 상기 거울 영역에 대응되는 상기 반도체 기판의 뒷면을 식각하여 광섬유 삽입을 위한 개구부를 형성하는 단계; (f) 상기 하부 거울 및 상기 상부 거울 사이에 정전력을 형성하기 위해 전압이 인가되는 전극패드들을 형성하는 단계; (g) 상기 상부 거울 및 상기 하부 거울이 각각 연결 수단에 의해 지지되며, 상기 제1 희생 산화막이 노출되도록 상기 상부 거울 및 상기 하부 거울 주변의 상기 실리콘막을 식각하는 단계; 및 (h) 상기 하부 거울과 상기 상부 거울 사이에 광 공진 공간이 형성되고, 상기 하부 거울이 상기 반도체 기판으로부터 부양되도록 하기 위하여 상기 제1 희생 산화막 및 상기 제2 희생 산화막의 소정 부분을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 파장가변 광 필터의 제조방법
14 14
삭제
15 15
제13항에 있어서, 상기 제1 및 제2 희생 산화막은 실리콘막에 비하여 희생 산화막의 식각 속도가 빠른 불산 용액을 사용한 습식 식각 또는 무수 불화수소를 사용한 기상 식각 방법으로 식각하는 것을 특징으로 파장가변 광 필터의 제조방법
16 16
제13항에 있어서, 상기 하부 거울 및 상기 상부 거울을 구성하는 실리콘막은 (2m+1)λ/4n (m= 0, 1, 2, …)(여기서, λ는 광원파장, n은 실리콘막의 광 굴절율임)의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 파장가변 광 필터의 제조방법
17 17
제13항에 있어서, 상기 하부 거울 및 상기 상부 거울을 구성하는 산화막은 (2m+1)λ/4n (m= 0, 1, 2, …)(여기서, λ는 광원파장, n은 산화막의 광 굴절율임)의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 파장가변 광 필터의 제조방법
18 18
제13항에 있어서, 상기 제1 희생 산화막을 형성하기 전에, 상기 반도체 기판 양면에 열 산화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파장가변 광 필터의 제조방법
19 19
제13항에 있어서, 상기 하부 거울을 형성하는 단계는, 상기 제1 희생 산화막 상에 도전성의 제1 실리콘막을 증착하는 단계; 상기 제1 실리콘막 상에 제1 산화막을 증착한 후, 거울 영역이 정의되도록 패터닝하는 단계; 상기 제1 실리콘막 및 상기 패터닝된 제1 산화막 상에 제2 실리콘막을 증착하는 단계; 상기 제2 실리콘막 상에 제2 산화막을 증착한 후, 거울 영역이 정의되도록 패터닝하는 단계; 및 상기 제2 실리콘막 및 상기 패터닝된 제2 산화막 상에 도전성의 제3 실리콘막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 파장가변 광 필터의 제조방법
20 20
제13항에 있어서, 상기 상부 거울을 형성하는 단계는, 상기 제2 희생 산화막 상에 도전성의 제1 실리콘막을 형성하는 단계; 상기 제1 실리콘막 상에 제1 산화막을 증착한 후, 거울 영역이 정의되도록 패터닝하는 단계; 상기 제1 실리콘막 및 상기 패터닝된 제1 산화막 상에 제2 실리콘막을 증착하는 단계; 상기 제2 실리콘막 상에 제2 산화막을 증착한 후, 거울 영역이 정의되도록 패터닝하는 단계; 및 상기 제2 실리콘막 및 상기 패터닝된 제2 산화막 상에 도전성의 제3 실리콘막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 파장가변 광 필터의 제조방법
21 21
(a) 반도체 기판 상에 거울을 부양시키기 위한 희생 산화막을 형성하는 단계; (b) 상기 희생 산화막 상에 도전성의 실리콘막들 사이에 거울 영역을 정의하는 산화막 패턴이 형성된 다층 구조의 거울을 형성하는 단계; (c) 상기 거울 영역에 대응되는 상기 반도체 기판의 뒷면을 식각하여 광섬유 삽입을 위한 개구부를 형성하는 단계; (d) 상기 거울에 정전력을 형성하기 위해 전압이 인가되는 전극패드를 형성하는 단계; (e) 상기 거울이 연결 수단에 의해 지지되며, 상기 희생 산화막이 노출되도록 상기 거울 주변의 상기 실리콘막을 식각하는 단계; 및 (f) 상기 거울이 상기 반도체 기판으로부터 부양되도록 하기 위하여 상기 희생 산화막의 소정 부분을 식각하는 단계를 포함하며, 상기 단계 (a) 내지 (f)를 거친 반도체 기판을 2개 준비한 후 상기 반도체 기판들 사이에 스페이서층을 삽입하고 상기 거울이 서로 마주보도록 상기 반도체 기판들을 접합하는 것을 특징으로 하는 파장가변 광 필터의 제조방법
22 22
제21항에 있어서, 상기 희생 산화막은 실리콘막에 비하여 희생 산화막의 식각 속도가 빠른 불산 용액을 사용한 습식 식각 또는 무수 불화수소를 사용한 기상 식각 방법으로 식각하는 것을 특징으로 파장가변 광 필터의 제조방법
23 23
제21항에 있어서, 상기 실리콘막은 (2m+1)λ/4n (m= 0, 1, 2, …)(여기서, λ는 광원파장, n은 실리콘막의 광 굴절율임)의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 파장가변 광 필터의 제조방법
24 24
제21항에 있어서, 상기 산화막 패턴은 (2m+1)λ/4n (m= 0, 1, 2, …)(여기서, λ는 광원파장, n은 산화막의 광 굴절율임)의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 파장가변 광 필터의 제조방법
25 25
제21항에 있어서, 상기 희생 산화막을 형성하기 전에, 상기 반도체 기판 양면에 열 산화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파장가변 광 필터의 제조방법
26 26
제21항에 있어서, 상기 거울을 형성하는 단계는, 상기 희생 산화막 상에 도전성의 제1 실리콘막을 증착하는 단계; 상기 제1 실리콘막 상에 제1 산화막을 증착한 후, 거울 영역이 정의되도록 패터닝하는 단계; 상기 제1 실리콘막 및 상기 패터닝된 제1 산화막 상에 제2 실리콘막을 증착하는 단계; 상기 제2 실리콘막 상에 제2 산화막을 증착한 후, 거울 영역이 정의되도록 패터닝하는 단계; 및 상기 제2 실리콘막 및 상기 패터닝된 제2 산화막 상에 도전성의 제3 실리콘막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 파장가변 광 필터의 제조방법
27 26
제21항에 있어서, 상기 거울을 형성하는 단계는, 상기 희생 산화막 상에 도전성의 제1 실리콘막을 증착하는 단계; 상기 제1 실리콘막 상에 제1 산화막을 증착한 후, 거울 영역이 정의되도록 패터닝하는 단계; 상기 제1 실리콘막 및 상기 패터닝된 제1 산화막 상에 제2 실리콘막을 증착하는 단계; 상기 제2 실리콘막 상에 제2 산화막을 증착한 후, 거울 영역이 정의되도록 패터닝하는 단계; 및 상기 제2 실리콘막 및 상기 패터닝된 제2 산화막 상에 도전성의 제3 실리콘막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 파장가변 광 필터의 제조방법
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