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펜타센 유도체 및 그 제조 방법과 펜타센 박막 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015078928
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유기 박막 트랜지스터 소자 제작에 사용될 수 있는 유기 반도체 물질인 펜타센(pentacene)의 전구체(precusor)로 가용성의 펜타센 유도체들과 이들의 제조 방법 및 펜타센 박막 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 펜타센 유도체는 펜타센과 디에노파일(dienophile)과의 딜스-알더(Diels-Alder) 반응 생성물로 이루어진다. 펜타센 유도체를 제조하기 위하여 펜타센과 디에노파일을 유기 용매에서 딜스-알더(Diels-Alder) 반응시킨 후, 상기 딜스-알더 반응 생성물을 정제한다. 이와 같이 얻어진 펜타센 유도체를 사용하여 펜타센 유도체 용액을 형성한 후, 형성된 펜타센 유도체 용액을 상온에서 200 ℃의 온도로 가열(pyrolysis)하여 진공증착 또는 용액 공정을 이용하여 펜타센 박막을 형성한다. 펜타센 유도체, 딜스-알더 반응, 디에노파일(dienophile), 저온 공정
Int. CL C07D 273/01 (2006.01) H01L 29/04 (2006.01)
CPC H01L 51/0055(2013.01) H01L 51/0055(2013.01) H01L 51/0055(2013.01) H01L 51/0055(2013.01) H01L 51/0055(2013.01)
출원번호/일자 1020030007992 (2003.02.08)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0550008-0000 (2006.02.01)
공개번호/일자 10-2004-0072067 (2004.08.18) 문서열기
공고번호/일자 (20060208) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.02.08)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안성덕 대한민국 대전광역시유성구
2 정명주 대한민국 대전광역시유성구
3 이용의 대한민국 서울특별시강동구
4 강승열 대한민국 대전광역시유성구
5 서경수 대한민국 대전광역시유성구
6 김철암 대한민국 경기도포천군
7 안진희 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2003-0044000-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.09.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2004-0059612-87
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.04.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0167697-29
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2005-0309074-46
6 의견서
Written Opinion		 2005.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2005-0372125-43
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.07.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0372127-34
8 보정요구서
Request for Amendment		 2005.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0061460-11
9 안내문(직권수리)
Notification(Ex officio Acceptance)		 2005.08.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0073163-81
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2005.09.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0447092-18
11 의견서
Written Opinion		 2005.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2005-0635962-88
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.11.04 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2005-0635963-23
13 등록결정서
Decision to grant		 2006.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0005408-32
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
다음 식의 펜타센 아조 유도체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 펜타센 유도체
3 3
제2항에 있어서, R1은 메틸, 에틸, 이소프로필, 부틸 또는 t-부틸인 것을 특징으로 하는 펜타센 유도체
4 4
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5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
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8 8
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9 9
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10 10
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11 11
삭제
12 12
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13 13
삭제
14 14
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15 15
삭제
16 16
펜타센과 아조디카르복시산 디알킬 에스테르 (알킬은 탄소수 1 ∼ 10)를 탄소수 6 ∼ 10의 방향족 탄화수소로 이루어지는 유기 용매에서 딜스-알더(Diels-Alder) 반응시키는 단계와, 상기 딜스-알더 반응 생성물을 정제하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 펜타센 유도체 제조 방법
17 17
제16항에 있어서, 상기 딜스-알더 반응은 -40℃ 내지 유기 용매의 환류 온도의 범위 내에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 펜타센 유도체 제조 방법
18 18
제16항에 있어서, 상기 유기 용매는 톨루엔으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 펜타센 유도체 제조 방법
19 19
제16항에 있어서, 상기 정제 단계는 컬럼 크로마토그래피법으로 행해지는 것을 특징으로 하는 펜타센 유도체 제조 방법
20 20
펜타센(pentacene)과 아조디카르복시산 디알킬 에스테르 (알킬은 탄소수 1 ∼ 10)와의 딜스-알더(Diels-Alder) 반응 생성물로 이루어지는 펜타센 유도체 용액을 상온 내지 200℃의 온도로 가열(pyrolysis)하여 펜타센 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 펜타센 박막 제조 방법
21 21
제20항에 있어서, 상기 펜타센 박막을 형성하는 단계에서는 상기 펜타센 유도체 용액을 사용하여 진공증발법 또는 유기기상증착법에 의해 상기 펜타센 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 펜타센 박막 제조 방법
22 22
제20항에 있어서, 상기 펜타센 박막을 형성하는 단계에서는 상기 펜타센 유도체 용액을 사용하여 스핀코팅법, 잉크젯 프린팅법, 스크린 프린팅법 또는 딥핑(dipping)법에 의해 상기 펜타센 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 펜타센 박막 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.