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투명입력 광세기 이상의 입사광이 주입되면 통과하는 전력이 흡수되는 전력 보다 많고, 상기 투명입력 광세기 이하의 입사광이 주입되면 흡수되는 전력이 통과하는 전력 보다 많은 제 1 포화흡수체; 및 상기 제 1 포화흡수체와 직렬로 접속되며, 포화입력 광세기 이상에서는 포화현상을 나타내는 광증폭기를 포함하여 구성되되, 상기 투명 입력 광세기를 갖는 입사광이 상기 제 1 포화흡수체에 입력되어 출력된 투명 출력 광세기는, 상기 포화입력 광세기 보다 큰 것을 특징으로 하는 광신호 처리용 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 광증폭기의 출력단에 접속되는 제 2 포화흡수체를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 광신호 처리용 소자
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제 2 항에 있어서, 상기 제 1 포화흡수체의 투명 입력 광세기는 제 2 포화흡수체의 투명 입력 광세기 보다 큰 것을 특징으로 하는 광신호 처리용 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 포화흡수체와 상기 광증폭기는 동일 기판 상에 형성되며, 기판; 상기 기판 상에 형성된 제 1 클래딩층; 상기 제 1클래딩층 상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성된 제 2 클래딩층; 상기 제 1, 제 2 및 활성층의 측면에는 형성된 유전체; 및 상기 제 1, 제 2 및 활성층의 상측면에는 상부전극, 하측면에는 하부전극을 포함하되, 상기 제 1 포화흡수체와 상기 광증폭기를 직렬연결 하기 위하여 상기 상부전극은 분리되어 절연되고, 하부전극은 서로 접속된 것을 특징으로 하는 광신호 처리용 소자
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제 4 항에 있어서, 상기 활성층은 InGaAsP 계열의 3중층으로 이루어 지며, 1
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제 1 항에 있어서, 상기 광증폭기의 출력단에 필터를 추가로 포함하되, 상기 투명입력 광세기 보다 낮은 전력의 변환하고자 하는 파장을 갖는 연속광과 신호광의 합한 전력이 상기 투명입력 광세기 이상이 되도록 하고, 상기 신호광의 파장을 상기 필터에 의해 원하고자 하는 파장으로 변환하는 것을 특징으로 하는 광신호 처리용 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 광증폭기의 출력단에 필터를 추가로 포함하되, 상기 투명입력 광세기 보다 낮은 전력의 변환하고자 하는 파장을 갖는 연속광과 신호광의 합한 전력이 상기 투명입력 광세기 이상이 되도록 하고, 상기 신호광의 파장을 상기 필터에 의해 원하고자 하는 파장으로 변환하는 것을 특징으로 하는 광신호 처리용 소자
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