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이종접합 전계효과 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015078952
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이종접합 구조의 전계효과 트랜지스터(HFET)에 관한 것으로, 기판 상에 제 1 반도체층, 제 2 반도체층 및 제 3 반도체층이 순차적으로 형성되며, 제 3 반도체층 상에 쇼트키 게이트(Schottky gate)가 형성되고, 게이트 양측의 제 3 반도체층 상에 금속에 의해 오믹 접합된 소소스 전극 및 드레인 전극이 형성된다. 본 발명은 제 1 반도체층과 제 1 반도체층보다 높은 밴드갭을 갖는 제 3 반도체층 사이에 제 3 반도체층보다 높은 밴드갭을 갖는 제 2 반도체층을 삽입함으로써 제 1 반도체층과 제 2 반도체층 간의 이종접합 계면에 형성되는 양자우물의 버금띠에 속박된 준 2차원 자유전자가 제 3 반도체층에 존재할 확률이 감소되어 자유전자와 제 3 반도체층 내에 분포하는 불순물 간의 산란이 감소되고, 아울러 자유전자와 제 3 반도체층의 합금무질서(alloy disorder)에 기인되는 산란이 감소되어 전자가스의 이동도(mobility)와 포화속도(saturation velocity)가 증가됨으로써 고주파 영역에서의 증폭 성능이 향상된다.이종접합, 전계효과 트랜지스터, AlN층, 밴드갭, 전자가스
Int. CL H01L 29/737 (2006.01)
CPC H01L 29/66462(2013.01)
출원번호/일자 1020020077599 (2002.12.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2004-0049744 (2004.06.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.12.07)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이규석 대한민국 대전광역시서구
2 배성범 대한민국 대구광역시남구
3 박미란 대한민국 대전광역시서구
4 윤두협 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2002-0407094-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.09.17 수리 (Accepted) 9-1-2004-0056820-52
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0505258-05
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2005.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0097362-75
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

기판 상에 이종접합이 형성되도록 제 1 반도체층, 제 2 반도체층 및 제 3 반도체층이 순차적으로 적층되며, 상기 제 3 반도체층 상에 게이트가 형성되고, 상기 게이트 양측의 상기 제 3 반도체층 상에 금속에 의해 오믹 접합된 소오스 전극 및 드레인 전극이 형성되되,

상기 제 2 반도체층의 밴드갭이 상기 제 1 반도체층보다 크고, 상기 제 3 반도체층의 밴드갭이 상기 제 1 반도체층보다는 크고 상기 제 2 반도체층보다는 작아 상기 제 1 반도체층과 제 2 반도체층의 접합 계면에 형성되는 양자우물에 의해 형성되는 버금띠의 파동함수가 상기 제 2 반도체층 및 제 3 반도체층으로 침투하는 것이 최소화되어 상기 제 1 반도체층에 형성된 양자우물 속에 속박된 자유전자기체의 이동도 및 포화속도가 증가되는 것을 특징으로 하는 이종접합 전계효과 트랜지스터

2 2

기판 상에 형성된 제 1 반도체층;

상기 제 1 반도체층 상에 형성되며 상기 제 1 반도체층과 상이한 밴드갭을 갖는 제 2 반도체층;

상기 제 2 반도체층 상에 형성되며 상기 제 2 반도체층과 상이한 밴드갭을 갖는 제 3 반도체층;

상기 제 3 반도체층 상에 형성된 게이트;

상기 게이트 양측의 상기 제 3 반도체층 상에 금속에 의해 오믹 접합된 소소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 전계효과 트랜지스터

3 3

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 기판은 사파이어, SiC, Si, AlN 또는 GaN으로 이루어진 것을 특징으로 하는 이종접합 전계효과 트랜지스터

4 4

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 기판 및 제 1 반도체층 사이에 형성된 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 전계효과 트랜지스터

5 5

제 2 항에 있어서, 상기 제 2 반도체층은 상기 제 1 반도체층보다 큰 밴드갭을 가지며, 상기 제 3 반도체층은 상기 제 1 반도체층보다 크지만 상기 제 2 반도체층보다는 작은 밴드갭을 갖는 것을 특징으로 하는 이종접합 전계효과 트랜지스터

6 6

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 반도체층은 의도적으로 도핑되지 않은 GaN층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 이종접합 전계효과 트랜지스터

7 7

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 반도체층은 1 내지 2 격자 두께의 AlN층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 이종접합 전계효과 트랜지스터

8 8

제 7 항에 있어서, 상기 AlN층은 분자선 에피텍시법 또는 금속유기화학증착법으로 형성된 것을 특징으로 하는 이종접합 전계효과 트랜지스터

9 9

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 3 반도체층은 AlGaN층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 이종접합 전계효과 트랜지스터

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.