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반도체 기판 상에 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 제3 반도층이 순차적으로 적층되는 메사 구조를 형성하는 단계;상기 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 제3 반도체층을 구성하는 물질층중 적어도 어느 하나의 물질층을 선택적으로 에칭하여 측면부에 리세스를 형성하는 단계; 및상기 리세스의 일부 혹은 전체를 채우면서 상기 제1 반도체층 내지 제3 반도체층의 측벽면에 산화막 혹은 질화막을 형성하는 단계를 포함하여 상기 리세스된 물질층으로 전류 주입 경로를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자의 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 제1 반도체층은 제1 도전형의 하나 이상의 물질층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자의 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 제3 반도체층은 제2 도전형의 하나 이상의 물질층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자의 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 제1 반도체층이 p형 반도체층일 경우 상기 제3 반도체층은 n형 반도체층이며, 상기 제1 반도체층이 n형 반도체층일 경우 상기 제3 반도체층은 p형 반도체층인 것을 특징으로 하는 반도체 광소자의 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 제2 반도체층은 p형 반도체층, n형 반도체층 또는 불순물이 포함되지 않은 반도체층인 것을 특징으로 하는 반도체 광소자의 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 제1 반도체층 및 제3 반도체층은 감금 영역으로 작용하며, 상기 제2 반도체층은 이득 영역으로 작용하는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자의 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 산화막 혹은 질화막은 원자층 증착법(atomic layer deposition)법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자의 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 산화막은 ZnO, MgO, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SiO2 또는 Al2O3이고, 상기 질화막은 Si3N4, AlN 또는 AlON인 것을 특징으로 하는 반도체 광소자의 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 제1 반도체층 내지 제3 반도체층과 평행하도록 반사경을 더 형성하여 상기 제1 반도체층 내지 제3 반도체층과 수직한 방향으로 출력광을 얻을 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자의 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 제1 반도체층 내지 제3 반도체층과 수직하도록 반사경을 더 형성하여 상기 제1 반도체층 내지 제3 반도체층과 평행한 방향으로 출력광을 얻을 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자의 제조방법
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