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반도체 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015079056
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체인 GaN를 기반으로 하는 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)와 표면 탄성파 필터(SAW)의 집적화하는 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 사파이어를 포함하는 다양한 반도체 기판 상부에 고저항을 가지는 반절연성 GaN층 및 AlxGa1-xN층을 적층하여 2차원 전자가스(2 Dimensional Electron Gas)를 형성하여 HEMT를 구성하고, AlxGa1-xN층의 소정 영역을 식각한 이후 반절연성 GaN 표면 상부 또는 식각된 부분에 반절연성 GaN층을 형성하여 표면을 평탄하게 하여 SAW 필터를 제작함으로써 증폭기와 필터를 단일 기판 위에 집적회로(IC)의 형태로 구현할 수 있는 반도체 소자의 제조 방법이 제시된다.HEMT, SAW, 반절연성 GaN, AlxGa1-xN, IC
Int. CL H01L 29/772 (2006.01)
CPC H01L 29/66462(2013.01)
출원번호/일자 1020020074420 (2002.11.27)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0466543-0000 (2005.01.06)
공개번호/일자 10-2004-0046479 (2004.06.05) 문서열기
공고번호/일자 (20050115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.11.27)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배성범 대한민국 대구광역시남구
2 이규석 대한민국 대전광역시서구
3 이정희 대한민국 대구광역시북구
4 이재훈 대한민국 대구광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2002-0393046-67
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.04.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2004-0029837-05
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0213658-38
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.07.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0341034-36
6 의견서
Written Opinion		 2004.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2004-0341036-27
7 등록결정서
Decision to grant		 2004.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0558580-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 기판 상에 반절연성 GaN층 및 AlxGa1-xN층을 순차적으로 적층하여 HEMT 구조를 형성하는 단계;

상기 AlxGa1-xN층 및 상기 GaN층의 일부 두께를 식각한 후 잔류된 상기 AlxGa1-xN층 상에 전극들을 형성하여 FET 소자를 형성하는 단계; 및

식각된 부분의 상기 반절연성 GaN층 상에 전극들을 형성하여 SAW 필터를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법

2 2

반도체 기판 상에 반절연성 GaN층 및 AlGaN층을 순차적으로 적층하여 HEMT 구조를 형성하는 단계;

상기 AlxGa1-xN층 및 상기 GaN층의 일부 두께를 식각한 후 상기 AlxGa1-xN층의 식각된 부분에 GaN층을 형성하여 표면을 평탄화시키는 단계;

잔류된 상기 AlxGa1-xN층 상에 전극들을 형성하여 FET 소자를 형성하는 단계; 및

상기 GaN층 상에 전극들을 형성하여 SAW 필터를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법

3 3

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 반도체 기판은 사파이어 기판, 실리콘 기판, 산화 아연(ZnC) 기판 또는 SiC 기판 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법

4 4

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 반절연성 GaN층 및 AlxGa1-xN층은 MOCVD 방법, MBE 방법 또는 HVPE 방법 중 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 반절연성 GaN층의 소정 영역에 트렌치를 형성하여 상기 FET와 SAW 필터의 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법

6 6

제 2 항에 있어서, 상기 GaN층은 MOCVD 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법

7 7

제 2 항에 있어서, 상기 GaN층의 소정 영역에 트렌치를 형성하여 상기 FET와 SAW 필터의 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법

8 8

반도체 기판 상에 제 1 반절연성 GaN층 및 AlxGa1-xN층을 순차적으로 적층하여 HEMT 구조를 형성하는 단계;

상기 AlxGa1-xN층 및 상기 제 1 반절연성 GaN층의 일부 두께를 식각한 후 상기 AlxGa1-xN층의 식각된 부분에 제 2 반절연성 GaN층을 형성하여 표면을 평탄화시키는 단계;

잔류된 상기 AlxGa1-xN층 상에 전극들을 형성하여 FET 소자를 형성하는 단계; 및

상기 제 2 반절연성 GaN층 상에 전극들을 형성하여 SAW 필터를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.