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에미터 렛지를 갖는 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조방법

  • 기술번호 : KST2015079059
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 에미터 렛지(emitter ledge)를 갖는 이종접합 쌍극자 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 베이스 전극과 에미터 렛지간의 간격이 정밀하게 제어된 이종접합 쌍극자 트랜지스터 및, 추가적인 마스크의 사용없이 정밀한 렛지 보호막을 형성시킬 수 있는 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다. 본 발명의 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조방법에서는, 에미터 메사 형성시 소정 두께의 에미터층을 잔류시켜 에미터 렛지층으로 사용하고, 에미터 메사와 잔류 에미터층 위에 유전체층을 형성하여 식각 마스크로 사용함으로써 에미터층의 측면 식각이 최대한으로 억제된 정밀한 크기의 에미터 렛지를 형성한다. 종래 제조방법에 비하여 식각 정밀도를 향상시킬 수 있으므로 소자 특성에 변화가 없는 균일한 소자의 제조로 수율 향상을 도모할 수 있다.
Int. CL H01L 29/737 (2006.01)
CPC H01L 29/66318(2013.01) H01L 29/66318(2013.01)
출원번호/일자 1020020072689 (2002.11.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0494559-0000 (2005.06.01)
공개번호/일자 10-2004-0044615 (2004.05.31) 문서열기
공고번호/일자 (20050613) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.11.21)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민병규 대한민국 대전광역시유성구
2 김성일 대한민국 대전광역시서구
3 이종민 대한민국 서울특별시중랑구
4 이경호 대한민국 대전광역시유성구
5 주철원 대한민국 대전광역시유성구
6 조경익 대한민국 대전광역시유성구
7 강영일 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2002-0384276-40
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)		 2002.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2002-5291332-90
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2004-0043397-35
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0505229-81
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.01.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0053243-84
7 의견서
Written Opinion		 2005.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2005-0053242-38
8 등록결정서
Decision to grant		 2005.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0218764-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
화합물 반도체 기판 상에 부컬렉터층, 컬렉터층, 베이스층, 에미터층 및 에미터캡층을 연속적으로 성장시키는 단계; 상기 에미터캡층 위에 에미터 전극을 형성하는 단계; 상기 에미터 전극을 마스크로 하여 상기 에미터캡층 전부와 에미터층의 일부를 식각하여 에미터 메사를 정의하면서 얇은 에미터층을 잔류시키는 단계; 상기 에미터 메사 측면을 포함한 모든 영역에 유전체층을 형성하는 단계; 상기 유전체층 상에 베이스 전극이 형성될 영역이 오픈되도록 감광막을 형성하는 단계; 상기 감광막을 식각 마스크로 사용하여 상기 유전체층과 상기 잔류 에미터층을 식각하여 에미터 렛지를 형성하면서 상기 베이스층을 노출시키는 단계; 노출된 상기 베이스층 상에 상기 감광막을 이용한 리프트오프 방법으로 베이스 전극을 형성하는 단계; 상기 베이스 전극 바깥쪽 상기 유전체층, 잔류 에미터층, 베이스층 및 컬렉터층을 식각하여 베이스-컬렉터 메사를 형성하는 단계; 및 상기 부컬렉터층 위에 컬렉터 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 베이스층을 노출시키는 단계는, 상기 잔류 에미터층의 식각시 측면 식각을 최소화하여 상기 베이스 전극과 에미터 렛지간의 간격이 정밀하게 제어되도록, 상기 유전체층을 먼저 식각하여 상기 잔류 에미터층을 식각할 때 식각 마스크로 사용하는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 유전체층을 마스크로 사용하여 자기정렬 렛지 형성이 가능하며, 상기 베이스 전극과 에미터 렛지간의 간격이 최소화되는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 유전체층은 질화물 또는 산화물을 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 유전체층은 수십 nm 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법
6 6
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7 7
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8 8
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9 9
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10 9
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.