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기판 상부에 형성된 제1 배선; 상기 제1 배선의 소정 영역을 노출시키는 홀이 구비된 절연층; 상기 제1 배선 상부의 상기 홀에 형성된 3차원 구조의 축전기; 상기 축전기로부터 상기 제1 배선과 수직 방향의 상기 절연층 상에 구비된 금속 포스트; 및 상기 축전기의 상부와 일정 간격을 두고 일부 영역이 상기 축전기와 중첩되며, 상기 제1 배선과 수직 방향으로 끝부분이 상기 금속 포스트에 고정되는 제2 배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 축전식 미세전자기계적 스위치
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제 1 항에 있어서, 상기 절연층에 상기 홀이 다수 개 구비되고, 상기 축전기는 하부 보조 전극, 유전막 및 상부 보조 전극의 적층 구조로 이루어지며 상기 다수의 홀마다 오목한 형태로 형성되어 3차원 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 축전식 미세전자기계적 스위치
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제 2 항에 있어서, 상기 축전기는 상기 홀마다 형성된 단위 축전기들이 병렬로 연결되어 하나의 축전기로 형성되는 것을 특징으로 하는 축전식 미세전자기계적 스위치
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제 1 항에 있어서, 상기 축전기는 상기 제1 배선의 한쪽 가장자리에서 서로 연결되는 다층의 전극층으로 이루어지며 상기 제1 배선과 전기적으로 연결되는 하부 보조 전극과, 상기 제1 배선의 다른 쪽 가장자리에서 서로 연결되는 다층의 전극층으로 이루어지며 최상부층이 노출되는 상부 보조 전극과, 상기 하부 보조 전극 및 상기 상부 보조 전극 사이에 구비된 유전막으로 이루어져 다층 형태의 3차원 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 축전식 미세전자기계적 스위치
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제 2 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 하부 보조 전극 및 상기 상부 보조 전극은 Au, Al, W, Cu, TiN 및 Pt 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 축전식 미세전자기계적 스위치
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제 2 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 유전막은 Si3N4, Ta2O5, SrTiO3 및 Ba0
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제 1 항에 있어서, 상기 기판 및 상기 제1 배선 사이에는 접착층이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 축전식 미세전자기계적 스위치
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제 1 항에 있어서, 상기 절연층은 실리케이트 글라스, PSG 및 BPSG 중 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 축전식 미세전자기계적 스위치
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9
제 1 항에 있어서, 상기 축전기 상에는 전도성 접촉 패드가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 축전식 미세전자기계적 스위치
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10
제 9 항에 있어서, 상기 접촉 패드는 귀금속 또는 전도성 산화물층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 축전식 미세전자기계적 스위치 및 그 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 배선을 사이에 두고 상기 기판 상에는 접지선이 더 구비되며, 상기 금속 포스트는 상기 접지선을 통해 상기 접지 단자와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 축전식 미세전자기계적 스위치
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12
제 1 항에 있어서, 상기 금속 포스트는 하나만 구비되어 상기 제2 배선이 상기 금속 포스트에 외팔보 형태로 고정되는 것을 특징으로 하는 축전식 미세전자기계적 스위치
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13
제 1 항에 있어서, 상기 금속 포스트는 상기 축전기의 양쪽에 구비되어 상기 제2 배선의 양쪽 끝부분이 상기 금속 포스트에 고정되는 것을 특징으로 하는 축전식 미세전자기계적 스위치
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제 1 항, 제 12 항 및 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 포스트는 Au, Al, W, Cu, TiN, Pt 및 Ni 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 축전식 미세전자기계적 스위치
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제 1 항, 제 12 항 및 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 배선은 Au, Al, W, Cu, TiN, Pt 및 Ni 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 축전식 미세전자기계적 스위치
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기판 상에 제1 배선을 형성하는 단계; 상기 기판 상에 절연층을 형성한 후 상기 제1 배선의 일부 영역을 노출시키는 다수의 홀을 형성하는 단계; 상기 홀을 포함한 축전기 형성 영역에 하부 보조 전극, 유전막 및 상부 보조 전극을 순차적으로 형성하여 축전기를 형성하는 단계; 상기 축전기를 포함한 전체 상부에 희생층을 형성하는 단계; 상기 축전기로부터 상기 제1 배선과 수직 방향의 상기 희생층에 홀을 형성하는 단계; 상기 희생층에 형성된 홀을 전도성 물질로 매립하여 금속 포스트를 형성하는 단계; 상기 축전기와 일부 영역이 중첩되며, 끝부분이 상기 금속 포스트와 연결되는 제2 배선을 형성하는 단계; 및 상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 축전식 미세전자기계적 스위치의 제조 방법
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제 16 항에 있어서, 상기 절연층은 실리케이트 글라스, PSG 및 BPSG 중 어느 하나의 물질을 화학증착법으로 증착하여 형성하며, 상기 절연층에 형성되는 홀은 고단차 반응성 이온 식각법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 축전식 미세전자기계적 스위치의 제조 방법
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제 16 항에 있어서, 상기 하부 보조 전극 및 상기 상부 보조 전극은 Au, Al, W, Cu, TiN 및 Pt 중 어느 하나의 전도성 물질을 화학증착법으로 증착한 후 반응성 이온 식각법으로 축전기 형성 영역에만 상기 전도성 물질을 잔류시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 축전식 미세전자기계적 스위치의 제조 방법
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제 16 항에 있어서, 상기 유전막은 Si3N4, Ta2O5, SrTiO3 및 Ba0
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제 16 항에 있어서, 상기 축전기를 형성한 후 상기 희생층을 형성하기 전에 상기 축전기의 상기 상부 보조 전극 상에 귀금속 또는 전도성 산화물층으로 이루어진 접촉 패드를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 축전식 미세전자기계적 스위치의 제조 방법
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제 20 항에 있어서, 상기 접촉 패드는 상기 상부 보조 전극의 중앙부에만 형성되는 것을 특징으로 하는 축전식 미세전자기계적 스위치의 제조 방법
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22
기판 상에 제1 배선을 형성하는 단계; 하부 보조 전극층과 상부 보조 전극층이 교호로 적층되면서 상기 제1 배선의 한쪽 가장자리에서는 상기 하부 보조 전극층과 상기 제1 배선이 전기적으로 연결되고, 다른 쪽 가장자리에서는 상기 상부 보조 전극층이 서로 연결되며, 상기 하부 보조 전극층 및 상기 상부 보조 전극층 사이에 유전막이 형성되는 다층형 축전기를 상기 제1 배선 상부의 소정 영역에 형성하는 단계; 상기 상부 보조 전극층의 최상부층 표면이 노출되도록 상기 축전기의 높이까지 절연층을 형성하는 단계; 상기 축전기를 포함한 전체 상부에 희생층을 형성하는 단계; 상기 축전기로부터 상기 제1 배선과 수직 방향의 상기 희생층에 홀을 형성하는 단계; 상기 희생층에 형성된 홀을 전도성 물질로 매립하여 금속 포스트를 형성하는 단계; 상기 축전기와 일부 영역이 중첩되며, 끝부분이 상기 금속 포스트와 연결되는 제2 배선을 형성하는 단계; 및 상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 축전식 미세전자기계적 스위치의 제조 방법
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제 16 항 또는 제 22 항에 있어서, 상기 제1 배선을 형성하는 단계에서 상기 기판 상에 상기 제1 배선과 평행한 접지선을 함께 형성하는 것을 특징으로 하는 축전식 미세전자기계적 스위치의 제조 방법
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제 22 항에 있어서, 상기 하부 보조 전극 및 상기 상부 보조 전극은 Au, Al, W, Cu, TiN 및 Pt 중 어느 하나로 형성하며, 상기 유전막은 Si3N4, Ta2O5, SrTiO3 및 Ba0
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제 22 항에 있어서, 상기 절연층은 실리케이트 글라스, PSG 및 BPSG 중 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 축전식 미세전자기계적 스위치의 제조 방법
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제 22 항에 있어서, 상기 절연층을 형성한 후 상기 희생층을 형성하기 전에 상기 축전기 상부에 귀금속 또는 전도성 산화물층으로 이루어진 접촉 패드를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 축전식 미세전자기계적 스위치의 제조 방법
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제 26 항에 있어서, 상기 접촉 패드는 상기 축전기의 중앙부에만 형성되는 것을 특징으로 하는 축전식 미세전자기계적 스위치의 제조 방법
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제 16 항 또는 제 22 항에 있어서, 상기 희생층은 폴리이마이드로 형성되며, 산소 마이크로웨이브 플라즈마 연소 공정으로 제거되는 것을 특징으로 하는 축전식 미세전자기계적 스위치의 제조 방법
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제 16 항 또는 제 22 항에 있어서, 상기 희생층에는 상기 축전기를 사이에 두고 상기 축전기의 양쪽에 상기 홀이 되어 상기 제2 배선의 양쪽 끝부분이 상기 금속 포스트와 각각 연결되는 것을 특징으로 하는 축전식 미세전자기계적 스위치의 제조 방법
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제 16 항 또는 제 22 항에 있어서, 상기 희생층에는 상기 제1 배선과 수직 방향으로 상기 축전기의 한쪽에만 상기 홀이 되어 상기 제2 배선의 한쪽 끝부분이 상기 금속 포스트와 연결되는 것을 특징으로 하는 축전식 미세전자기계적 스위치의 제조 방법
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제 16 항 또는 제 22 항에 있어서, 상기 희생층에는 상기 제1 배선과 수직 방향으로 상기 축전기의 한쪽에만 상기 홀이 되어 상기 제2 배선의 한쪽 끝부분이 상기 금속 포스트와 연결되는 것을 특징으로 하는 축전식 미세전자기계적 스위치의 제조 방법
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