실리콘 기판 내에 형성된 컬렉터층과 컬렉터전극;

상기 컬렉터층의 표면을 노출시키는 제1 개구를 갖는 돌기와 상기 돌기 및 상기 컬렉터층의 표면을 노출시키는 제2 개구를 갖는 몸체로 이루어져 상기 컬렉터층 상에 형성된 베이스전극;

상기 제1 개구 내에 노출된 상기 컬렉터층 상에 선택적으로 성장된 베이스 에피층;

상기 돌기를 덮으면서 상기 제2 개구의 측벽에 형성된 측벽스페이서;

상기 측벽스페이서를 덮는 오버행 형태를 가지며 상기 베이스에피층 상에 형성된 에미터전극; 및

상기 에미터전극의 오버행과 상기 베이스전극 사이에 삽입되어 상기 측벽스페이서에 연결되는 절연막

을 포함함을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터

제1 항에 있어서,

상기 실리콘기판 내에 형성된 매몰컬렉터 영역;

상기 실리콘기판 상에 형성된 컬렉터 에피층; 및

상기 컬렉터 에피층 상의 국부실리콘산화막을 더 포함하며,

제1 항에 있어서,

상기 베이스전극은 상기 컬렉터층 상의 실리콘에피층과 상기 국부실리콘산화막 상의 다결정실리콘층이 일체화된 것임을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터

제1 항에 있어서,

상기 베이스 에피층은 실리콘게르마늄합금 또는 실리콘층인 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터

제1 항에 있어서,

상기 베이스전극, 상기 에미터전극 및 상기 컬렉터전극 상에 각각 실리사이드 박막이 구비됨을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터

제5 항에 있어서,

상기 베이스전극과 상기 에미터전극 위의 상기 실리사이드 박막이 접하는 것을 방지하기 위해 상기 에미터전극과 상기 베이스전극의 양측벽에 절연성 스페이서가 구비됨을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터

제1 항에 있어서,

상기 측벽스페이서는 산화막 또는 질화막이고, 상기 절연막은 산화막인 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터

컬렉터층, 컬렉터 전극 및 국부 실리콘 산화막이 형성된 기판 상에 베이스전극용 실리콘층을 성장시키는 단계;

상기 베이스전극용 실리콘층 위에 절연막을 도포하는 단계;

상기 절연막과 상기 베이스전극용 실리콘층의 일부를 식각하여 컬렉터-베이스 접합을 형성하기 위한 홈을 형성하는 단계;

상기 홈의 내벽에 측벽 스페이서를 형성하는 단계;

상기 측벽 스페이서를 마스크로 상기 홈에 남아있는 상기 베이스전극용 실리콘층을 식각하여 상기 컬렉터층의 표면을 노출시키는 개구를 형성하는 단계;

제8 항에 있어서,

상기 베이스 전극용 실리콘층의 성장시, 상기 컬렉터층 상에는 실리콘에피층이 성장되고, 상기 국부실리콘산화막 상에는 다결정실리콘층이 성장되는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조 방법

제8 항에 있어서,

상기 베이스전극을 형성한 후,

상기 베이스전극과 상기 에미터전극의 단부 측벽에 스페이서를 형성하는 단계; 및

상기 베이스전극, 컬렉터전극 및 상기 에미터전극 상에 각각 실리사이드 박막을 형성하는 단계

를 더 포함함을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조 방법

제8 항에 있어서,

상기 홈을 형성하는 단계는,

상기 절연막 상에 컬렉터-베이스 접합을 정의하는 마스크를 형성하는 단계; 및

상기 마스크를 식각마스크로 하여 상기 베이스전극용 실리콘층이 드러날때까지 상기 절연막을 식각하고 연속해서 상기 베이스전극용 실리콘층을 일부 식각하여 상기 홈을 형성하는 단계

를 포함함을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조 방법

제8 항에 있어서,

상기 에미터전극을 형성하는 단계는,

상기 개구를 포함한 전면에 다결정실리콘층을 형성하는 단계;

상기 다결정실리콘층 상에 에미터전극을 정의하는 마스크를 형성하는 단계;

상기 마스크를 식각마스크로 하여 상기 다결정실리콘층을 식각하여 오버행 형태의 상기 에미터전극을 형성하는 단계; 및

상기 에미터전극을 식각마스크로 하여 상기 에미터전극 형성후 드러난 상기 절연막을 식각하는 단계

를 포함함을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조 방법

제8 항에 있어서,

상기 베이스 에피층은, 실리콘게르마늄 합금 또는 실리콘을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조 방법