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판독용 집적회로가 형성된 반도체 기판;상기 반도체 기판상에 공기 간극을 두고 이격되며 복수개의 감지층이 어레이를 이루는 감지부; 상기 감지부의 상부, 측부 및 바닥을 에워싸는 보호막; 및상기 감지부와 상기 반도체 기판을 물리적으로 연결하는 절연성 기둥을 포함하는 감지기용 픽셀
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제3 항에 있어서, 상기 절연성 기둥과 상기 보호막은 실리콘질화막인 것을 특징으로 하는 감지기용 픽셀
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제3 항에 있어서,상기 감지부는,실리콘층;상기 실리콘층상의 게이트절연막;상기 게이트절연막상에 상기 감지층과 흡수층이 적층된 게이트;상기 게이트 아래 상기 실리콘층내의 채널영역; 및상기 게이트의 일측끝단에 그 끝단이 중첩되며 상기 채널영역 사이의 상기 실리콘층내에 구비된 소스영역과 드레인영역을 포함하여 TFT를 이루며,상기 TFT가 복수개 배열되며, 상기 복수개의 TFT의 게이트들이 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 감지기용 픽셀
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제6 항에 있어서, 상기 복수개의 TFT의 게이트들은, 이웃한 상기 TFT의 게이트가 일정 간격을 두고 서로 대칭을 이루면서 일측 끝단들이 서로 연결되어 하나의 일그룹을 이루고, 상기 일그룹이 다른 상기 일그룹과 서로 연결되면서 상기 복수개의 TFT의 게이트들이 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 감지기용 픽셀
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반도체기판에 판독용 집적회로를 형성하는 단계; 상기 반도체 기판상에 제1 보호막을 형성하는 단계; 상기 제1 보호막상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막을 식각하여 상기 제1 보호막의 일부를 노출시키는 구멍을 형성하는 단계; 상기 구멍을 채우는 두께로 상기 절연막상에 제2 보호막을 형성하는 단계; 상기 제2 보호막을 식각하여 상기 구멍내에 절연성 기둥을 형성하는 단계; 상기 절연성 기둥 및 상기 절연막상에 제3 보호막을 형성하는 단계; 상기 제3 보호막상에 감지부를 형성하는 단계; 상기 감지부를 에워싸는 제4 보호막을 형성하는 단계; 상기 제4 보호막과 상기 제3 보호막을 식각하여 상기 감지부의 가장자리에 격리홈을 형성하는 단계; 및 상기 격리홈을 통해 식각용액을 유입시켜 상기 절연막을 식각하므로써 상기 감지부 아래에 공기간극을 형성하는 단계 를 포함함을 특징으로 하는 감지기용 픽셀의 제조 방법
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제8 항에 있어서, 상기 제1 내지 제4 보호막은 상기 식각용액 유입시 상기 절연막에 대해 높은 식각 선택비를 갖는 것을 특징으로 하는 감지기용 픽셀의 제조 방법
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제8 항에 있어서, 상기 제1 내지 제4 보호막은 실리콘질화막이고, 상기 절연막은 실리콘산화막인 것을 특징으로 하는 감지기용 픽셀의 제조 방법
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제8 항에 있어서, 상기 식각용액은 불산용액인 것을 특징으로 하는 감지기용 픽셀의 제조 방법
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제8 항에 있어서, 상기 감지부를 형성하는 단계는, 상기 적층 절연막상에 상기 연결전극과 연결되는 소스영역과 드레인영역, 적외선 또는 가스의 정보를 감지하는 게이트를 구비하는 TFT를 형성하는 것을 특징으로 하는 감지기용 픽셀의 제조 방법
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제8 항에 있어서, 상기 감지부를 형성하는 단계는, 상기 적층 절연막상에 상기 연결전극과 연결되는 소스영역과 드레인영역, 적외선 또는 가스의 정보를 감지하는 게이트를 구비하는 TFT를 형성하는 것을 특징으로 하는 감지기용 픽셀의 제조 방법
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