1 |
1
삭제
|
2 |
2
적외선 판독회로용 전극을 포함하는 적외선 판독용 집적회로가 형성된 반도체 기판;상기 반도체 기판상에 공기 간극을 두고 이격되며 적어도 하나 이상의 복수개 적외선감지층이 게이트로 구비되어 어레이를 이루는 TFT로 이루어진 적외선 감지부; 및상기 적외선 감지부와 상기 적외선 판독회로용 전극을 연결하는 전도성 연결전극을 포함하는 적외선 감지기용 픽셀
|
3 |
3
제2 항에 있어서, 상기 적외선 감지부는, 실리콘반도체층; 상기 실리콘반도체층상의 게이트절연막; 상기 게이트절연막상에 상기 적외선감지층과 적외선흡수층이 적층된 게이트; 상기 게이트 아래 상기 실리콘반도체층내의 채널영역; 및 상기 게이트의 일측끝단에 그 끝단이 중첩되며 상기 채널영역 사이의 상기 실리콘반도체층내에 구비된 소스영역과 드레인영역을 포함하여 TFT를 이루며, 상기 TFT가 복수개 배열되며, 상기 복수개의 TFT의 게이트들이 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 적외선 감지기용 픽셀
|
4 |
4
제3 항에 있어서, 상기 복수개의 TFT의 게이트들은, 이웃한 상기 TFT의 게이트가 일정 간격을 두고 서로 대칭을 이루면서 일측 끝단들이 서로 연결되어 하나의 일그룹을 이루고, 상기 일그룹이 다른 상기 일그룹과 서로 연결되면서 상기 복수개의 TFT의 게이트들이 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 적외선 감지기용 픽셀
|
5 |
5
삭제
|
6 |
6
제2 항에 있어서,상기 연결전극은 기둥형태이며, 그 외측이 절연성측벽에 의해 에워싸이는 것을 특징으로 하는 적외선 감지기용 픽셀
|
7 |
7
제2 항에 있어서,상기 적외선감지부와 상기 연결전극은 절연막에 의해 둘러싸이는 것을 특징으로 하는 적외선 감지기용 픽셀
|
8 |
8
반도체기판에 적외선 판독회로용 전극을 포함하는 적외선 판독용 집적회로를 형성하는 단계; 상기 반도체 기판상에 상,하부층에 비해 상대적으로 식각이 잘되는 층이 중간에 삽입된 적층 절연막을 형성하는 단계; 상기 적층 절연막을 식각하여 상기 적외선 판독회로용 전극을 노출시키는 홀을 형성하는 단계; 상기 홀의 내벽에 절연성측벽을 형성하는 단계; 상기 홀내에 상기 절연성측벽에 의해 에워싸이는 연결전극을 형성하는 단계; 상기 적층 절연막상에 상기 연결전극과 연결되는 적외선 감지부를 형성하는 단계; 상기 적외선감지부를 에워싸는 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막과 상기 적층 절연막의 상부층을 식각하여 상기 적외선감지부의 가장자리에 식각용액의 통로를 형성하는 단계; 및 상기 통로를 통해 식각용액을 유입시켜 상기 적층 절연막의 중간층을 식각하므로써 상기 적외선감지부 아래에 공기간극을 형성하는 단계 를 포함함을 특징으로 하는 적외선 감지기용 픽셀의 제조 방법
|
9 |
9
제8 항에 있어서, 상기 적층 절연막의 상,하부층, 상기 보호막 및 상기 절연성측벽은 상기 식각용액 유입시 상기 적층 절연막의 중간층에 대해 높은 식각 선택비를 갖는 것을 특징으로 하는 적외선 감지기용 픽셀의 제조 방법
|
10 |
10
제8 항에 있어서, 상기 적층 절연막의 상,하부층, 상기 보호막 및 상기 절연성측벽은 실리콘질화막이고, 상기 적층 절연막의 중간층은 실리콘산화막인 것을 특징으로 하는 적외선 감지기용 픽셀의 제조 방법
|
11 |
11
제8 항에 있어서, 상기 식각용액은 불산용액인 것을 특징으로 하는 적외선 감지기용 픽셀의 제조 방법
|
12 |
12
제8 항에 있어서, 상기 적외선 감지부를 형성하는 단계는, 상기 적층 절연막상에 상기 연결전극과 연결되는 소스영역과 드레인영역, 적외선을 감지하는 게이트를 구비하는 TFT를 형성하는 것을 특징으로 하는 적외선 감지기용 픽셀의 제조 방법
|
13 |
12
제8 항에 있어서, 상기 적외선 감지부를 형성하는 단계는, 상기 적층 절연막상에 상기 연결전극과 연결되는 소스영역과 드레인영역, 적외선을 감지하는 게이트를 구비하는 TFT를 형성하는 것을 특징으로 하는 적외선 감지기용 픽셀의 제조 방법
|