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박막트랜지스터 구조를 갖는 적외선 감지기용 픽셀 어레이 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015079087
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 감지된 적외선 정보가 열전도에 의하여 짧은 시각내에 감쇄하는 것을 방지하는데 적합한 적외선 감지기용 픽셀 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 적외선 감지기용 픽셀은 적외선 판독회로용 전극을 포함하는 적외선 판독용 집적회로가 형성된 반도체 기판, 상기 반도체 기판상에 공기 간극을 두고 이격되며 적어도 하나 이상의 복수개 적외선감지층이 게이트로 구비되어 어레이를 이루는 TFT로 이루어진 적외선 감지부된 적외선 감지부, 및 상기 적외선 감지부와 상기 적외선 판독회로용 전극을 연결하는 전도성 연결전극을 포함하여, 가스 또는 적외선 등을 감지하는 게이트에 의하여 트랜지스터 드레인 전류가 변화하는 TFT 구조가 진공이나 공기간극에 의하여 반도체 기판과 이격되므로써 감지된 정보가 열전도에 의하여 짧은 시각내에 감쇄하는 것을 방지하기 때문에 주사방식용 감지기 어레이를 구현할 수 있다. 적외선 감지기, TFT, 공기간극, 불산용액, 측벽, 적외선감지층, 적외선흡수층
Int. CL H01L 27/14 (2006.01) H01L 31/09 (2006.01) G01J 1/02 (2006.01)
CPC H01L 27/14603(2013.01) H01L 27/14603(2013.01)
출원번호/일자 1020020069436 (2002.11.09)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0497334-0000 (2005.06.16)
공개번호/일자 10-2004-0041264 (2004.05.17) 문서열기
공고번호/일자 (20050628) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.11.09)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조성목 대한민국 대전광역시유성구
2 유병곤 대한민국 대전광역시유성구
3 유종선 대한민국 대전광역시유성구
4 류상욱 대한민국 대전광역시서구
5 유인규 대한민국 대전광역시유성구
6 윤성민 대한민국 대전광역시서구
7 김귀동 대한민국 대전광역시대덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2002-0370316-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2004.05.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.06.11 수리 (Accepted) 9-1-2004-0033920-36
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2004.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0531538-38
5 의견서
Written Opinion
2005.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2005-0078465-32
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.02.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0078439-55
7 등록결정서
Decision to grant
2005.06.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0266201-53
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
적외선 판독회로용 전극을 포함하는 적외선 판독용 집적회로가 형성된 반도체 기판;상기 반도체 기판상에 공기 간극을 두고 이격되며 적어도 하나 이상의 복수개 적외선감지층이 게이트로 구비되어 어레이를 이루는 TFT로 이루어진 적외선 감지부; 및상기 적외선 감지부와 상기 적외선 판독회로용 전극을 연결하는 전도성 연결전극을 포함하는 적외선 감지기용 픽셀
3 3
제2 항에 있어서, 상기 적외선 감지부는, 실리콘반도체층; 상기 실리콘반도체층상의 게이트절연막; 상기 게이트절연막상에 상기 적외선감지층과 적외선흡수층이 적층된 게이트; 상기 게이트 아래 상기 실리콘반도체층내의 채널영역; 및 상기 게이트의 일측끝단에 그 끝단이 중첩되며 상기 채널영역 사이의 상기 실리콘반도체층내에 구비된 소스영역과 드레인영역을 포함하여 TFT를 이루며, 상기 TFT가 복수개 배열되며, 상기 복수개의 TFT의 게이트들이 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 적외선 감지기용 픽셀
4 4
제3 항에 있어서, 상기 복수개의 TFT의 게이트들은, 이웃한 상기 TFT의 게이트가 일정 간격을 두고 서로 대칭을 이루면서 일측 끝단들이 서로 연결되어 하나의 일그룹을 이루고, 상기 일그룹이 다른 상기 일그룹과 서로 연결되면서 상기 복수개의 TFT의 게이트들이 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 적외선 감지기용 픽셀
5 5
삭제
6 6
제2 항에 있어서,상기 연결전극은 기둥형태이며, 그 외측이 절연성측벽에 의해 에워싸이는 것을 특징으로 하는 적외선 감지기용 픽셀
7 7
제2 항에 있어서,상기 적외선감지부와 상기 연결전극은 절연막에 의해 둘러싸이는 것을 특징으로 하는 적외선 감지기용 픽셀
8 8
반도체기판에 적외선 판독회로용 전극을 포함하는 적외선 판독용 집적회로를 형성하는 단계; 상기 반도체 기판상에 상,하부층에 비해 상대적으로 식각이 잘되는 층이 중간에 삽입된 적층 절연막을 형성하는 단계; 상기 적층 절연막을 식각하여 상기 적외선 판독회로용 전극을 노출시키는 홀을 형성하는 단계; 상기 홀의 내벽에 절연성측벽을 형성하는 단계; 상기 홀내에 상기 절연성측벽에 의해 에워싸이는 연결전극을 형성하는 단계; 상기 적층 절연막상에 상기 연결전극과 연결되는 적외선 감지부를 형성하는 단계; 상기 적외선감지부를 에워싸는 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막과 상기 적층 절연막의 상부층을 식각하여 상기 적외선감지부의 가장자리에 식각용액의 통로를 형성하는 단계; 및 상기 통로를 통해 식각용액을 유입시켜 상기 적층 절연막의 중간층을 식각하므로써 상기 적외선감지부 아래에 공기간극을 형성하는 단계 를 포함함을 특징으로 하는 적외선 감지기용 픽셀의 제조 방법
9 9
제8 항에 있어서, 상기 적층 절연막의 상,하부층, 상기 보호막 및 상기 절연성측벽은 상기 식각용액 유입시 상기 적층 절연막의 중간층에 대해 높은 식각 선택비를 갖는 것을 특징으로 하는 적외선 감지기용 픽셀의 제조 방법
10 10
제8 항에 있어서, 상기 적층 절연막의 상,하부층, 상기 보호막 및 상기 절연성측벽은 실리콘질화막이고, 상기 적층 절연막의 중간층은 실리콘산화막인 것을 특징으로 하는 적외선 감지기용 픽셀의 제조 방법
11 11
제8 항에 있어서, 상기 식각용액은 불산용액인 것을 특징으로 하는 적외선 감지기용 픽셀의 제조 방법
12 12
제8 항에 있어서, 상기 적외선 감지부를 형성하는 단계는, 상기 적층 절연막상에 상기 연결전극과 연결되는 소스영역과 드레인영역, 적외선을 감지하는 게이트를 구비하는 TFT를 형성하는 것을 특징으로 하는 적외선 감지기용 픽셀의 제조 방법
13 12
제8 항에 있어서, 상기 적외선 감지부를 형성하는 단계는, 상기 적층 절연막상에 상기 연결전극과 연결되는 소스영역과 드레인영역, 적외선을 감지하는 게이트를 구비하는 TFT를 형성하는 것을 특징으로 하는 적외선 감지기용 픽셀의 제조 방법
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