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유기물 전계효과 트랜지스터의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015079138
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기물 전계효과 트랜지스터(Organic Field Effect Transistor)에 관한 것으로, 유기물 반도체를 증착한 후 진공 상태에서 플라즈마 처리하여 증착 과정에서 함유된 산소, 이온 등의 불순물을 외부 확산시킴으로써 전하 이동도(mobility)가 향상되어 소자의 성능 개선을 이룰 수 있다. 본 발명은 간접적인 플라즈마 처리를 위해 차폐용 셔터와 냉각 기능이 부가된 스테이지를 구비하는 진공 시스템을 이용함으로써 직접적인 플라즈마에 의한 물리적 손상과 열에 의한 손상이 방지되도록 한다.유기물, 전계효과 트랜지스터, 플라즈마 처리, 전하 이동도
Int. CL H01L 29/80 (2006.01)
CPC H01L 51/0512(2013.01) H01L 51/0512(2013.01)
출원번호/일자 1020030011015 (2003.02.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0464070-0000 (2004.12.20)
공개번호/일자 10-2004-0057030 (2004.07.01) 문서열기
공고번호/일자 (20050103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020020083759   |   2002.12.24
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.02.21)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양용석 대한민국 부산광역시사하구
2 김성현 대한민국 대전광역시유성구
3 추혜용 대한민국 대전광역시유성구
4 이정익 대한민국 대전광역시유성구
5 도이미 대한민국 대전광역시유성구
6 정태형 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2003-0060518-29
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.10.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.11.19 수리 (Accepted) 9-1-2004-0070129-49
4 등록결정서
Decision to grant		 2004.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0530383-80
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

기판 상에 게이트 전극을 형성한 후 전체 상부면에 게이트 절연층을 형성하는 단계와,

상기 게이트 절연층 상에 소스 및 드레인을 각각 형성한 후 노출된 부분의 상기 게이트 절연층 상에 자기조립층을 형성하는 단계와,

상기 자기조립층 상에 유기물 반도체층을 형성하는 단계와,

상기 유기물 반도체층에 함유된 불순물을 외부 확산시키기 위해 진공 상태에서 간접적으로 플라즈마 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 전계효과 트랜지스터의 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 유기물 반도체층은 p형 유기 단분자 반도체, n 형 유기 단분자 반도체 또는 p형 고분자 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기물 전계효과 트랜지스터의 제조 방법

3 3

제 2 항에 있어서, 상기 p형 유기 단분자 반도체는 펜타센 또는 알파-6T이며, 상기 n 형 유기 단분자 반도체는 F-CuPc이고, 상기 p형 고분자 반도체는 P3HT, P3OT 또는 P3AT인 것을 특징으로 하는 유기물 전계효과 트랜지스터의 제조 방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 처리는 차폐용 셔터에 의해 샤워헤드와 상기 기판 사이에서 생성된 플라즈마가 상기 유기물 반도체층에 간접적으로 영향을 미치도록 구성된 진공 시스템에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기물 전계효과 트랜지스터의 제조 방법

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마는 스퍼터링과 유사한 상황에서 나타나는 플라즈마 또는 PECVD과 유사한 상황에서 나타나는 플라즈마인 것을 특징으로 하는 유기물 전계효과 트랜지스터의 제조 방법

6 6

제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마를 생성하기 위해 직류형 소스, 고주파형 소스, 쌍 직류형 소스, 쌍 고주파형 소스, ECR 소스, ICP 소스, CCP 소스 또는 이들 각 소스들의 펄스형 소스가 사용되는 것을 특징으로 하는 유기물 전계효과 트랜지스터의 제조 방법

7 7

제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마를 생성하기 위한 소스 가스로 Ar, N2, O2, N2O, He, H, NH3 가스 혹은 이들 중 하나 이상의 혼합 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기물 전계효과 트랜지스터의 제조 방법

8 8

제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 처리는 동일한 종류 또는 다른 종류의 가스를 사용하여 한번 이상 수행하는 것을 특징으로 하는 유기물 전계효과 트랜지스터의 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.