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발광 가능한 실리콘 나노점 박막 제조 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2015079139
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마 화학기상증착(PECVD) 방식으로 실리콘(Si)을 기반으로 하는 매트릭스(Matrix) 박막을 증착하는 동시에 스퍼터링(Sputtering) 방식으로 증착된 매트릭스 박막에 어븀(Er)과 같이 발광특성을 갖는 물질을 도핑함으로써 손상을 입지않으며 도핑 농도가 균일한 실리콘 나노점 박막을 얻는다. 본 발명에 따라 얻어진 실리콘 나노점 박막은 가시광 영역 뿐 아니라 장거리 통신 주파수 영역에서도 향상된 발광 특성을 가지며, 본 발명의 실리콘 나노점 박막 제조 방법은 현재의 반도체 공정 기술과 상호 연동이 가능하므로 현재의 반도체 공정으로 실리콘을 전광재료로 이용하는 나노 전광 소자의 제작을 가능하게 한다. 실리콘 나노점, 실리콘 박막, 발광 물질, PECVD, 스퍼터
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 29/15 (2011.01) H01L 21/203 (2011.01) H01L 29/06 (2011.01)
CPC C23C 16/505(2013.01) C23C 16/505(2013.01)
출원번호/일자 1020030011016 (2003.02.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0496266-0000 (2005.06.10)
공개번호/일자 10-2004-0057031 (2004.07.01) 문서열기
공고번호/일자 (20050617) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020020083758   |   2002.12.24
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.02.21)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종혁 대한민국 대구광역시동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2003-0060519-75
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2004.10.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.11.19 수리 (Accepted) 9-1-2004-0070130-96
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0051253-30
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.03.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0162509-57
6 의견서
Written Opinion
2005.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2005-0162603-41
7 등록결정서
Decision to grant
2005.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0268527-78
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
발광 가능한 실리콘 나노점 박막 제조 장치에 있어서,가스 공급관 및 가스 배기구가 형성된 챔버,상기 가스 공급관에 연결되며 상기 챔버 내부에 설치된 샤워헤드,상기 샤워헤드와 대향되도록 위치되며 기판이 장착되는 스테이지,상기 샤워헤드와 상기 기판 사이에 설치된 스퍼터 건을 포함하며,상기 가스공급관을 통해 상기 챔버 내부로 반응가스를 주입하며, 상기 샤워헤드와 상기 스테이지에 고주파 전력을 인가하여 상기 샤워헤드와 상기 기판 사이에서 생성되는 플라즈마에 의해 상기 기판 상에 매트릭스 박막이 증착되는 동시에 상기 스퍼터 건으로부터 발광물질이 스퍼터링되어 상기 증착된 매트릭스 박막에 도핑되도록 구성된 것을 특징으로 하는 발광 가능한 실리콘 나노점 박막 제조 장치
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 챔버에 상기 스퍼터 건이 다수개 구비된 것을 특징으로 하는 발광 가능한 실리콘 나노점 박막 제조 장치
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a) 기판을 챔버 내의 스테이지에 위치시키는 단계와,b) 가스공급관에 연결된 샤워헤드를 통해 상기 챔버 내부로 반응가스를 주입하며, 상기 샤워헤드와 상기 스테이지에 고주파 전력을 인가하는 단계와,c) 상기 샤워헤드와 상기 기판 사이에서 생성되는 플라즈마에 의해 상기 기판 상에 매트릭스 박막이 증착되도록 하는 동시에 상기 샤워헤드와 상기 기판 사이에 설치된 스퍼터 건으로부터 발광물질이 스퍼터링되어 상기 증착된 매트릭스 박막에 도핑되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 가능한 실리콘 나노점 박막 제조 방법
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제 3 항에 있어서, 상기 매트릭스 박막은 실리콘, 실리콘 산화물, 질화물 및 탄화물 중 어느 하나의 물질을 기반으로 하는 것을 특징으로 하는 발광 가능한 실리콘 나노점 박막 제조 방법
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제 3 항에 있어서, 상기 발광 물질은 한 종류 또는 한 종류 이상의 희토류 금속, 절연물 및 화합물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 가능한 실리콘 나노점 박막 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 희토류 금속은 어븀(Er)인 것을 특징으로 하는 발광 가능한 실리콘 나노점 박막 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 희토류 금속은 어븀(Er)인 것을 특징으로 하는 발광 가능한 실리콘 나노점 박막 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01434278 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01434278 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 US07531068 US 미국 FAMILY
4 US20040129223 US 미국 FAMILY
5 US20070205095 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 AT482474 AT 오스트리아 DOCDBFAMILY
2 US2004129223 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US2007205095 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US7531068 US 미국 DOCDBFAMILY
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