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추출 격자 브래그 반사기와 결합된 추출 격자 분포궤환파장가변 반도체 레이저

  • 기술번호 : KST2015079171
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 SG-DFB(Sampled Grating Distrituted Feedback) 구조부와 SG-DBR(Sampled Grating Distributed Bragg Reflector) 구조부를 함께 집적하여 파장가변이 가능하도록 구성된 반도체 레이저에 관한 것으로, SG-DFB 구조부의 위상 제어 영역과 SG-DBR 구조부에 인가되는 전류에 따라서 굴절률을 변화시켜, 연속적 또는 불연속적으로 가변하는 파장을 갖도록 구현할 수 있다. 이러한 파장가변 반도체 레이저는 비교적 간단한 구조로 구성되어 제작 및 대량 생산에 유리하고, 광대역 파장 가변이 가능하면서 출력 광효율이 우수한 효과가 있다. 파장가변 반도체 레이저, DFB, DBR, SG-DBR, SG-DFB, Laser Diode, Semiconductor Laser Diode
Int. CL H01S 3/10 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020030028186 (2003.05.02)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0541913-0000 (2006.01.02)
공개번호/일자 10-2004-0094190 (2004.11.09) 문서열기
공고번호/일자 (20060110) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.05.02)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오수환 대한민국 대전광역시유성구
2 박문호 대한민국 대전광역시유성구
3 이지면 대한민국 대전광역시유성구
4 김기수 대한민국 전라북도전주시완산구
5 이철욱 대한민국 대전광역시유성구
6 고현성 대한민국 대전광역시서구
7 박상기 대한민국 대전광역시서구
8 정영철 대한민국 서울특별시노원구
9 김수현 대한민국 서울특별시은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2003-0159374-39
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.03.16 수리 (Accepted) 9-1-2005-0015899-87
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0249042-46
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.07.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0381550-45
6 의견서
Written Opinion
2005.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2005-0381581-50
7 등록결정서
Decision to grant
2005.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0663923-55
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
이득영역을 구비하는 SG-DFB 구조부와, SG-DBR 영역 및 위상제어 영역을 구비하고 상기 SG-DFB 구조부 양측면에 집적된 SG-DBR 구조부가 버니어 제어회로, 오프셋 제어회로, 위상 제어회로 및 이득 제어회로에서 출력되는 제어신호에 따라서 발진파장을 가변시키는 파장가변 반도체 레이저에 있어서,상기 SG-DFB 구조부는 광파를 생성하고 제 1 주기의 추출 회절 격자를 구비하는 이득 영역 및 위상제어 영역을 구비하고,상기 SG-DBR 구조부는 상기 SG-DFB 구조부의 일측면에만 집적되어 형성되며, 제 2 주기의 회절 격자를 구비하는 SG-DBR 영역을 구비하되,상기 SG-DFB 구조부와 상기 SG-DBR 영역의 굴절률 변화에 따라서, 발진하는 파장이 가변하도록 구성된 것을 특징으로 하는 파장가변 반도체 레이저
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 주기의 추출 회절 격자와 상기 제 2 주기의 추출 회절 격자의 피치는 서로 동일한 것을 특징으로 하는 파장가변 반도체 레이저
3 3
제 1 항에 있어서,상기 SG-DFB 구조부 및 SG-DBR 구조부의 위상 제어 영역 및 SG-DBR영역은 전류의 인가에 의해 굴절률이 변화되도록 구성된 것을 특징으로 하는 파장가변 반도체 레이저
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 발진하는 파장은 연속적 또는 불연속적으로 가변하는 것을 특징으로 하는 파장가변 반도체 레이저
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 파장 가변 반도체 레이저는 하나의 반도체 기판에 광 변조기와 함께 집적되어 구현된 것을 특징으로 하는 파장가변 반도체 레이저
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 SG-DFB 구조부는하부 클래드층;상기 하부 클래드층 위에 형성되는 제 1 주기의 추출 회절 격자;상기 제 1 주기의 추출 회절 격자 위의 동일 평면상에 적어도 하나 이상의 이득 영역 및 위상제어 영역이 서로 교대로 형성된 이득 영역층 및 위상제어 영역층;전체 상부에 형성된 상부 클래드층;상기 상부 클래드층 위에 상기 이득 영역층 및 위상제어 영역층에 각각 대응되는 위치에 형성되어 전압을 독립적으로 인가하는 이득 영역 전극 및 위상제어 영역 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 파장가변 반도체 레이저
7 7
삭제
8 8
제 6 항에 있어서,상기 기판은 n형 InP로 구성되고, 상기 이득 영역층 및 위상제어 영역층은 InGaAsP계열로 구성되며, 상기 상부 클래드층은 p형 InP로 구성되는 것을 특징으로 하는 파장가변 반도체 레이저
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 SG-DBR 구조부는하부 클래드층;상기 하부 클래드층 위에 형성되는 제 2 주기의 추출 회절 격자;상기 제 2 주기의 추출 회절 격자 위의 형성된 SG-DBR 영역층;상기 SG-DBR 영역층 상부에 형성된 상부 클래드층;상기 상부 클래드층 위에 상기 SG-DBR 영역층에 대응되는 위치에 형성되어 전압을 인가하는 SG-DBR 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 파장가변 반도체 레이저
10 10
제 9 항에 있어서,상기 하부 클래드층은 n형 InP로 구성되고, 상기 SG-DBR 영역층은 InGaAsP계열로 구성되며, 상기 상부 클래드층은 p형 InP으로 구성되는 것을 특징으로 하는 파장가변 반도체 레이저
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01489707 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01489707 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP01489707 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 JP03962014 JP 일본 FAMILY
5 JP16336002 JP 일본 FAMILY
6 US07130325 US 미국 FAMILY
7 US20040218639 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP1489707 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP1489707 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 EP1489707 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 JP2004336002 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP3962014 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US2004218639 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US7130325 US 미국 DOCDBFAMILY
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