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이득영역을 구비하는 SG-DFB 구조부와, SG-DBR 영역 및 위상제어 영역을 구비하고 상기 SG-DFB 구조부 양측면에 집적된 SG-DBR 구조부가 버니어 제어회로, 오프셋 제어회로, 위상 제어회로 및 이득 제어회로에서 출력되는 제어신호에 따라서 발진파장을 가변시키는 파장가변 반도체 레이저에 있어서,상기 SG-DFB 구조부는 광파를 생성하고 제 1 주기의 추출 회절 격자를 구비하는 이득 영역 및 위상제어 영역을 구비하고,상기 SG-DBR 구조부는 상기 SG-DFB 구조부의 일측면에만 집적되어 형성되며, 제 2 주기의 회절 격자를 구비하는 SG-DBR 영역을 구비하되,상기 SG-DFB 구조부와 상기 SG-DBR 영역의 굴절률 변화에 따라서, 발진하는 파장이 가변하도록 구성된 것을 특징으로 하는 파장가변 반도체 레이저
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 주기의 추출 회절 격자와 상기 제 2 주기의 추출 회절 격자의 피치는 서로 동일한 것을 특징으로 하는 파장가변 반도체 레이저
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제 1 항에 있어서,상기 SG-DFB 구조부 및 SG-DBR 구조부의 위상 제어 영역 및 SG-DBR영역은 전류의 인가에 의해 굴절률이 변화되도록 구성된 것을 특징으로 하는 파장가변 반도체 레이저
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제 1 항에 있어서, 상기 발진하는 파장은 연속적 또는 불연속적으로 가변하는 것을 특징으로 하는 파장가변 반도체 레이저
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제 1 항에 있어서, 상기 파장 가변 반도체 레이저는 하나의 반도체 기판에 광 변조기와 함께 집적되어 구현된 것을 특징으로 하는 파장가변 반도체 레이저
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제 1 항에 있어서, 상기 SG-DFB 구조부는하부 클래드층;상기 하부 클래드층 위에 형성되는 제 1 주기의 추출 회절 격자;상기 제 1 주기의 추출 회절 격자 위의 동일 평면상에 적어도 하나 이상의 이득 영역 및 위상제어 영역이 서로 교대로 형성된 이득 영역층 및 위상제어 영역층;전체 상부에 형성된 상부 클래드층;상기 상부 클래드층 위에 상기 이득 영역층 및 위상제어 영역층에 각각 대응되는 위치에 형성되어 전압을 독립적으로 인가하는 이득 영역 전극 및 위상제어 영역 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 파장가변 반도체 레이저
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제 6 항에 있어서,상기 기판은 n형 InP로 구성되고, 상기 이득 영역층 및 위상제어 영역층은 InGaAsP계열로 구성되며, 상기 상부 클래드층은 p형 InP로 구성되는 것을 특징으로 하는 파장가변 반도체 레이저
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제 1 항에 있어서, 상기 SG-DBR 구조부는하부 클래드층;상기 하부 클래드층 위에 형성되는 제 2 주기의 추출 회절 격자;상기 제 2 주기의 추출 회절 격자 위의 형성된 SG-DBR 영역층;상기 SG-DBR 영역층 상부에 형성된 상부 클래드층;상기 상부 클래드층 위에 상기 SG-DBR 영역층에 대응되는 위치에 형성되어 전압을 인가하는 SG-DBR 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 파장가변 반도체 레이저
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제 9 항에 있어서,상기 하부 클래드층은 n형 InP로 구성되고, 상기 SG-DBR 영역층은 InGaAsP계열로 구성되며, 상기 상부 클래드층은 p형 InP으로 구성되는 것을 특징으로 하는 파장가변 반도체 레이저
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