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유기 발광 소자의 애노드 전극 상에 애노드 배리어 층을 형성하는 방법에 있어서, 애노드 층이 형성된 기판을 반응 챔버에 배치하는 단계; 상기 애노드 배리어 층을 구성하는 원소를 포함하는 전구체를 상기 챔버에 주입하는 단계; 및 상기 챔버 내의 온도를 상온 이상으로 유지시키고, 상기 전구체들간의 표면 화학 반응을 유도하여 애노드 배리어 층을 2nm 이하의 두께로 형성시키는 단계;를 포함하는 애노드 배리어 층의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 애노드 배리어 층은 알루미늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드, 하프늄 옥사이드, 지르코늄 옥사이드, 탄탈륨 옥사이드, 타이타늄 옥사이드, 징크 옥사이드, 니오븀 옥사이드, 이트륨 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄 나이트라이드, 알루미늄 옥시나이트라이드로 이루어진 그룹에서 선택된 단층 또는 다층 구조인 것을 특징으로 하는 애노드 배리어 층의 형성 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 표면 화학 반응은 샤워헤드법을 포함한 트레블링 웨이브 리액터 원자층 증착법, 리모트 플라즈마 원자층 증착법 및 다이렉트 플라즈마 원자층 증착법 중 선택된 하나 또는 둘 이상의 혼합 증착법인 것을 특징으로 하는 애노드 배리어 층의 형성 방법
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기판, 애노드 층, 캐소드 층을 포함하는 유기전자 발광 소자에 있어서, 상기 애노드 층 및 캐소드 층의 사이에 순차적으로 적층된 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층, 전자 수송층을 포함하고, 상기 애노드 층과 정공 주입층의 사이에 표면 화학 반응에 의하여 형성된 애노드 배리어 층을 포함하는 유기전기 발광 소자
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제4항에 있어서, 상기 애노드 배리어 층은 알루미늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드, 하프늄 옥사이드, 지르코늄 옥사이드, 탄탈륨 옥사이드, 타이타늄 옥사이드, 징크 옥사이드, 니오븀 옥사이드, 이트륨 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄 나이트라이드, 알루미늄 옥시나이트라이드로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 또는 그 이상으로 이루어진, 단층 또는 다층 구조인 것을 특징으로 하는 유기 전기 발광 소자
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제1항에 따라 형성된 애노드 배리어 층을 포함하는 유기 발광 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 소자
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제1항에 따라 형성된 애노드 배리어 층을 포함하는 유기 발광 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 소자
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