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유기 발광 소자의 애노드 전극 형성 방법에 있어서, 하부구조가 형성된 기판 상에, 표면 화학 반응 또는 표면 화학 반응과 기상 화학 반응의 혼합 증착법을 이용하여 산화물 모재료 층을 형성하는 (a)단계를 a회 반복 실시 및 상기 산화물 모재료 층을 도펀트로 도핑하는 (b)단계를 b회 반복 실시한 후, 이러한 (a)단계 및 (b)단계를 각각 a회 및 b회 반복하는 전체 과정을 다시 n회 반복 실시하여, 도핑된 산화물 전극층을 형성하는 제1단계; 및 형성된 산화물 전극층의 표면에 원자층 증착법으로 표면 산화물 층을 형성하는 제2단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 애노드 전극 형성 방법
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제1항에 있어서, 제2단계에 있어서의 상기 원자층 증착법은 샤워헤드법을 포함한 트레블링 웨이브 리액터 원자층 증착법, 리모트 플라즈마 원자층 증착법 및 다이렉트 플라즈마 원자층 증착법 중 선택된 하나 또는 둘 이상의 혼합 증착법에 의한 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 애노드 전극 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 산화물 모재료 층으로써 징크 옥사이드, 틴 옥사이드 및 인듐 옥사이드 중 선택된 산화물 층을 형성하며, 상기 도펀트로서 알루미늄, 징크, 틴, 인듐, 보론 및 갈륨으로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 애노드 전극 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 산화물 모재료 층으로서 징크 옥사이드 층을 형성하고, 상기 도펀트로서 알루미늄을 사용하며, 상기 표면 산화물 층으로서 도핑되지 않은 징크 옥사이드 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 애노드 전극 형성 방법
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제4항에 있어서, 상기 (a)단계는 기판을 반응기에 배치하는 단계; 반응기 내로 운반기체와 함께 Zn-전구체를 주입하는 단계; 불활성 기체를 반응기로 주입하는 단계; H2O를 반응기에 주입하는 단계; 및 불활성 기체를 반응기에 주입하는 단계를 포함하여 이루어지고, 상기 (b)단계는, 운반기체와 함께 Al-전구체를 반응기에 주입하는 단계; 불활성 기체를 반응기에 주입하는 단계; H2O를 반응기에 주입하는 단계; 및 불활성 기체를 반응기에 주입하는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 제2단계는, 상기 (a)단계를 a회 반복하는 것을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 애노드 전극 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 산화물 모재료 층으로서 징크 옥사이드 층을 형성하고, 상기 도펀트로서 알루미늄을 사용하며, 상기 표면 산화물 층으로서 알루미늄 옥사이드 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 애노드 전극 형성 방법
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제6항에 있어서, 상기 (a)단계는, 기판을 반응기에 배치하는 단계; 반응기 내로 운반기체와 함께 Zn-전구체를 주입하는 단계; 불활성 기체를 반응기로 주입하는 단계; H2O를 반응기에 주입하는 단계; 및 불활성 기체를 반응기에 주입하는 단계를 포함하여 이루어지고, 상기 (b)단계는, 운반기체와 함께 Al-전구체를 반응기에 주입하는 단계; 불활성 기체를 반응기에 주입하는 단계; H2O를 반응기에 주입하는 단계; 및 불활성 기체를 반응기에 주입하는 단계를 포함하여 이루어지고, 상기 제2단계는, 운반기체와 함께 Al-전구체를 반응기에 주입하는 단계; 불활성 기체를 반응기에 주입하는 단계; H2O를 반응기에 주입하는 단계; 및 불활성 기체를 반응기에 주입하는 단계;를 포함하는 상기 (b)단계를 2회이상 7회미만 반복하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 애노드 전극 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 산화물 모재료 층으로서 징크 옥사이드 층을 형성하고, 상기 도펀트로서 알루미늄을 사용하며, 상기 표면 산화물 층으로서 c축으로 배향된 징크 옥사이드 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 애노드 전극 형성 방법
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제8항에 있어서, 상기 (a)단계는 기판을 반응기에 배치하는 단계; 반응기 내로 운반기체와 함께 Zn-전구체를 주입하는 단계; 불활성 기체를 반응기로 주입하는 단계; H2O를 반응기에 주입하는 단계; 및 불활성 기체를 반응기에 주입하는 단계를 포함하여 이루어지고, 상기 (b)단계는, 운반기체와 함께 Al-전구체를 반응기에 주입하는 단계; 불활성 기체를 반응기에 주입하는 단계; H2O를 반응기에 주입하는 단계; 및 불활성 기체를 반응기에 주입하는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 제2단계는, 운반기체와 함께 Al-전구체를 반응기에 주입하는 단계; 불활성 기체를 반응기에 주입하는 단계; 산소를 주입하는 단계; H2O를 반응기에 주입하는 단계; 및 불활성 기체를 반응기에 주입하는 단계를 포함하여 이루어진 일련의 과정을 200회 미만 반복하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 애노드 전극 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 산화물 모재료 층으로서 징크 옥사이드 층을 형성하고, 상기 도펀트로서 알루미늄을 사용하며, 상기 표면 산화물 층으로서 상기 산화물 전극층보다 알루미늄이 다량 도핑된 징크 옥사이드 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 애노드 전극 형성 방법
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제10항에 있어서, 상기 (a)단계는, 기판을 반응기에 배치하는 단계; 반응기 내로 운반기체와 함께 Zn-전구체를 주입하는 단계; 불활성 기체를 반응기로 주입하는 단계; H2O를 반응기에 주입하는 단계; 및 불활성 기체를 반응기에 주입하는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 (b)단계는, 운반기체와 함께 Al-전구체를 반응기에 주입하는 단계; 불활성 기체를 반응기에 주입하는 단계; H2O를 반응기에 주입하는 단계; 및 불활성 기체를 반응기에 주입하는 단계를 포함하여 이루어진 (b)단계를 포함하여 이루어지며, 상기 제2단계는, 상기 (a)단계를 a/2 내지 a/10회 반복하고, 상기 (b)단계를 b회 반복하는 것으로 이루어짐을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 애노드 전극 형성 방법
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기판, 애노드 층, 발광층 및 캐소드 층을 포함하는 유기 전자 발광 소자에 있어서, 상기 애노드 층은, 표면 화학 반응을 이용하여 형성된 징크 옥사이드, 틴 옥사이드 및 인듐 옥사이드 중 선택된 산화물 모재료 층이 알루미늄, 징크, 틴, 인듐, 보론 및 갈륨으로 이루어진 그룹에서 선택된 도펀트로 도핑된 구조의 도핑된 산화물 전극 층; 및 상기 도핑된 산화물 전극 층 상에 원자층 증착법에 의하여 형성된 표면 산화물 층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자
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제12항에 있어서, 상기 산화물 모재료 층은 징크 옥사이드 층이고, 상기 도펀트는 알루미늄이며, 상기 표면 산화물 층은 도핑되지 않은 징크 옥사이드 층임을 특징으로 하는 유기 발광 소자
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제12항에 있어서, 상기 산화물 모재료 층은 징크 옥사이드 층이고, 상기 도펀트는 알루미늄이며, 상기 표면 산화물 층은 알루미늄 옥사이드 층임을 특징으로 하는 유기 발광 소자
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제12항에 있어서, 상기 산화물 모재료 층은 징크 옥사이드 층이고, 상기 도펀트는 알루미늄이며, 상기 표면 산화물 층은 c축으로 배향된 징크 옥사이드 층임을 특징으로 하는 유기 발광 소자
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제12항에 있어서, 상기 산화물 모재료 층은 징크 옥사이드 층이고, 상기 도펀트는 알루미늄이며, 상기 표면 산화물 층은 상기 산화물 전극층보다 알루미늄이 다량 도핑된 징크 옥사이드 층임을 특징으로 하는 유기 발광 소자
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제12항 내지 제16항 중 어느 한 항에 따른 유기 발광 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 소자
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17
제12항 내지 제16항 중 어느 한 항에 따른 유기 발광 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 소자
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