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유기물과 무기물 반도체층을 포함하는 전계 효과트랜지스터 및 그 반도체층 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015079354
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체층을 무기물 반도체와 유기물 반도체의 다층으로 구성하여 함께 채널층으로 이용가능하도록 하는 전계효과 트랜지스터를 제공한다. 무기물 반도체층은 표면 졸겔법과 같은 습식 공정을 이용하여 증착하고, 그 위에 습식 또는 건식 공정으로 유기물 반도체층을 제조함으로써, 유기물 반도체층 만으로 계면을 형성하는 경우에 비해 계면 상태를 다양하게 개선시킬 수 있고 무기물과 유기물 반도체층 모두가 채널층의 역할을 하므로 전하수송 특성이 개선되는 효과가 있다. 유기물, 무기물, 전계 효과 트랜지스터, 표면 졸겔법, 열증착법, 전하 이동도
Int. CL H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/66477(2013.01)
출원번호/일자 1020030075840 (2003.10.29)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2005-0040987 (2005.05.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.10.29)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양용석 대한민국 부산광역시사하구
2 이정익 대한민국 경기도수원시권선구
3 도이미 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2003-0406078-57
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.05.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.06.16 수리 (Accepted) 9-1-2005-0035767-27
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0290700-32
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2005.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0417237-94
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
기판 상에 게이트 전극, 게이트 절연막, 반도체층 및 소오스/드레인 전극을 구비하는 전계 효과 트랜지스터에 있어서, 상기 반도체층은 상기 게이트 절연막에 접촉하는 무기물 반도체층; 및 상기 무기물 반도체층 상에 형성된 유기물 반도체층으로 구성되되, 상기 무기물 반도체층 및 무기물 반도체층이 함께 채널층으로 이용되는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 무기물 반도체층은 ZnS, CdS 또는 (Zn, Cd)S 인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 유기 반도체층은 펜타센(pentacene) 또는 알파-6T(alpha-sexithiophene)의 P형 유기 단분자 반도체, F-CuPc(hexadecafluorcopper phthalocyanine)의 n형 유기 단분자 반도체, 또는 P3HT(poly(3-hexylthiophene))의 p형 유기 고분자 반도체인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
4 4
기판 상에 게이트 전극, 게이트 절연막, 반도체층 및 소오스/드레인 전극을 구비하는 전계 효과 트랜지스터 소자의 반도체층 형성방법에 있어서, 표면 졸겔법을 이용하여, 상기 게이트 절연막과 접촉하도록 무기물 반도체층을 형성하는 단계; 및 상기 무기물 반도체 상에 유기물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되되, 상기 무기물 반도체층 및 무기물 반도체층이 함께 채널층으로 이용되는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 반도체층 형성방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 무기물 반도체층을 형성하는 단계는, Zn(OAc)2의 수용액, Na2S의 수용액, ZnOH+, ZnCl+, CdOH+, CdCl+, HS- 이온들 중 하나 이상의 이온 성분이 들어있는 수용액을 사용하여 습식공정으로 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 반도체층 형성방법
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 무기물 반도체층은 ZnS, CdS 또는 (Zn, Cd)S 인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 반도체층 형성방법
7 6
제 4 항에 있어서, 상기 무기물 반도체층은 ZnS, CdS 또는 (Zn, Cd)S 인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 반도체층 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.