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암전류를 감소시킬 수 있는 광검출 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015079389
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 암전류를 감소시킬 수 있는 메사형 광검출 소자의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 화합물 기판상에 N형의 클래딩층, 광흡수층 및 P형의 클래딩층을 순차적으로 성장시킨다음, 상기 P형의 클래딩층, 광흡수층 및 N형의 클래딩층을 소정 부분 패터닝하여 p-i-n층을 한정한다. 그후에, 상기 p-i-n층의 측벽 노출면에 폴리이미드막을 형성하고, 상기 폴리이미드막을 경화시킨다. 다음, 상기 화합물 기판 및 p-i-n층 상부 각각에 오믹 전극을 형성한다. 광검출 소자, 암전류, 폴리이미드, 열처리.
Int. CL H01L 31/105 (2006.01)
CPC H01L 31/105(2013.01) H01L 31/105(2013.01) H01L 31/105(2013.01) H01L 31/105(2013.01)
출원번호/일자 1020030081726 (2003.11.18)
출원인 한국전자통신연구원, 학교법인연세대학교
등록번호/일자 10-0550011-0000 (2006.02.01)
공개번호/일자 10-2005-0047923 (2005.05.23) 문서열기
공고번호/일자 (20060208) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.11.18)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 학교법인연세대학교 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최중선 대한민국 서울특별시광진구
2 권용환 대한민국 대전광역시유성구
3 윤일구 대한민국 서울특별시강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
2 연세대학교산학협력단 서울 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2003-0434815-02
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.05.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.06.16 수리 (Accepted) 9-1-2005-0036078-56
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0394008-61
5 의견서
Written Opinion		 2005.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2005-0584613-84
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.10.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0584614-29
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0015178-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.05 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207014-07
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.29 수리 (Accepted) 4-1-2010-5224078-51
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
화합물 기판을 제공하는 단계;상기 화합물 기판상에 N형의 클래딩층, 광흡수층 및 P형의 클래딩층을 순차적으로 성장시키는 단계;상기 P형의 클래딩층, 광흡수층 및 N형의 클래딩층을 소정 부분 패터닝하여 p-i-n층을 한정하는 단계;상기 p-i-n층의 측벽 노출면에 폴리이미드막을 형성하는 단계;상기 폴리이미드막을 경화시키는 단계; 상기 화합물 기판 및 p-i-n층 상부 각각에 오믹 전극을 형성하는 단계; 및상기 화합물 기판 결과물을 200 내지 1000℃ 온도에서 39 시간 내지 300 시간의 장시간동안 열처리하여 암전류를 개선시키는 단계를 포함하는 광검출 소자의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 폴리이미드막을 경화시키는 단계는, 상기 폴리이미드막이 형성된 화합물 기판 결과물을 350 내지 400℃의 온도에서 30분 내지 1시간 열처리하는 것을 특징으로 하는 광검출 소자의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 폴리이미드막을 경화시키는 단계는 불활성 가스, 질소 가스, III족의 가스, V족의 가스 또는 이들의 혼합 가스 분위기에서 진행하는 것을 특징으로 하는 광검출 소자의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 화합물 기판상에 N형 클래딩층을 형성하는 단계 이전에, 소자가 형성될 N형의 화합물층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광검출 소자의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 오믹 전극을 형성하는 단계는, 상기 p-i-n층 상부에 P형의 오믹 전극을 형성하고,상기 p-i-n층 양측의 n형 화합물층 상부에 N형의 오믹 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광검출 소자의 제조방법
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 p-i-n층은 리지 형태로 패터닝하는 것을 특징으로 하는 광검출 소자의 제조방법
8 7
제 1 항에 있어서, 상기 p-i-n층은 리지 형태로 패터닝하는 것을 특징으로 하는 광검출 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.