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기판 위에 부컬렉터층, 컬렉터층, 베이스층, 이미터층 및 이미터캡층을 차례로 형성하는 단계, 상기 이미터캡층의 일부 영역 위에 이미터 전극을 형성하는 단계, 상기 이미터캡층과 상기 이미터층의 일부를 식각하여 상기 베이스층의 일부를 노출시키는 단계, 상기 노출된 베이스층의 일부 영역 위에 베이스 전극을 형성하는 단계, 상기 베이스층 및 상기 컬렉터층의 일부를 식각하여 상기 부컬렉터층의 일부를 노출시키는 단계, 상기 노출된 부컬렉터층의 일부 영역 위에 컬렉터 전극을 형성하는 단계, 제1 유전체층을 도포하는 단계, 상기 제1 유전체층과 상기 부컬렉터층의 일부를 식각하여 소자 분리 영역을 정의하는 단계, 제2 유전체층을 도포하는 단계, 상기 이미터 전극, 상기 베이스 전극 및 상기 컬렉터 전극 위의 상기 제2 유전체층의 일부를 식각하여 관통구를 형성하는 단계, 그리고 상기 관통구를 통하여 상기 제1 유전체층을 식각하는 단계를 포함하는 이종 접합 쌍극자 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 유전체층은 상기 제2 유전체층에 비해 식각 속도가 빠른 것을 특징으로 하는 이종 접합 쌍극자 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 유전체층은 상기 제2 유전체층에 비해 식각이 용이한 것을 특징으로 하는 이종 접합 쌍극자 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 유전체층이 도포된 영역은 상기 이미터 전극 주위의 상기 이미터층 표면, 상기 베이스 전극 주위의 상기 베이스층 표면, 상기 컬렉터 전극 주위의 상기 컬렉터층 표면, 상기 식각된 이미터캡층과 이미터층의 측면 및 상기 식각된 베이스층과 컬렉터층의 측면을 포함하는 이종 접합 쌍극자 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 이미터캡층과 상기 이미터층 및 상기 베이스층과 상기 컬렉터층은 각각 메사 형태로 식각되는 이종 접합 쌍극자 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 유전체층은 상온에서 빠르게 증착되어 형성되며, 상기 제2 유전체층은 고온에서 서서히 증착되어 형성되는 이종 접합 쌍극자 트랜지스터의 제조 방법
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기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 부컬렉터층,상기 부컬렉터층 위에 형성되어 있는 컬렉터층,상기 부컬렉터층 중 상기 컬렉터층이 형성되지 않은 일부 영역 위에 형성되어 있는 컬렉터 전극,상기 컬렉터층 위에 형성되어 있는 베이스층,상기 베이스층 위에 형성되어 있는 이미터층,상기 베이스층 중 상기 이미터층이 형성되지 않은 일부 영역 위에 형성되어 있는 베이스 전극,상기 이미터층 위에 형성되어 있는 이미터캡층,상기 이미터캡층의 일부 영역 위에 형성되어 이미터 전극, 그리고상기 컬렉터 전극, 상기 베이스 전극 및 상기 이미터 전극의 적어도 일부를 노출시키는 관통구를 가지고 도포되어 있는 제1 유전체층을 포함하며,상기 부컬렉터층 표면, 상기 베이스층 표면, 상기 이미터캡층 표면, 상기 컬렉터층 측면, 상기 베이스층 측면, 상기 이미터층 측면 및 상기 이미터캡층 측면 중 적어도 일부가 상기 제1 유전체층과 소정의 간극을 두고 떨어져 있는 이종 접합 쌍극자 트랜지스터
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제7항에 있어서, 상기 소정의 간극 중 일부에 제2 유전체층이 형성되어 있는 이종 접합 쌍극자 트랜지스터
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제8항에 있어서, 상기 제2 유전체층은 상기 제1 유전체층에 비해 식각이 용이하거나 식각 속도가 빠른 이종 접합 쌍극자 트랜지스터
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기판 위에 차례로 형성된 부컬렉터층, 컬렉터층, 베이스층 및 이미터층을 포함하는 이종 접합 쌍극자 트랜지스터에 있어서, 상기 부컬렉터층의 일부 영역 위에 형성되어 있는 컬렉터 전극, 상기 베이스층의 일부 영역 위에 형성되어 있는 베이스 전극, 상기 이미터층의 일부 영역 위에 형성되어 있는 이미터 전극, 그리고 상기 컬렉터 전극, 베이스 전극 및 이미터 전극의 적어도 일부를 노출시키는 관통구를 가지고 상기 부컬렉터층, 컬렉터층, 베이스층 및 이미터층을 도포하고 있는 유전체 절역막을 포함하며, 상기 유전체 절연막이 상기 부컬렉터층, 컬렉터층, 베이스층 및 이미터층 중 적어도 일부와 소정의 간극을 두고 떨어져 있는 이종 접합 쌍극자 트랜지스터
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제10항에 있어서, 상기 이미터층과 상기 이미터 전극 사이에 형성되는 이미터캡층을 더 포함하는 이종 접합 쌍극자 트랜지스터
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제10항에 있어서, 상기 이미터층과 상기 이미터 전극 사이에 형성되는 이미터캡층을 더 포함하는 이종 접합 쌍극자 트랜지스터
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