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광을 검출하기 위한 수광영역이 정의된 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상부의 상기 수광영역 위에 형성되며, 전하를 가지는 투광성 비전도층; 및 상기 수광영역에서 감지된 전하를 전달하기 위한 적어도 하나의 전극을 포함하여 구성되되,상기 투광성 비전도층에 있는 트랩된 전하에 의해 상기 수광영역의 반도체층 표면이 공핍되어 형성된 공핍영역을 가지는 것을 특징으로 하는 광센서
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제 1 항에 있어서, 상기 트랩된 전하는 상기 투광성 비전도성 물질 고유의 계면 전하 또는 포획전하인 것을 특징으로 하는 광센서
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제 2 항에 있어서, 상기 트랩된 전하는 인위적으로 추가된 전하인 것을 특징으로 하는 광센서
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제 1 항에 있어서, 상기 투광성 비전도층은 실리콘산화막 또는 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 광센서
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제 1 항에 있어서, 상기 투광성 비전도층은 입사광의 파장에 맞게 조절하여 반반사막으로 이용되는 것을 특징으로 하는 광센서
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제 1 항에 있어서, 상기 반도체 기판의 표면으로 부터 고농도 확산영역과 저농도 확산영역이 차례로 적층된 구조로 되어 있는 것을 특징으로 하는 광센서
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제 6 항에 있어서, 상기 반도체 저농도 확산영역과 고농도 확산영역은 에피택셜층 또는 이온주입으로 형성된 층들인 것을 특징으로 하는 광센서
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제 1 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 전극은, 상기 공핍된 반도체 표면의 한쪽 끝단에 형성된 제 1 유형의 고농도 확산영역의 제 1 전극; 및 상기 공핍된 반도체 표면의 다른쪽 끝단에 형성된 제 2 유형의 고농도 확산영역의 제 2 전극으로 구성된 것을 특징으로 하는 광센서
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제 9 항에 있어서, 상기 제 1 전극과 제 2 전극은 각각 스트립형상으로 제조되고, 서로 깍지 낀 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 광센서
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제 1 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 전극은, 상기 공핍된 반도체 표면의 양쪽 끝단들에 형성된, 제 1 유형(기판의 농도 유형과 반대)의 고농도 확산영역의 제 1 전극; 및 반도체 기판의 뒷면에 상기 제 1 유형과 반대되는 유형의 고농도 확산영역의 제 2 전극으로 구성된 것을 특징으로 하는 하는 광센서
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제 11 항에 있어서, 상기 제 1 전극이 스트립형상으로 제조되는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 광센서
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제 11 항에 있어서, 상기 제 1 전극이 스트립형상으로 제조되는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 광센서
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