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반도체 소자의 옥시나이트라이드막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015079560
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 또는 응력이 인가된 실리콘(strained-Si)에 채널이 형성되는 소자, SOI(Silicon-On-Insulator) 기판을 기반으로 하는 금속-절연막-반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)와 같은 반도체 소자의 게이트 절연막으로 이용되는 옥시나이트라이드(oxynitride)막 형성 방법에 관한 것으로, 산소 및 질소 원소를 포함하는 가스나 이들의 혼합 가스를 반응로 내부로 공급하는 과정에서 자외선(ultraviolet; UV)을 조사하여 가스의 분자 구조를 분해 및 변형시키고, 분해 및 변형된 가스 및 래디칼 분위기에서 실리콘 기판 상에 고품질의 옥시나이트라이드막이 성장되도록 한다. 옥시나이트라이드, 산소, 질소, 자외선, 오존, 래디칼
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 21/28167(2013.01) H01L 21/28167(2013.01) H01L 21/28167(2013.01)
출원번호/일자 1020030097050 (2003.12.26)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2005-0065890 (2005.06.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.12.26)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송영주 대한민국 대전광역시유성구
2 심규환 대한민국 대전광역시유성구
3 강진영 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2003-0496078-90
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.08.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0058305-31
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0571132-77
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2006.02.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0089134-74
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
실리콘 기판을 반응로 내부로 로드하는 단계와, 산소 및 질소 원소가 포함된 가스를 상기 반응로 내부로 공급하는 동시에 자외선을 조사하여 상기 가스를 분해하는 단계와, 상기 분해된 가스 및 래디칼에 의해 상기 실리콘 기판 상에 옥시나이트라이드막이 성장되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 옥시나이트라이드막 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 가스는 산소 및 질소가 혼합된 가스인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 옥시나이트라이드막 형성 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 자외선을 조사하기 위해 다수의 UV 램프를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 옥시나이트라이드막 형성 방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 각 UV 램프의 파장 및 파워를 독립적으로 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 옥시나이트라이드막 형성 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 분해된 가스는 오존, 산소 래디칼 및 질소(N)와 산소(O) 원소를 포함하는 분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 옥시나이트라이드막 형성 방법
6 5
제 1 항에 있어서, 상기 분해된 가스는 오존, 산소 래디칼 및 질소(N)와 산소(O) 원소를 포함하는 분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 옥시나이트라이드막 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.