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기판의 상부에 하부전극을 형성시킨 후, 상기 하부전극의 상부에 자기 금속층 및 포토 레지스트를 순차적으로 적층시키는 단계;마스크 공정에 의해 포토 레지스트 패턴을 형성시킨 후, 상기 형성된 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 하부전극이 노출되도록 상기 자기 금속층을 식각하여 금속다층박막을 형성하는 단계;레지스트의 플로우 공정을 이용하여 상기 포토 레지스트 패턴의 일부가 상기 식각된 금속다층박막의 측벽 전체를 소정의 두께로 감싸도록 흘러내리게 하는 단계;상기 노출된 하부전극의 상부면과 상기 플로우된 포토 레지스트의 전체 상부면 및 측벽에 하드 마그네트층을 증착시키는 단계;상기 플로우된 포토 레지스트 및 상기 하드 마그네트층의 일부를 제거하여 패터닝된 하드 마그네트층을 형성하는 단계; 및상기 결과물에 절연층을 형성시킨 후, 상기 식각된 금속다층박막의 일부가 접속되도록 상부전극을 증착하여 패터닝하는 단계를 포함하여 이루어진 박막 자기 헤드의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 절연층은 포토 레지스터로 형성하고, 상기 식각된 금속다층박막 및 상기 패터닝된 하드 마그네트층의 전체 상부면을 비롯한 상기 식각된 금속다층박막과 상기 패터닝된 하드 마그네트층의 측벽 사이에 상기 포토 레지스터를 형성시킨 후, 상기 하드 마그네트층의 상부면 일부가 노출되도록 마스크 공정을 수행하여 마스크 패턴닝된 포토 레지스트를 형성하며, 상기 마스크 패턴닝된 포토 레지스트의 전체 상부면 및 상기 패터닝된 하드 마그네트층의 노출된 상부면에 상기 상부전극을 증착하여 패터닝하는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 상부전극의 증착 후에 상기 마스크 패턴닝된 포토 레지스트를 100∼200℃의 온도에서 30∼600초 동안 실시하는 경질화 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 하부전극 및 상기 상부전극은 물리적인 증착법 또는 화학적인 증착법을 사용하여 실시하고, 상기 물리적인 증착법으로는 스퍼터링 또는 증기 증착법을 사용하고, 상기 화학적 증착법으로는 전해 증착(Electro Plating)을 사용하며, 그 재료로는 퍼멀로이(NiFe) 계통인 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 자기 금속층은 TMR소자 또는 GMR소자로 이루어지되, 상기 TMR소자 및 상기 GMR 소자는 공통으로 Ta/NiFe를 씨앗층으로 형성시키고, 반강자성층으로 IrMn, PtMn, FeMn 및 NiMn 들 중 어느 하나로 적용됨과 아울러 강자성층으로는 CoFe 또는 NiFe를 사용하며, 캡 층(Cap layer)은 Ta를 사용하는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 마스크 공정은 I-LINE에서 UV-LINE 또는 전자선에 의한 포토공정을 사용하며, 상기 자기 금속층의 식각은 건식 식각법을 사용하는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 레지스트 플로우 공정은 상기 포토 레지스트 패턴의 특성에 따라 100℃∼200℃온도 사이에서 30초∼600초 동안 실시하여 상기 소정의 두께가 0
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제 1항에 있어서, 상기 하드 마그네트층은 물리적인 증착법에 의해 증착시키고, 상기 하드 마그네트층은 CoCrPt 계열의 합금을 사용하는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 플로우된 포토 레지스트 및 상기 하드 마그네트층의 일부 제거는 산소 애슁법(O₂Ashing) 또는 끓는 아세톤법(Boiled Acceton)에 의해 실시하는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 산소 애슁법은 RF 플라즈마 방법에 의해 실시하는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 산소 애슁법은 RF 플라즈마 방법에 의해 실시하는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 제조방법
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