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이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015079776
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자기정렬된 에미터/베이스 구조를 가지는 실리콘-게르마늄(SiGe) 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것이다. 베이스 상부에 고농도의 이온이 도핑된 다결정 혹은 비정질 실리콘막으로 익스트린식 베이스 역할을 하는 베이스 전극을 형성한다. 다결정 혹은 비정질 실리콘막은 증착시 두께 조절이 용이하여 익스트린식 베이스의 저항값을 충분히 감소시킬 수 있다. 익스트린식 베이스의 두께는 인트린식 베이스의 두께에 영향을 미치지 않기 때문에 인트린식 베이스는 얇게 형성하고, 익스트린식 베이스는 두껍게 형성하여 소자의 전기적 특성을 극대화시킬 수 있다. HBT, 인트린식 베이스, 익스트린식 베이스, 베이스 전극, 저항값
Int. CL H01L 29/737 (2006.01)
CPC H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01)
출원번호/일자 1020030097264 (2003.12.26)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0518952-0000 (2005.09.27)
공개번호/일자 10-2005-0066062 (2005.06.30) 문서열기
공고번호/일자 (20051006) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.12.26)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤용선 대한민국 대전광역시유성구
2 박건식 대한민국 대전광역시서구
3 유성욱 대한민국 대구광역시수성구
4 임병원 대한민국 대전광역시유성구
5 김상기 대한민국 대전광역시유성구
6 김보우 대한민국 대전광역시유성구
7 구진근 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2003-0497055-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.08.19 수리 (Accepted) 9-1-2005-0053311-44
4 등록결정서
Decision to grant		 2005.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0470303-97
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판에 매립형 컬렉터 형성을 위해 이온을 주입한 후 컬렉터로 사용될 에피층을 성장시키는 단계와, 상기 실리콘 기판의 필드영역에 필드산화막을 형성하는 단계와, 에미터 및 베이스가 형성될 활성영역의 상기 실리콘 기판과 상기 필드산화막의 일부에 베이스를 형성하는 단계와, 상기 베이스의 소정 부분에 보호막 패턴을 형성한 후 상기 보호막 패턴을 포함하는 상기 베이스 상에 제 1 베이스 전극을 형성하는 단계와, 상기 제 1 베이스 전극 및 보호막 패턴을 패터닝하여 상기 베이스의 소정 부분을 노출시키는 단계와, 전체 상부면에 제 1 절연막을 형성한 후 패터닝하여 상기 베이스의 소정 부분 및 상기 컬렉터가 형성된 실리콘 기판을 노출시키는 단계와, 상기 노출된 베이스와 접촉되는 제 1 에미터 전극 및 상기 컬렉터가 형성된 실리콘 기판과 접촉되는 제 1 컬렉터 전극을 형성하는 단계와, 전체 상부면에 제 2 절연막을 형성한 후 패터닝하여 상기 제 1 베이스 전극, 제 1 에미터 전극 및 제 1 컬렉터 전극을 노출시키는 단계와, 상기 제 1 베이스 전극과 접촉되는 제 2 베이스 전극, 제 1 에미터 전극과 접촉되는 제 2 에미터 전극 및 제 1 컬렉터 전극과 접촉되는 제 2 컬렉터 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 베이스는 실리콘, 실리콘 게르마늄 및 실리콘이 적층된 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 보호막 패턴은 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 베이스 전극은 도핑된 다결정 실리콘 또는 도핑된 비정질 실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 절연막 및 제 2 절연막은 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 에미터 전극 및 상기 제 1 컬렉터 전극은 폴리실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 베이스 전극, 상기 제 2 에미터 전극 및 상기 제 2 컬렉터 전극은 금속으로 형성하는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조 방법
8 7
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 베이스 전극, 상기 제 2 에미터 전극 및 상기 제 2 컬렉터 전극은 금속으로 형성하는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조 방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.