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우물 구조를 갖는 멤브레인 구조; 상기 우물 구조 내부에 배치되는 적어도 1쌍의 감지 전극; 상기 감지 전극 상부에 형성되는, 전도성 입자와 비전도성 고분자의 혼합체로 된 센서 감지막; 및 상기 우물 구조 내부에 온도를 제어하기 위한 가열기를 구비하되, 피분석물 분석은 상기 센서 감지막을 이용하여 적어도 2개의 온도에서 화학종 노출에 따른 상기 센서 감지막들의 물리량 변화를 측정하여 수행되는 것을 특징으로 하는 센서 구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 피분석물의 화학종 노출에 따른 상기 센서 감지막의 물리량 변화를 측정하여 얻은 감지 매개변수 패턴들을 이용하여 화학종 및 그 농도를 판단하는 것을 특징으로 하는 센서 구조체
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 감지 매개변수는 화학종 노출 전후의 전기 전도도를 이용하는 것을 특징으로 하는 센서 구조체
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 감지 매개변수로 전기 전도도의 변화를 이용하고, 온도 변화에 따른 매개변수로 전기 전도도 측정으로부터 구한 감지 매개변수의 반호프 곡선(Van't Hoff Plot)을 통하여 구한 기울기를 이용하는 것을 특징으로 하는 센서 구조체
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 센서 구조체는 적어도 2개 이상이 어레이 형태로 배열되며, 피분석물의 화학종 노출에 따른 센서 어레이 감지막들의 물리량 변화를 측정하여 얻은 감지 매개변수 패턴들을 이용하여 화학종 및 그 농도를 판단하는 것을 특징으로 하는 센서 구조체
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 전도성 입자는 적어도 탄소, 금, 은, 팔라듐, 구리 중의 어느 하나로 이루어진 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 센서 구조체
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 비전도성 고분자는 하기 표의 물질 중 하나 또는 그 이상의 혼합물인것을 특징으로 하는 센서 구조체
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 센서 감지막에는 첨가제로 di(2-ethylhexyl) phthalate or di(ethylene glycol) dibenzoate 를 추가로 포함되는 것을 특징으로 하는 센서 구조체
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반도체 기판의 일면에 감지전극을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판의 상기 일면에 상기 멤브레인에 해당하는 절연막을 형성하는 단계; 상기 멤브레인 상부에 가열기를 형성하는 단계; 상기 반도체 기판의 타면에서부터 식각하여 상기 감지전극이 드러나도록 하여 우물 구조를 형성하는 단계; 및 상기 우물 구조의 내부에, 전도성 입자와 비전도성 고분자의 혼합체로 된 센서 감지막을 형성하는 단계를 구비하되, 피분석물 분석은 상기 센서 감지막을 이용하여 적어도 2개의 온도에서 화학종 노출에 따른 상기 센서 감지막들의 물리량 변화를 측정하여 수행되는 것을 특징으로 하는 센서 구조체 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 센서 감지막은 전도성 입자와 비전도성 유기물 혼합체 소재를 녹인 용액을 상기 우물 구조 내부에 떨어뜨려서 휘발성 용매를 건조하여 감지막을 형성하는 것을 특징으로 하는 센서 구조체 제조 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 전도성 입자는 적어도 탄소, 금, 은, 팔라듐, 구리 중의 어느 하나로 이루어진 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 센서 구조체 제조 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 센서 감지막 소재로 트올 그룹을 가지는 유기물로 표면이 안정화된 금 나노입자를 사용하는 것을 특징으로 하는 센서 구조체 제조 방법
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제 9 항 내지 제 12 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 기판 온도는 20에서 60oC 범위 내에서 제어하는 것을 특징으로 하는 센서 구조체 제조 방법
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제 9 항 내지 제 12 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 기판 온도는 20에서 60oC 범위 내에서 제어하는 것을 특징으로 하는 센서 구조체 제조 방법
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