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하부 실리콘층, 절연층 및 상부 실리콘층이 적층된 구조의 기판 상에 실리콘 패턴과 상기 실리콘 패턴의 외부를 감싸는 절연막으로 이루어지는 팁을 형성하는 단계, 노출된 부분의 상기 상부 실리콘층에 이온을 주입하는 단계, 상기 상부 실리콘층을 패터닝하여 캔티레버를 형성하는 단계, 상기 팁 및 캔티레버와 대응하는 상기 기판 저면의 상기 하부 실리콘층 및 상기 절연층을 순차적으로 제거하는 단계, 상기 팁 내부의 상기 실리콘 패턴을 제거하여 상기 팁의 구멍을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 근접광 탐침 제작 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 팁은 상기 하부 실리콘층, 절연층 및 상부 실리콘층이 적층된 구조의 기판 상에 제 1 마스크 패턴을 형성하는 단계,노출된 부분의 상기 상부 실리콘층을 소정 두께 에칭하여 상기 제 1 마스크 패턴 하부에 포물선 형태의 상기 실리콘 패턴이 형성되도록 하는 단계,상기 실리콘 패턴의 표면에 상기 실리콘 산화막을 형성하는 단계를 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 근접광 탐침 제작 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 제 1 마스크 패턴은 실리콘 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 근접광 탐침 제작 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 실리콘 패턴을 형성하기 위한 에칭 공정시 상기 마스크 패턴의 하부에 언더 컷이 발생되도록 하여 상기 마스크 패턴과 상기 실리콘 패턴의 접합면의 폭이 600 내지 700㎚가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 근접광 탐침 제작 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 에칭 공정은 HF/HNO3/CH3COOH 혼합 용액, KOH용액 또는 TMAH 용액을 이용한 습식 공정 또는 DRIE 공정으로 진행하는 것을 특징으로 하는 근접광 탐침 제작 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 실리콘 산화막은 상기 실리콘 패턴의 표면을 산화시켜 형성하되, 상기 실리콘 패턴의 외곽이 포물선 형태를 가지며, 상기 마스크 패턴과 상기 실리콘 패턴의 접합면의 폭이 10 내지 100㎚가 되도록 성장시키는 것을 특징으로 하는 근접광 탐침 제작 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 산화는 950 내지 1000℃의 온도에서 진행하는 것을 특징으로 하는 근접광 탐침 제작 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 이온은 붕소 또는 14N+ 이온이며, 상기 이온 주입 후 열처리하는 것을 특징으로 하는 근접광 탐침 제작 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 붕소 이온은 6×1019ions/cm3 내지 3×1020ions/cm3 의 농도로 주입하는 것을 특징으로 하는 근접광 탐침 제작 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 캔티레버는 전체 상부면에 절연막을 형성한 후 상기 팁의 구멍이 형성될 부분의 상기 절연막은 제거되는 동시에 캔티레버 형태의 패턴이 잔류되도록 상기 절연막을 패터닝하는 단계, 노출된 부분의 상기 상부 실리콘층을 제거하여 상기 절연막과 상부 실리콘층으로 이루어지는 캔티레버를 형성하는 단계를 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 근접광 탐침 제작 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 팁 내부의 상기 실리콘 패턴은 KOH, TMAH 또는 EDP 용액으로 제거하는 것을 특징으로 하는 근접광 탐침 제작 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 팁 내부의 상기 실리콘 패턴을 제거할 때 상기 이온이 주입된 상부 실리콘층을 에칭 저지층으로 이용하는 것을 특징으로 하는 근접광 탐침 제작 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 팁 및 캔티레버 표면에 광의 투과를 방지하기 위한 물질을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 근접광 탐침 제작 방법
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제 13 항에 있어서, 상기 광의 투과를 방지하기 위한 물질은 금속인 것을 특징으로 하는 근접광 탐침 제작 방법
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하부 실리콘층, 절연층 및 상부 실리콘층이 적층된 구조의 기판 상에 제 1 마스크 패턴을 형성하는 단계, 노출된 부분의 상기 상부 실리콘층을 소정 두께 에칭하여 상기 제 1 마스크 패턴 하부에 팁 형상이 만들어지도록 하는 단계, 상기 팁 형상의 상기 상부 실리콘층 표면에 실리콘 산화막을 성장시키는 단계, 캔티레버가 형성될 부분의 상기 상부 실리콘층에 이온을 주입하는 단계, 상기 제 1 마스크 패턴을 제거한 후 전체 상부면에 실리콘 질화막을 형성하는 단계, 상기 팁의 구멍이 형성될 부분의 상기 실리콘 질화막은 제거되는 동시에 캔티레버 형태의 패턴이 잔류되도록 상기 실리콘 질화막을 패터닝하는 단계, 노출된 부분의 상기 상부 실리콘층을 제거하여 상기 실리콘 질화막과 상부 실리콘층으로 이루어진 캔티레버를 형성하는 단계, 상기 기판의 하부 실리콘층 저면에 제 2 마스크 패턴을 형성한 후 노출된 부분의 상기 하부 실리콘층 및 상기 절연층을 순차적으로 제거하는 단계, 상기 팁 내부의 상기 상부 실리콘층을 제거하여 상기 팁의 구멍을 형성하는 단계, 상기 팁 및 캔티레버 표면에 광의 투과를 방지하기 위한 물질을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 근접광 탐침 제작 방법
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하부 실리콘층, 절연층 및 상부 실리콘층이 적층된 구조의 기판 상에 제 1 마스크 패턴을 형성하는 단계, 노출된 부분의 상기 상부 실리콘층을 소정 두께 에칭하여 상기 제 1 마스크 패턴 하부에 팁 형상이 만들어지도록 하는 단계, 상기 팁 형상의 상기 상부 실리콘층 표면에 실리콘 산화막을 성장시키는 단계, 캔티레버가 형성될 부분의 상기 상부 실리콘층에 이온을 주입하는 단계, 상기 제 1 마스크 패턴을 제거한 후 전체 상부면에 실리콘 질화막을 형성하는 단계, 상기 팁의 구멍이 형성될 부분의 상기 실리콘 질화막은 제거되는 동시에 캔티레버 형태의 패턴이 잔류되도록 상기 실리콘 질화막을 패터닝하는 단계, 노출된 부분의 상기 상부 실리콘층을 제거하여 상기 실리콘 질화막과 상부 실리콘층으로 이루어진 캔티레버를 형성하는 단계, 상기 기판의 하부 실리콘층 저면에 제 2 마스크 패턴을 형성한 후 노출된 부분의 상기 하부 실리콘층 및 상기 절연층을 순차적으로 제거하는 단계, 상기 팁 내부의 상기 상부 실리콘층을 제거하여 상기 팁의 구멍을 형성하는 단계, 상기 팁 및 캔티레버 표면에 광의 투과를 방지하기 위한 물질을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 근접광 탐침 제작 방법
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