| 1 |
1
발광소자용 실리콘 질화막에 있어서,실리콘 질화물 기저체; 및 상기 실리콘 질화물 기저체 내에 형성된 실리콘 나노 결정구조들을 포함하며, 상기 실리콘 나노 결정 구조는 실란 가스와 질소 가스 또는 암모니아 가스를 이용하여 형성되는 발광소자용 실리콘 질화막
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 나노 결정구조는 1011 내지 1013 개 /cm2의 밀도로 형성된 직경 2 내지 7 ㎚의 실리콘을 포함하는 발광소자용 실리콘 질화막
|
| 3 |
3
제1 항에 있어서, 두께가 3 내지 100㎚인 발광소자용 실리콘 질화막
|
| 4 |
4
제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 기재된 발광소자용 실리콘 질화막을 발광층으로 이용하여 제작된 실리콘 발광소자
|
| 5 |
5
발광소자용 실리콘 질화막의 제조방법에 있어서,성막 장치의 챔버 내부로 실리콘 질화막을 형성하기 위한 기판을 배치하는 단계; 및실란 가스와 질소 가스 또는 암모니아 가스를 이용하여, 실리콘 질화물 기저체를 성장시키면서 동시에 상기 실리콘 질화물 기저체 내에 실리콘 나노결정 구조들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 발광소자용 실리콘 질화막의 제조방법
|
| 6 |
6
제5 항에 있어서,상기 실란 가스와 상기 질소 가스는 1:1000 내지 1:4000의 비율로 성막장치에 공급하여, 1
|
| 7 |
7
제5 항에 있어서,상기 실란 가스와 상기 암모니아 가스를 1:1 내지 1:5의 비율로 박막 성장 시스템에 공급하여 기판 상에 5 내지 10㎚/분의 성장속도로 성장하는 발광소자용 실리콘 질화막의 제조방법
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
제5 항에 있어서, 상기 성막 장치는 화학기상 증착법, 분자선 켜쌓기법 또는 이온 주입법인 발광소자용 실리콘 질화막의 제조방법
|
| 10 |
10
제5 항에 있어서, 상기 성막 장치는 플라즈마 인핸스 화학기상 증착법인 발광소자용 실리콘 질화막의 제조방법
|
| 11 |
11
제5 항에 있어서,상기 실란 가스는 불활성 기체에 0%초과이고 50% 미만으로 희석된 발광소자용 실리콘 질화막의 제조방법
|
| 12 |
11
제5 항에 있어서,상기 실란 가스는 불활성 기체에 0%초과이고 50% 미만으로 희석된 발광소자용 실리콘 질화막의 제조방법
|
