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광을 생성하는 능동영역(active region)을 포함하고, 상기 능동영역에서 생성된 광을 방출하는 적어도 하나의 광출사면을 갖는 반도체 레이저 다이오드; 기판과, 상기 기판 상의 소정 영역에 형성된 금속패턴과, 상기 금속패턴이 형성된 영역을 제외한 영역에 순차적으로 형성된 하부클래드층, 코어 및 상부클래드층을 포함하는 도파로 구조물과, 상기 도파로 구조물의 소정 영역에 상기 코어가 노출된 대향하는 측면을 갖도록 형성된 트랜치부를 갖는 평판형 도파로 플랫폼; 및 상기 트랜치부에 배치된 다중 박막(Thin Film Multi-Layer) 반사 필터를 포함하며, 상기 광출사면과 상기 도파로 구조물의 일측면이 서로 대면하도록 상기 반도체 레이저 다이오드가 상기 금속패턴에 플립칩 본딩된 것을 특징으로 하는 온도 무의존 외부 공진 레이저
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제1항에 있어서, 상기 반도체 레이저 다이오드는 상기 광생성영역 및 상기 광출사면 사이에 광모드 크기 변환기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 무의존 외부 공진 레이저
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제1항에 있어서, 상기 반도체 레이저 다이오드는 광출사면에 형성된 반사방지막 및 그 반대측면에 형성된 고반사막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 무의존 외부 공진 레이저
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제1항에 있어서, 상기 도파로 구조물은, 폴리머 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 온도 무의존 외부 공진 레이저
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제1항에 있어서, 상기 다중 박막 반사 필터는, 글라스 또는 폴리머 계열 기판 상에 번갈아 복수회 적층된 서로 다른 두 종류의 금속 산화막을 포함하며, 외부 온도 변화에 따른 반사 중심파장의 변화율이 3 pm/deg 이하인 것을 특징으로 하는 온도 무의존 외부 공진 레이저
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제5항에 있어서, 상기 금속 산화막은, SiO2, Al2O3, Ta2O5 및 TiO2로 구성된 그룹으로부터 선택된 두 종류의 금속 산화막인 것을 특징으로 하는 온도 무의존 외부 공진 레이저
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제5항에 있어서, 상기 글라스 또는 폴리머 계열 기판은, 50㎛ 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 온도 무의존 외부 공진 레이저
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제1항에 있어서, 상기 트랜치부의 측면과 상기 다중 박막 반사 필터 사이에, 열경화 에폭시 물질 또는 UV 경화 에폭시 물질 또는 상기 열경화 및 UV 경화 에폭시 물질의 조합으로 이루어진 에폭시 물질이 충전되는 것을 특징으로 하는 온도 무의존 외부 공진 레이저
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제8항에 있어서, 상기 에폭시 물질은, 상기 평판형 광도파로 플랫폼의 코어층의 유효굴절률과의 차이가 0
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제1항에 있어서, 상기 광출사면과 대면하는 상기 평판형 도파로 플랫폼의 일측면으로부터 상기 다중 박막 반사 필터까지의 광도파로 길이는 하기 식 1에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 온도 무의존 외부 공진 레이저
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제10항에 있어서, 상기 평판형 도파로 플랫폼은, Δnwg/ΔT의 값이 -0
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제1항에 있어서, 상기 평판형 도파로 플랫폼의 상기 반도체 레이저 다이오드가 플립칩 본딩된 영역의 반대측에는 광섬유를 연결하는 그루브가 형성되는 것을 특징으로 하는 온도 무의존 외부 공진 레이저
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제1항에 있어서, 상기 평판형 도파로 플랫폼의 상기 반도체 레이저 다이오드가 플립칩 본딩된 영역의 반대측에는 광섬유를 연결하는 그루브가 형성되는 것을 특징으로 하는 온도 무의존 외부 공진 레이저
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