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산성 또는 염기성에서 분산이 잘되는 나노 입자 산화물 콜로이드 용액을 준비하는 단계; 상기 산성 또는 염기성에서 분산이 잘되는 나노 입자 산화물 콜로이드 용액에 각각 염기성 수용액 및 산성 용액을 첨가하여 산-염기 반응에 의해 염 형태의 나노 입자 산화물 페이스트를 형성하는 단계; 상기 나노 입자 산화물 페이스트를 기판에 코팅하는 단계; 및 상기 코팅된 나노 입자 산화물 페이스트를 건조시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 나노 입자 산화물 전극 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 산성에서 분산이 잘되는 나노 입자 산화물 콜로이드 용액에 포함된 나노 입자 산화물은 티타늄 산화물(TiO2), 아연 산화물(ZnO) 또는 니오븀 산화물(Nb2O5)인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 나노 입자 산화물 전극 형성 방법
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제1항에서 있어서, 상기 염기성에서 분산이 잘되는 나노 입자 산화물 콜로이드 용액에 포함된 나노 입자 산화물은 주석 산화물(SnO2) 또는 텅스텐 산화물(WO3)인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 나노 입자 산화물 전극 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 산성 나노입자 산화물 콜로이드 용액을 페이스트화할 수 있는 염기성 수용액에 포함된 염기성 물질은 물에 해리하여 수산화 이온을 내놓을 수 있는 유기 또는 무기 물질인 것을 특징으로 하는 나노 입자 산화물 전극 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 염기성 나노입자 산화물 콜로이드 용액을 페이스트화할 수 있는 산성 수용액에 포함된 산성 물질은 물에 해리하여 수소 이온을 내놓을 수 있는 유기 또는 무기 물질 인 것을 특징으로 하는 나노 입자 산화물 전극 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 전도성 플라스틱 기판, 전도성 유리 기판, 전도성 금속 기판, 반도체 기판 또는 부도체 기판인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 나노 입자 산화물 전극 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 나노 입자 산화물 페이스트는 닥터 블레이드법을 이용하여 기판에 코팅하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 나노 입자 산화물 전극 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 코팅된 나노 입자 산화물을 건조시킬 때 건조 조건은 공기 분위기, 산소 분위기, 질소 분위기, 아르곤 분위기 또는 진공 분위기의 상온 내지 150℃ 이하의 저온에서 수행하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 나노 입자 산화물 전극 형성 방법
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티타늄 산화물(TiO2) 콜로이드 용액을 합성하는 단계; 상기 티타늄 산화물 콜로이드 용액에 암모니아(NH3) 수용액을 첨가하여 산-염기 반응에 따라 염 형태의 나노 입자의 티타늄 산화물 페이스트를 형성하는 단계; 상기 티타늄 산화물 페이스트를 기판에 코팅하는 단계; 및 상기 코팅된 나노 입자 티타늄 산화물 페이스트를 상온 내지 150℃ 이하의 저온에서 건조시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 나노 입자 산화물 전극 형성 방법
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주석 산화물(SnO2) 콜로이드 용액을 합성하는 단계; 상기 주석 산화물 콜로이드 용액에 아세트산 수용액을 첨가하여 산-염기 반응에 따라 염 형태의 나노 입자의 주석 산화물 페이스트를 형성하는 단계; 상기 주석 산화물 페이스트를 기판에 코팅하는 단계; 및 상기 코팅된 나노 입자 주석 산화물 페이스트를 상온 내지 150℃ 이하의 저온에서 건조시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 나노 입자 산화물 전극 형성 방법
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주석 산화물(SnO2) 콜로이드 용액을 합성하는 단계; 상기 주석 산화물 콜로이드 용액에 아세트산 수용액을 첨가하여 산-염기 반응에 따라 염 형태의 나노 입자의 주석 산화물 페이스트를 형성하는 단계; 상기 주석 산화물 페이스트를 기판에 코팅하는 단계; 및 상기 코팅된 나노 입자 주석 산화물 페이스트를 상온 내지 150℃ 이하의 저온에서 건조시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 나노 입자 산화물 전극 형성 방법
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