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이중구조의 염료감응 태양전지

  • 기술번호 : KST2015080128
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 염료감응 태양전지를 제공한다. 본 발명의 염료감응 태양전지는 전도성 제1 기판의 양쪽 위에 나노입자 산화물층을 형성하고 염료를 흡착시켜 제조한 반도체 전극과, 상기 전도성 제1 기판의 위 및 아래에 빛의 투과가 가능한 전도성 제2 기판에 형성한 전극층을 포함하는 대향 전극이 위치한다. 이에 따라, 본 발명의 염료감응 태양전지는 태양의 위치 변화에 따라 양방향의 태양광을 활용할 수 있어 에너지 변환 효율을 현저히 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01G 9/2022(2013.01) H01G 9/2022(2013.01) H01G 9/2022(2013.01) H01G 9/2022(2013.01) H01G 9/2022(2013.01)
출원번호/일자 1020040061425 (2004.08.04)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0567330-0000 (2006.03.28)
공개번호/일자 10-2006-0012785 (2006.02.09) 문서열기
공고번호/일자 (20060404) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.08.04)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강만구 대한민국 대전광역시 유성구
2 박남규 대한민국 대전광역시 유성구
3 장순호 대한민국 대전광역시 유성구
4 류광선 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (유)성원정보기술 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2004-0349540-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.10.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2005-0075405-42
4 등록결정서
Decision to grant
2006.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0128325-47
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전도성 제1 기판의 양쪽에 형성된 나노입자 산화물층과 상기 나노입자 산화물층 상에 흡착된 염료분자를 포함하는 반도체 전극; 상기 반도체 전극의 상하부 양쪽에 각각 대향하여 위치하고 투광성을 갖는 전도성 제2 기판과 상기 전도성 제2 기판 상에, 상기 반도체 전극쪽을 향하여 형성된 전극층을 포함하는 대향 전극; 및 상기 반도체 전극과 대향 전극 사이에 개재된 전해질 용액을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 전도성 제1 기판은 스테인리스 스틸(stainless steel) 기판 또는 알루미늄 기판으로 구성되는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
3 3
제1항에 있어서, 상기 전도성 제2 기판은 유리 기판 상이나, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트 또는 폴리에테르설폰으로 이루어진 고분자 기판 상에 ITO 혹은 F 도핑된 이산화주석(FTO)과 같은 전도성 물질을 도포한 기판인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
4 4
제1항에 있어서, 상기 나노입자 산화물층은 이산화티탄(TiO2), 이산화주석(SnO2) 또는 산화아연(ZnO)층인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
5 5
구부림이 가능한 금속으로 이루어진 전도성 제1 기판, 상기 전도성 제1 기판의 양쪽에 형성된 전도성 박막, 상기 전도성 박막 상에 형성된 나노입자 산화물층, 및 상기 나노입자 산화물층 상에 흡착된 염료분자를 포함하는 반도체 전극; 상기 반도체 전극의 상하부 양쪽에 각각 대향하여 위치하고 투광성을 갖는 전도성 제2 기판과 상기 전도성 제2 기판 상에, 상기 반도체 전극쪽을 향하여 형성된 전극층을 포함하는 대향 전극; 및 상기 반도체 전극과 대향 전극 사이에 개재된 전해질 용액을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
6 6
제5항에 있어서, 상기 전도성 박막은 ITO(indium tin oxide) 또는 F 도핑된 이산화주석(FTO)(SnO2 : F-doped)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
7 7
제5항에 있어서, 상기 전도성 제1 기판과 상기 전도성 박막 사이에 절연 물질이나 반도체 물질의 박막이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
8 7
제5항에 있어서, 상기 전도성 제1 기판과 상기 전도성 박막 사이에 절연 물질이나 반도체 물질의 박막이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.