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(a) 기판의 상부에 소정 두께의 제1 감광막, 차단막 및 제2 감광막을 형성하는 단계; (b) 상기 제2 감광막 및 상기 차단막 상에 티형 게이트의 몸통형상을 형성하는 단계; (c) 상기 제2 감광막의 특정 부위를 노광하여 티형 게이트의 머리형상을 형성하고, 상기 티형 게이트의 머리형상 이외의 제2 감광막 영역에서 연쇄결합이 일어나도록 열처리 공정을 수행하는 단계; (d) 상기 결과물의 전체 상부면에 노광 공정을 수행한 후 상기 노광된 부분을 제거하는 단계; 및 (e) 상기 결과물의 전체 상부면에 소정 두께의 금속막을 형성한 후 상기 제1 감광막, 상기 차단막, 상기 연쇄결합이 일어난 제2 감광막 영역 및 상기 금속막을 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 티형 게이트의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계(a)에서 상기 차단막의 두께는 10∼30nm 정도인 것을 특징으로 하는 티형 게이트의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계(b)에서 상기 티형 게이트의 몸통형상은 소정의 전자빔을 이용하여 직접 묘사법으로 상기 제2 감광막의 일 부분을 노광한 후 현상 공정을 통하여 형성하고, 건식식각 공정을 이용하여 상기 노광된 제2 감광막의 일 부분을 상기 차단막에 전이시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 티형 게이트의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계(c)에서 상기 제2 감광막의 노광 시, 상기 티형 게이트의 머리형상을 가진 마스크에 소정의 자외선 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 티형 게이트의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계(c)에서 상기 열처리 공정은 소정의 열판을 이용하여 120℃에서 1분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 티형 게이트의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계(d)에서 전면 노광 시 소정의 자외선 광을 이용하여 상기 제2 감광막의 특정 부위 및 상기 제1 감광막에 각각 티형 게이트의 머리형상 및 티형 게이트의 몸통형상이 형성되도록 노광하는 것을 특징으로 하는 티형 게이트의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계(d)에서 소정의 현상액을 이용하여 상기 제2 감광막 영역에 음각형태를 갖는 티형 게이트의 머리형상과 상기 제1 감광막에 언더 컷 형태를 갖는 티형 게이트의 몸통형상이 동시에 형성되도록 현상하는 것을 특징으로 하는 티형 게이트의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계(e)에서 상기 금속막은 소정의 전자빔 증착장비를 이용하여 증착하고, 소정의 감광막 제거액을 이용하여 상기 제1 감광막, 상기 차단막, 상기 연쇄결합이 일어난 제2 감광막 영역 및 상기 금속막을 동시에 리프트 오프하여 제거하는 것을 특징으로 하는 티형 게이트의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 차단막은 금속성의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 티형 게이트의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 차단막은 금속성의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 티형 게이트의 제조방법
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