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ＡＦＭ을 이용한 반도체 소자용 시편 측정 방법

  • 기술번호 : KST2015080227
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자용 시편 측정방법에 관한 것으로, 반도체 소자용 시편의 측정하고자 하는 영역 상부를 식각 마스크를 이용하여 선택적으로 노출시키되, 일정 방향으로 노출된 부위의 면적이 변화하도록 패터닝하는 단계와, 변화된 면적에 따라 소정각으로 경사지도록 상기 측정하고자 하는 영역 상부를 확산제어 습식식각을 이용하여 식각하는 단계와, 상기 경사면을 AFM으로 측정하는 단계를 포함하는 AFM을 이용한 반도체 소자용 시편 측정방법을 제공한다. 본 발명을 이용하면, 종래의 STM과 같은 고가의 장비를 이용하지 않고도 원자스케일의 이미지를 얻을 수 있다. 확산제어 습식식각, 반도체 구조, AFM, 연마
Int. CL H01L 21/66 (2006.01)
CPC G01Q 60/24(2013.01) G01Q 60/24(2013.01)
출원번호/일자 1020040064969 (2004.08.18)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0565176-0000 (2006.03.22)
공개번호/일자 10-2005-0063663 (2005.06.28) 문서열기
공고번호/일자 (20060330) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020030095041   |   2003.12.22
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.08.18)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김혜진 대한민국 대전광역시 유성구
2 전헌수 대한민국 서울특별시 관악구
3 정상돈 대한민국 대전광역시 유성구
4 정명애 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2004-0368444-18
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0021938-94
3 의견서
Written Opinion		 2006.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2006-0184633-50
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.03.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0184624-49
5 등록결정서
Decision to grant		 2006.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0156510-99
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 소자용 시편의 측정하고자 하는 영역 상부를 식각 마스크를 이용하여 선택적으로 노출시키되, 일정 방향으로 노출된 부위의 면적이 변화하도록 패터닝하는 단계; 상기 변화된 면적에 따라 소정각으로 경사지도록 상기 측정하고자 하는 영역 상부를 확산제어 습식식각을 이용하여 식각하는 단계; 및 상기 경사면을 AFM으로 측정하는 단계;를 포함하는 AFM을 이용한 반도체 소자용 시편 측정방법
2 2
제1 항에 있어서, 상기 확산제어 습식식각은 브롬(Br2)을 이용한 습식식각을 수행하는 AFM을 이용한 반도체 소자용 시편 측정방법
3 3
제2 항에 있어서, 상기 식각은 10 HBr : 1 H2O2 : 150 H2O 용액으로 수행하는 AFM을 이용한 반도체 소자용 시편 측정방법
4 4
제1 항에 있어서, 상기 경사진 면은 0
5 5
제1 항에 있어서, 상기 반도체 소자용 시편은 화합물 반도체를 포함하는 AFM을 이용한 반도체 소자용 시편 측정방법
6 6
제5 항에 있어서, 상기 화합물 반도체가 GaAs 계열의 경우는 HBr 용액, Ce(SO4)2, K3Fe(CN)6, NaOCl 또는 H2O2의 식각용액을 이용하여 확산제어 습식식각을 수행하는 AFM을 이용한 반도체 소자용 시편 측정방법
7 7
제5 항에 있어서, 상기 화합물 반도체가 InP 계열의 경우 HBr 용액 또는 NaOCl의 식각용액을 이용하여 확산제어 습식식각을 수행하는 AFM을 이용한 반도체 소자용 시편 측정방법
8 8
제5 항에 있어서, 상기 화합물 반도체는 GaAs, InP, GaP 또는 GaN을 포함하는 AFM을 이용한 반도체 소자용 시편 측정방법
9 8
제5 항에 있어서, 상기 화합물 반도체는 GaAs, InP, GaP 또는 GaN을 포함하는 AFM을 이용한 반도체 소자용 시편 측정방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.