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알루미늄 실리케이트 박막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015080244
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마 원자층 증착법(PEALD))을 이용한 알루미늄 실리케이트(알루미늄과 실리콘 산화물) 박막 형성 방법에 관한 것으로, 알루미늄 산화물과 실리콘 산화물의 증착 사이클을 1:1, 1:2, 1:3과 같이 작은 정수비로 제어하므로써 상호 촉매작용에 의해 증착속도가 향상되고 사이클 바에 따라 실리콘의 함량이 조절될 수 있다. 150 ℃ 이하의 저온에서도 우수한 특성을 나타내며, 알루미늄 산화물을 이용하는 경우보다 플라스틱 기판과 무기물 박막 간의 잔류응력이 적으며, 열팽창 계수도 낮다. 또한, 알루미나 산화물보다 식각속도가 빠르기 때문에 폴리실리콘이나 금속박막에 대해 높은 식각 선택비를 갖는다. 알루미늄 실리케이트, 플라즈마 원자층 증착법, 사이클, 증착속도, 잔류응력
Int. CL C23C 14/22 (2006.01) C23C 14/24 (2006.01)
CPC C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01)
출원번호/일자 1020040103662 (2004.12.09)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0624391-0000 (2006.09.08)
공개번호/일자 10-2006-0064967 (2006.06.14) 문서열기
공고번호/일자 (20060918) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.12.09)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임정욱 대한민국 대전 유성구
2 윤선진 대한민국 대전 유성구
3 이진호 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2004-0580777-24
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0145944-32
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.05.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0332364-56
4 의견서
Written Opinion		 2006.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2006-0332369-84
5 등록결정서
Decision to grant		 2006.09.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0523567-99
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
챔버 내부에 기판을 장착하는 제 1 단계, 상기 기판 상에 알루미늄 산화물을 증착하는 제 2 단계, 상기 알루미늄 산화물 상에 실리콘 산화물을 증착하는 제 3 단계를 포함하며, 상기 제 2 단계와 상기 제 3 단계가 m:n의 비율로 교대로 진행되는 것을 특징으로 하는 알루미늄 실리케이트 박막 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 알루미늄 실리케이트 박막 형성 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 단계는 상기 챔버 내부로 알루미늄 전구체를 공급하는 단계,상기 챔버 내부를 1차 정화시키는 단계,상기 챔버 내부로 산소 플라즈마를 공급하여 상기 알루미늄 산화물이 증착되도록 하는 단계,상기 챔버 내부를 2차 정화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 실리케이트 박막 형성 방법
4 4
제 3 에 있어서, 상기 알루미늄 전구체는 Trimethyl Aluminum(TMA)인 것을 특징으로 하는 알루미늄 실리케이트 박막 형성 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 제 3 단계는 상기 챔버 내부로 실리콘 전구체를 공급하는 단계,상기 챔버 내부를 1차 정화시키는 단계,상기 챔버 내부로 산소 플라즈마를 공급하여 상기 실리콘 산화물이 증착되도록 하는 단계,상기 챔버 내부를 2차 정화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 실리케이트 박막 형성 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 실리콘 전구체는 TEOS, Tetramethyl Silicon(TMS), Tetraethyl Silicon(TES), Tetradimethylamino Silicon(TDMAS) 및 Tetraethylmethylamino Silicon(TEMAS) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 알루미늄 실리케이트 박막 형성 방법
7 7
제 3 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 산소 플라즈마를 생성하기 위해 산소, 질소 및 아르곤을 포함하는 반응가스가 사용되는 것을 특징으로 하는 알루미늄 실리케이트 박막 형성 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 m:n은 1:1, 1:2, 1:3인 것을 특징으로 하는 알루미늄 실리케이트 박막 형성 방법
9 8
제 1 항에 있어서, 상기 m:n은 1:1, 1:2, 1:3인 것을 특징으로 하는 알루미늄 실리케이트 박막 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.