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전도성 잉크와 이를 이용한 유기 반도체 트랜지스터 및 그제작 방법

  • 기술번호 : KST2015080292
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 반도체 트랜지스터에 관한 것으로, 특히 유기 반도체에 손상을 최소화하면서 유기 반도체 위에 전극을 형성하기 위한 전도성 잉크에 관한 것이다. 이 전도성 잉크는 금속 나노 입자와 전도성 고분자를 혼합하여 이루어지며, 직접 인쇄를 이용한 유기 트랜지스터 제작에서 전극 재료로 사용될 수 있다. 본 발명에 따르면, 소자 제작 가격을 획기적으로 줄일 수 있다. 유기 반도체, 전극, 직접 인쇄, 전도성 잉크
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) H01L 51/00 (2011.01) H01L 21/336 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020040103688 (2004.12.09)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2006-0064987 (2006.06.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.12.09)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성현 대한민국 대전 서구
2 정태형 대한민국 대전 유성구
3 이정헌 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2004-0580849-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.04.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.05.16 수리 (Accepted) 9-1-2006-0032557-66
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0302366-46
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2006.08.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0455166-65
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유기 전계 효과 트랜지스터의 전극 형성을 위한 직접 인쇄 공정에 이용되는 전도성 잉크에 있어서, 금속 나노 입자와 전도성 고분자를 혼합하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전도성 잉크
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 금속 나노 입자는 은, 금, 구리, 알루미늄, 백금, 팔라듐, 니켈, 크롬 중 적어도 하나의 금속을 포함하는 전도성 잉크
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 전도성 고분자는 PEDOT:PSS, 폴리아닐린(Polyaniline), 폴리피롤(Polypyrrole), Poly(3,4-ethylenethiophene) 중 어느 하나를 포함하는 전도성 잉크
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 전도성 고분자는 상기 금속 나노 입자의 화학적 결합을 유도하는 싸이올 기를 포함하는 전도성 잉크
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 전도성 고분자는 열 및 자외선 분위기하에서 가교를 이룰 수 있는 기를 포함하는 전도성 잉크
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 금속 나노 입자의 크기는 1~100 나노메터이며, 상기한 전도성 고분자 중의 상기 금속 나노 입자의 농도는 1~90%의 범위인 전도성 잉크
7 7
기판 상에 형성되며, 소스와 드레인 및 상기 소스와 상기 드레인 사이에 형성되는 채널을 구비하는 유기 반도체층; 상기 채널에 접하여 형성되는 게이트 절연층; 및 상기 기판 상에 형성되며, 상기 게이트 절연층을 사이에 두고 상기 채널과 마주하는 게이트를 포함하되, 상기 소스 및 상기 드레인에 접속되는 소스/드레인 전극이 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 전도성 잉크로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 효과 트랜지스터
8 8
유기 전계 효과 트랜지스터의 제작 방법에 있어서, 기판 상에 게이트를 형성하는 단계; 상기 게이트가 형성되어 있는 상기 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연층 상에 소스와 드레인 및 상기 소스와 상기 드레인 사이에 형성되며 상기 게이트와 마주하는 채널을 구비하는 유기 반도체층을 형성하는 단계; 및 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 전도성 잉크를 이용하여 상기 소스 및 상기 드레인에 접속되는 소스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 전계 효과 트랜지스터의 제작 방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 소스/드레인 전극을 형성하는 단계는 상기 금속 나노 입자와 상기 전도성 고분자의 전기적 접촉 저항을 줄이기 위하여 싸이올 기와 상기 금속 나오 입자와의 화학적 결합을 유도하는 단계를 포함하는 유기 전계 효과 트랜지스터의 제작 방법
10 10
제 8 항에 있어서, 상기 소스/드레인 전극을 형성하는 단계는 자외선이나 열을 이용하여 상기 전도성 고분자를 가교시키는 단계를 포함하는 유기 전계 효과 트랜지스터의 제작 방법
11 11
제 8 항에 있어서, 상기 소스/드레인 전극을 형성하는 단계는 잉크젯 프린팅법(Ink-jet printing method), 스크린 인쇄법(Screen printing method), 플렉소 인쇄법(Flexo printing method), 그라비아 인쇄법(Gravure printing method), 오프셋 인쇄법(Offset printing method), 패드 인쇄법(Pad printing Method), 스텐실 인쇄법(Printing through a stencil) 중에서 선택된 적어도 하나의 직접 인쇄법으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 효과 트랜지스터의 제작 방법
12 11
제 8 항에 있어서, 상기 소스/드레인 전극을 형성하는 단계는 잉크젯 프린팅법(Ink-jet printing method), 스크린 인쇄법(Screen printing method), 플렉소 인쇄법(Flexo printing method), 그라비아 인쇄법(Gravure printing method), 오프셋 인쇄법(Offset printing method), 패드 인쇄법(Pad printing Method), 스텐실 인쇄법(Printing through a stencil) 중에서 선택된 적어도 하나의 직접 인쇄법으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 효과 트랜지스터의 제작 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20060124922 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2006124922 US 미국 DOCDBFAMILY
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