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유기 전계효과 트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015080294
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 전계효과 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 게이트 전극, 유전층, 소오스/드레인 전극 및 유기 반도체가 포함된 유기 전계효과 트랜지스터 패턴을 형성하는 단계와, 상기 소오스/드레인 전극 및 상기 유기 반도체의 전체 상부면에 소정의 접착제가 형성된 접합층을 부착시킨 후 상기 기판에서 상기 유기 전계효과 트랜지스터 패턴을 분리시키는 단계와, 분리된 상기 유기 전계효과 트랜지스터 패턴을 미리 마련된 플라스틱 기판 상에 전사시키는 단계를 포함함으로써, 온도에 영향을 받지 않고 증착할 수 있으므로 유전층의 종류에 제약을 받지 않을 뿐만 아니라 전사시키는 방법 중에서도 그 공정 자체가 매우 간단하며, 전사방법 자체가 외부 공기나 수분으로부터 유기물을 보호하는 보호층 역할까지 하여 그 특성을 오래 유지시킬 수 있는 효과가 있다. 유기 전계효과 트랜지스터(OFET), 전사효과, 소오스 전극, 드레인 전극, 유전층, 기판, 테이프
Int. CL H01L 51/40 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020040103695 (2004.12.09)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0668408-0000 (2007.01.08)
공개번호/일자 10-2006-0064992 (2006.06.14) 문서열기
공고번호/일자 (20070116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 발송
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.12.09)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성현 대한민국 대전 서구
2 이정헌 대한민국 대전 유성구
3 정태형 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2004-0580896-59
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0297406-66
3 의견서
Written Opinion
2006.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0520322-59
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.07.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0520312-03
5 등록결정서
Decision to grant
2006.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0746295-94
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판 상에 게이트 전극, 유전층, 소오스/드레인 전극 및 유기 반도체가 포함된 유기 전계효과 트랜지스터 패턴을 형성하는 단계; (b) 상기 소오스/드레인 전극 및 상기 유기 반도체의 전체 상부면에 소정의 접착제가 형성된 접합층을 부착시킨 후 상기 기판에서 상기 유기 전계효과 트랜지스터 패턴을 분리시키는 단계; 및 (c) 분리된 상기 유기 전계효과 트랜지스터 패턴을 미리 마련된 플라스틱 기판 상에 전사시키는 단계를 포함하여 이루어진 유기 전계효과 트랜지스터의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 유리, 실리콘, 플라스틱 또는 메탈호일 중 어느 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계효과 트랜지스터의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 플라스틱 기판은 폴리에스터(PET), 폴리카보네이트 나프탈레이트(PEN), 폴리에테르설폰(PES) 또는 폴리이미드(PI) 중 어느 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계효과 트랜지스터의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 접합층은 플라스틱, 고무, 종이 또는 메탈호일 중 어느 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계효과 트랜지스터의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 접합층은 전사 테이프인 것을 특징으로 하는 유기 전계효과 트랜지스터의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 단계(c)에서, 상기 분리된 유기 전계효과 트랜지스터 패턴을 소정의 접합물질을 사용하여 상기 플라스틱 기판 상에 전사시키는 것을 특징으로 하는 유기 전계효과 트랜지스터의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 단계(c)에서, 상기 접합층과 상기 플라스틱 기판의 양면에는 상기 유기 전계효과 트랜지스터 패턴을 보호하기 위한 보호층을 더 증착시키는 것을 특징으로 하는 유기 전계효과 트랜지스터의 제조방법
8 7
제 1 항에 있어서, 상기 단계(c)에서, 상기 접합층과 상기 플라스틱 기판의 양면에는 상기 유기 전계효과 트랜지스터 패턴을 보호하기 위한 보호층을 더 증착시키는 것을 특징으로 하는 유기 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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