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기판 상에 유기물 소자를 형성하는 단계; 및상기 유기물 소자 상에 보호막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 보호막을 형성하는 단계는 펄스형 플라즈마를 이용한 박막 증착법으로 무기 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 소자의 보호막 형성방법
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기판을 둘러싸는 보호막을 형성하는 단계; 및상기 보호막 상에 유기물 소자를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 보호막을 형성하는 단계는 펄스형 플라즈마를 이용한 박막 증착법으로 무기 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 소자의 보호막 형성방법
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제2항에 있어서, 상기 유기물 소자 상에 제2의 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 제2의 보호막을 형성하는 단계는 펄스형 플라즈마를 이용한 박막 증착법으로 무기 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 소자의 보호막 형성방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 펄스형 플라즈마를 이용한 박막 증착법은 펄스형 플라즈마 원자층 증착법, 펄스형 플라즈마 화학적 기상 증착법 또는 펄스형 플라즈마 스퍼터 증착법인 것을 특징으로 하는 유기물 소자의 보호막 형성방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 펄스형 플라즈마는 RF, RF-마그네트론, ECR(Electron Cyclotron Resonance) 또는 ICP(Inductively Coupled Plasma) 타입인 것을 특징으로 하는 유기물 소자의 보호막 형성방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 무기 박막은 Al2O3, Al2O3:N(N을 포함한 Al2O3), TiO2, TiO2:N(N을 포함한 TiO2), SiO2, SiO2:N(N을 포함한 SiO2), Si3N4, ZrO2, ZrO2:N(N을 포함한 ZrO2), 란탄족 금속 산화물 및 N을 포함한 란탄족 금속 산화물 중의 어느 한 막이거나 이 막들의 조합으로 이루어진 다층막인 것을 특징으로 하는 유기물 소자의 보호막 형성방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 무기 박막은 Al2O3, Al2O3:N, TiO2, TiO2:N, SiO2, SiO2:N, Si3N4, ZrO2, ZrO2:N, 란탄족 산화물 및 N을 포함한 란탄족 산화물 중의 어느 한 종류 이상의 재료로 구성된 박막인 것을 특징으로 하는 유기물 소자의 보호막 형성방법
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8
제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 보호막을 형성하는 단계는 유기 박막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 소자의 보호막 형성방법
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제8항에 있어서, 상기 보호막을 형성하는 단계에서 상기 유기 박막을 형성하는 단계와 상기 무기 박막을 형성하는 단계를 번갈아 수행하는 것을 특징으로 하는 유기물 소자의 보호막 형성방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 무기 박막을 형성하는 단계에서는,소스기체와 산소기체의 시분할 조합을 주기적으로 반복하며, 상기 소스기체와 산소기체의 각각의 주입 단계는 퍼지기체의 주입에 의해 상호 혼합되는 것을 차단하는 원자층 증착법으로 무기 산화막을 형성하며, 상기 산소기체의 공급주기와 동기하여 이를 활성화시키기 위한 펄스형 플라즈마를 발생시키는 것을 특징으로 하는 유기물 소자의 보호막 형성방법
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제10항에 있어서, 상기 펄스형 플라즈마의 펄스 길이(pulse width)는 0
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제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 무기 박막을 형성하는 단계에서는,소스기체와 산소기체를 이용한 화학적 기상 증착법으로 무기 산화막을 형성하며, 펄스 형태의 플라즈마를 발생시키는 것을 특징으로 하는 유기물 소자의 보호막 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 보호막은 상기 기판까지 둘러싸도록 형성하는 것을 특징으로 하는 유기물 소자의 보호막 형성방법
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제13항에 있어서, 상기 펄스형 플라즈마를 이용한 박막 증착법은 펄스형 플라즈마 원자층 증착법이나 펄스형 플라즈마 화학적 기상 증착법인 것을 특징으로 하는 유기물 소자의 보호막 형성방법
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