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기판 상에 일정한 간격으로 형성된 애노드 전극;상기 애노드 전극 사이의 기판 상에 형성되며, 소정의 이온빔을 이용하여 그 표면이 경화된 유기 절연막;상기 애노드 전극 상에 형성되며, 발광층을 포함한 유기 다층막;상기 유기 다층막 상에 형성된 캐소드 전극을 포함하는 유기발광소자
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제 1 항에 있어서, 상기 유기 절연막 상의 소정영역에 형성된 캐소드 격벽 및 상기 캐소드 격벽 상에 순차적으로 형성된 상기 발광층을 포함한 유기 다층막 및 상기 캐소드 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제 1 항에 있어서, 상기 유기 절연막은 상기 애노드 전극의 에지 주변을 감싸도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제 1 항에 있어서, 상기 이온빔은 10 내지 50kev의 저에너지원으로 조사되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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제 1 항에 있어서, 상기 이온빔을 위한 가스로 아르곤(Ar), 질소(N2), 수소(H2) 또는 크세논(Xe) 중 적어도 어느 하나의 물질이 사용되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
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6
(a) 기판 상에 일정한 간격으로 애노드 전극을 형성하는 단계;(b) 소정의 유기 감광막을 이용하여 상기 애노드 전극 사이의 기판 상에 유기 절연막을 형성하는 단계;(c) 상기 유기 절연막 상에 소정의 이온빔을 조사하여 상기 유기 절연막의 투과도를 저하시키는 단계; 및(d) 상기 애노드 전극 상에 순차적으로 발광층을 포함한 유기 다층막 및 캐소드 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 단계(b)에서, 상기 유기 절연막은 소정의 유기 감광막을 이용하여 상온에서 스핀 코팅법으로 형성한 후에 100 내지 160℃의 온도 범위에서 하드 베이킹하여 상기 애노드 전극의 에지 주변을 감싸도록 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 단계(c)에서, 상기 이온빔은 10 내지 50kev의 저에너지원으로 조사하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 단계(c)에서, 상기 이온빔을 위한 가스로 아르곤(Ar), 질소(N2), 수소(H2) 또는 크세논(Xe) 중 적어도 어느 하나의 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법
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10
제 6 항에 있어서, 상기 단계(c) 이후에, 상기 유기 절연막 상의 소정영역에 캐소드 격벽을 형성하고, 상기 캐소드 격벽 및 상기 애노드 전극 상에 상기 발광층을 포함한 유기 다층막 및 상기 캐소드 전극을 순차적으로 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법
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