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애노드 전극, 정공 주입층, 발광층 및 캐소드 전극을 포함하는 유기 전기 발광 소자에 있어서,상기 정공 주입층은 전도성 고분자 막이며, 상기 정공 주입층과 발광층 사이에 실란 화합물로 형성된 분자자기조립박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전기 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 분자자기조립박막과 발광층 사이에 정공 수송층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전기 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 분자자기조립박막은 하기와 같은 화학식 1의 화합물로 형성되는 것인 유기 전기 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 분자자기조립박막은 하기와 같은 화학식 2의 화합물로 형성되는 것인 유기 전기 발광 소자
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제 3항 또는 제 4항에 있어서, 상기 분자자기조립박막은 정공수송 또는 주입능력이 있는 하기와 같은 구조를 갖는 화합물을 하나의 기능기로서 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전기 발광 소자
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제 3항에 있어서, 상기 분자자기조립박막은 헥사메틸디실라잔 분자자기조립박막인 것을 특징으로 하는 유기 전기 발광 소자
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제 4항에 있어서, 상기 분자자기조립박막은 [(9-에틸카바졸-3-일)메톡시]-N-(4,4,4-트리에톡시-4-실라부틸)포름아미드 분자자기조립박막인 것을 특징으로 하는 유기 전기 발광 소자
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기판상에 애노드 전극을 형성하는 단계;상기 애노드 전극 상부에 전도성 고분자막으로 정공 주입층을 형성하는 단계;상기 정공 주입층 상부에 실란 화합물로 분자자기조립박막을 형성하는 단계;상기 분자자기조립박막 상부에 발광층을 형성하는 단계; 및상기 발광층 상부에 캐소드 전극을 포함하는 유기 전기 발광 소자의 제조방법
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제 8항에 있어서, 상기 분자자기조립박막 형성 단계 후, 상기 분자자기조립박막 상에 정공 수송층을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기 전기 발광 소자의 제조방법
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제 8항에 있어서, 상기 분자자기조립박막은 하기와 같은 화학식 I의 화합물로 형성되는 것인 유기 전기 발광 소자의 제조방법:화학식 1상기 식 Ⅰ에서, R1 내지 R6은 각각 같거나 동일하며, 독립적으로 C1 - C22의 알킬기 또는 C1 - C22의 알킬기가 치환된 아릴기이며, O, N, S, Si 또는 Ge의 원소를 포함할 수 있다
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제 8항에 있어서, 상기 분자자기조립박막은 하기와 같은 화학식 Ⅱ의 화합물로 형성되는 것인 유기 전기 발광 소자의 제조방법:화학식 2상기 식 Ⅱ에서, R7은 C1 - C22의 알킬기 또는 C1 - C22의 알킬기가 치환된 아릴기이며, O, N, S, Si 또는 Ge의 원소를 포함할 수 있고, X는 분자자기조립박막을 형성할 수 있는 기능기로서 C1-C22의 알콕시 또는 할로겐이다
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제 10항 또는 제 11항에 있어서, 상기 분자자기조립박막은 정공수송 또는 주입능력이 있는 하기와 같은 구조를 갖는 화합물을 하나의 기능기로서 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전기 발광 소자의 제조방법
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