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전자후각 센서어레이, 이를 포함하는 센서시스템, 그센서어레이 제조방법 및 그 센서시스템을 이용한 분석방법

  • 기술번호 : KST2015080764
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 개인정보단말기을 이용하여 용이하게 시료를 측정하고 처리할 수 있으며, 대량생산이 가능한 전자후각 센서어레이, 이를 포함하는 센서시스템, 그 센서어레이 제조방법 및 그 센서시스템을 이용한 분석방법을 제공한다. 그 센서어레이는 고분자기판의 일측면에 형성되어, 피분석 화학종과 반응하여 전기적인 저항의 변화를 유발하는 복수개의 감지막 및 감지막의 양측에 접촉하며, 저항의 변화를 감지하는 복수개의 감지전극을 포함한다. 전자후각, 센서어레이, 센서시스템, 개인정보단말기, 감지막
Int. CL G01N 27/04 (2006.01) G01N 33/00 (2006.01) G01N 27/87 (2006.01) G01N 27/407 (2006.01)
CPC G01N 33/0031(2013.01) G01N 33/0031(2013.01) G01N 33/0031(2013.01) G01N 33/0031(2013.01)
출원번호/일자 1020050072325 (2005.08.08)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0842247-0000 (2008.06.24)
공개번호/일자 10-2007-0017752 (2007.02.13) 문서열기
공고번호/일자 (20080630) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.08.08)
심사청구항수 28

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용신 대한민국 대전 서구
2 양윤석 대한민국 대전 유성구
3 하승철 대한민국 경기 수원시 영통구
4 윤태환 대한민국 경기 성남시 분당구
5 표현봉 대한민국 대전 유성구
6 최창억 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2005-0436562-61
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)		 2005.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2005-5101454-10
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.07.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.08.11 수리 (Accepted) 9-1-2006-0051797-07
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0499597-49
6 의견서
Written Opinion		 2006.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0783376-59
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.10.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0783377-05
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0051535-80
9 의견서
Written Opinion		 2007.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0165375-19
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.02.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0165377-11
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2007.07.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0376099-52
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2007-0539724-78
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.07.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2007-0539726-69
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.01.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0012509-89
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.03.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0171678-79
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0171677-23
17 등록결정서
Decision to grant		 2008.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0285016-17
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
평판형의 고분자기판;상기 고분자기판의 일측면에 형성되어, 피분석 화학종과 반응하여 전기적인 저항의 변화를 유발하는 복수개의 감지막; 상기 감지막의 양측에 접촉하며, 상기 저항의 변화를 감지하는 복수개의 감지전극; 및상기 고분자기판의 타측면에 열을 가하기 위한 미소가열기를 포함하는 전자후각 센서어레이
2 2
제1항에 있어서, 상기 고분자기판은 폴리이미드, 폴리에스터 및 글라스에폭시 중에서 선택된 적어도 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전자후각 센서어레이
3 3
제1항에 있어서, 상기 감지막은 전도성입자와 비전도성 유기물의 혼합체로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자후각 센서어레이
4 4
제2항에 있어서, 상기 감지막은 전도성 카본블랙과 고분자의 혼합체로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자후각 센서어레이
5 5
제3항에 있어서, 상기 비전도성 유기물은 폴리스티렌, 폴리(메틸메타크릴레이트), 폴리비닐리롤리돈, 폴리(비닐아세테이트), 폴리(α-메틸스티렌), 폴리(4-비닐페놀), 폴리설폰, 폴리카프로락탐, 폴리(4-메틸스티렌), 폴리(스티렌-메틸메타크릴레이트 공중합체), 폴리(에틸렌-비닐아세테이트 공중합체), 폴리(비닐리덴클로라이드-아크릴로니트릴 공중합체), 폴리(스티렌-알릴알콜 공중합체), 폴리(메틸비닐에테르 변형 말레익 언하이드라이드), 폴리(스티렌-부타디엔 공중합체), 폴리(비스페놀 A 카보네이트), 폴리(부타디엔), 폴리(4-비닐피리딘), 폴리(스티렌-말레익 언하이드라이드 공중합체), 폴리(스티렌-아크릴로니트릴 공중합체), 폴리(에틸렌-아크릴산 공중합체), 폴리(비닐클로라이드-비닐아세테이트 공중합체), 폴리(비닐부티랄)-비닐알콜-비닐아세테이트 공중합체, 폴리(비닐스테아레이트), 에틸셀룰로우즈, 폴리스티렌-블랙-폴리이소프렌-블랙-프로리스티렌, 하이드로프로필 셀룰로우즈, 셀룰로우즈 아세테이트 및 폴리(에틸렌글리콜) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 전자후각 센서어레이
6 6
제3항에 있어서, 상기 감지막은 상기 비전도성 유기물의 특성을 변화시키기 위하여 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자후각 센서어레이
7 7
제6항에 있어서, 상기 첨가제는 디옥틸프탈레이트 또는 디(에틸렌글리콜)디벤조에이트인 것을 특징으로 하는 전자후각 센서어레이
8 8
제1항에 있어서, 상기 감지전극은 상부보호막에 의해 노출된 상부금속라인의 일부인 것을 특징으로 하는 전자후각 센서어레이
9 9
제8항에 있어서, 상기 상부보호막은 폴리이미드, 폴리에스터 및 글라스에폭시 중에서 선택된 적어도 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전자후각 센서어레이
10 10
제1항에 있어서, 상기 미소가열기는 외부와 차단되기 위하여 하부보호막에 의해 덮이는 것을 특징으로 하는 전자후각 센서어레이
11 11
제10항에 있어서, 상기 하부보호막은 폴리이미드, 폴리에스터 및 글라스에폭시 중에서 선택된 적어도 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전자후각 센서어레이
12 12
전자후각 센서어레이; 및상기 전자후각 센서어레이를 부착하여 상기 센서어레이에 측정된 데이터를 실시간에 획득하여 패턴인식 프로그램에 의해 처리하는 개인정보단말기를 포함하고,상기 전자후각 센서어레이는 평판형 고분자기판;상기 고분자기판의 일측면에 형성되어, 피분석 화학종과 반응하여 전기적인 저항의 변화를 유발하는 복수개의 감지막; 및상기 감지막의 양측에 접촉하며, 상기 저항의 변화를 감지하는 복수개의 감지전극을 포함하는 전자후각 센서시스템
13 13
제12항에 있어서, 상기 패턴인식 프로그램은 주요성분분석(principal component analysis)법인 것을 특징으로 하는 전자후각 센서시스템
14 14
제12항에 있어서, 상기 개인정보단말기는 상기 측정된 데이터를 디지털화하여 상기 개인정보단말기로 전달하여 주는 전자회로보드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자후각 센서시스템
15 15
제14항에 있어서, 상기 전자회로보드는 아날로그/디지털 컨버터와 디지털 버스 인터페이스로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자후각 센서시스템
16 16
제12항에 있어서, 상기 전자후각 센서어레이는 측정을 위한 시료를 채취하기 위한 시료채취용 하드웨어를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자후각 센서시스템
17 17
제16항에 있어서, 상기 시료채취용 하드웨어는 시료의 자발적인 기화와 농도구배를 일으키는 액체 침투막을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자후각 센서시스템
18 18
고분자기판을 준비하는 단계;상기 고분자기판의 일면에 복수개의 감지전극과 접촉패드을 포함하는 상부금속라인을 형성하는 단계;상기 고분자기판의 타면에 복수개의 가열기를 형성하는 단계; 및상기 감지전극들 상에 전도성입자와 비전도성 유기물의 혼합체로 이루어진 복수개의 감지막을 형성하는 단계를 포함하는 전자후각 센서어레이의 제조방법
19 19
제18항에 있어서, 상기 상부금속라인 및 상기 가열기는 전기화학적인 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전자후각 센서어레이의 제조방법
20 20
제18항에 있어서, 상기 감지전극은 평면에 엇갈린 빗살모양을 가진 깍지낀 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 전자후각 센서어레이의 제조방법
21 21
제18항에 있어서, 상기 감지전극과 접촉패드를 노출시키도록 상기 상부금속라인 상에 상부보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자후각 센서어레이의 제조방법
22 22
제18항에 있어서, 상기 가열기를 외부와 차단하기 위하여 상기 가열기를 덮는 하부보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자후각 센서어레이의 제조방법
23 23
제18항에 있어서, 상기 감지막은 전도성 카본블랙과 고분자의 혼합체로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자후각 센서어레이의 제조방법
24 24
제18항에 있어서, 상기 비전도성 유기물은 폴리스티렌, 폴리(메틸메타크릴레이트), 폴리비닐리롤리돈, 폴리(비닐아세테이트), 폴리(α-메틸스티렌), 폴리(4-비닐페놀), 폴리설폰, 폴리카프로락탐, 폴리(4-메틸스티렌), 폴리(스티렌-메틸메타크릴레이트 공중합체), 폴리(에틸렌-비닐아세테이트 공중합체), 폴리(비닐리덴클로라이드-아크릴로니트릴 공중합체), 폴리(스티렌-알릴알콜 공중합체), 폴리(메틸비닐에테르 변형 말레익 언하이드라이드), 폴리(스티렌-부타디엔 공중합체), 폴리(비스페놀 A 카보네이트), 폴리(부타디엔), 폴리(4-비닐피리딘), 폴리(스티렌-말레익 언하이드라이드 공중합체), 폴리(스티렌-아크릴로니트릴 공중합체), 폴리(에틸렌-아크릴산 공중합체), 폴리(비닐클로라이드-비닐아세테이트 공중합체), 폴리(비닐부티랄)-비닐알콜-비닐아세테이트 공중합체, 폴리(비닐스테아레이트), 에틸셀룰로우즈, 폴리스티렌-블랙-폴리이소프렌-블랙-프로리스티렌, 하이드로프로필 셀룰로우즈, 셀룰로우즈 아세테이트 및 폴리(에틸렌글리콜) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 전자후각 센서어레이의 제조방법
25 25
제18항에 있어서, 상기 감지막은 상기 비전도성 유기물의 특성을 변화시키기 위하여 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자후각 센서어레이의 제조방법
26 26
제25항에 있어서, 상기 첨가제는 디옥틸프탈레이트 또는 디(에틸렌글리콜)디벤조에이트인 것을 특징으로 하는 전자후각 센서어레이의 제조방법
27 27
시료채취용 하드웨어에 의해 시료를 채취하는 단계;패턴인식 프로그램을 채용한 개인정보단말기에 의해 측정을 시작하는 단계;상기 시료채취용 하드웨어를 센서어레이를 지지하는 지지체에 부착하는 단계;상기 센서어레이에서 일어나는 반응을 포화시키는 단계; 상기 시료채취용 하드웨어를 상기 지지체에서 떼어내는 단계; 및상기 센서어레이에서 일어나는 반응을 초기상태로 회복시키는 단계를 포함하고,상기 센서어레이는 평판형 고분자기판;상기 고분자기판의 일측면에 형성되어, 피분석 화학종과 반응하여 전기적인 저항의 변화를 유발하는 복수개의 감지막; 및상기 감지막의 양측에 접촉하며, 상기 저항의 변화를 감지하는 복수개의 감지전극을 포함하는 전자후각 센서어레이에 의한 분석방법
28 28
제27항에 있어서, 상기 시료채취용 하드웨어는 액체 침투막으로 이루어진 시료채취판과 시료판 지지체를 포함하고, 상기 센서어레이 지지체는 고정부를 포함하여,상기 시료채취판과 상기 센서어레이 지지체에 의한 준-밀폐공간을 형성하는 것을 특징으로 하는 전자후각 센서어레이에 의한 분석방법
지정국 정보가 없습니다
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1 US2007028667 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.