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InP 기판 상에 상기 InP와 격자정합한 완충층을 형성하고; 및 상기 완충층 상에, 서로 격자 부정합이 큰 물질층인 In(Ga)As 물질층과, InAl(Ga)As 물질층 또는 In(Ga, Al, As)P 물질층을 순차적으로 교번하여 증착함으로써 In(Ga, Al)As 또는 In(Ga, Al, P)As 양자점을 형성하는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 완충층은 InAl(Ga)As, In(Ga, Al, As)P 또는 이들로 구성된 이종접합층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
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3
제1항에 있어서, 상기 교번증착시 In(Ga)As 물질층과, InAl(Ga)As 또는 In(Ga, Al, As)P 물질층의 두께는 각각 1 모노레이어(Monolayer)에서 10 모노레이어로 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 교번증착시 In(Ga)As 물질층과, InAl(Ga)As 또는 In(Ga, Al, As)P 물질층의 교번주기는 10 내지 100 주기인 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 In(Ga, Al)As 또는 In(Ga, Al, P)As 양자점은 유기금속화학증착법(MOCVD), 분자선증착법(MBE) 및 화학선 증착법(CBE)중에서 선택된 어는 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
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6
제1항에 있어서, 상기 양자점 상에 장벽층을 형성한 후 상기 장벽층 상에 상기 교번층착법에 의하여 양자점을 더 형성하되, 상기 장벽층 및 양자점의 적층 주기를 1 내지 30주기인 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
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7
제6항에 있어서, 상기 장벽층은 InAl(Ga)As, In(Ga, Al, As)P 또는 이들로 구성된 이종접합층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
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8
InP 기판 상에 상기 InP와 격자정합한 완충층을 형성하고; 및 상기 완충층 상에, 서로 격자 부정합이 큰 물질층인 In(Ga)As 물질층과 InAl(Ga)As 물질층을 순차적으로 교번하여 증착함으로써 In(Ga, Al)As 양자점을 형성하는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
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제8항에 있어서, 상기 완충층은 InAl(Ga)As, In(Ga, Al, As)P 또는 이들로 구성된 이종접합층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
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10
제8항에 있어서, 상기 교번증착시 In(Ga)As 물질층과 InAl(Ga)As 물질층의 두께는 각각 1 모노레이어(Monolayer)에서 10 모노레이어로 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
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제8항에 있어서, 상기 교번증착시 In(Ga)As 물질층과 InAl(Ga)As 물질층의 교번주기는 10 내지 100 주기인 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
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12
InP 기판 상에 상기 InP와 격자정합한 완충층을 형성하고; 및 상기 완충층 상에, 서로 격자 부정합이 큰 물질층인 In(Ga)As 물질층과 In(Ga, Al, As)P 물질층을 순차적으로 교번하여 증착함으로써 In(Ga, Al, P)As 양자점을 형성하는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
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제12항에 있어서, 상기 완충층은 InAl(Ga)As, In(Ga, Al, As)P 또는 이들로 구성된 이종접합층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
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제12항에 있어서, 상기 교번증착시 In(Ga)As 물질층과 In(Ga, Al, As)P 물질층의 두께는 각각 1 모노레이어(Monolayer)에서 10 모노레이어로 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
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제12항에 있어서, 상기 교번증착시 In(Ga)As 물질층과 In(Ga, Al, As)P 물질층의 교번주기는 10 내지 100주기인 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
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InP 기판 상에 상기 InP와 격자정합한 완충층을 형성하고; 및 상기 완충층 상에, 서로 격자 부정합이 큰 물질층인 In(Ga)As 물질층과 InAl(Ga)As 물질층을 순차적으로 교번하여 증착함으로써, 상기 In(Ga)As 물질층과 InAl(Ga)As 물질층간의 격자 부정합에 의한 자발 형성 방법과 상기 교번증착시 In(Ga)As물질층과 InAl(Ga)As 물질층을 구성하는 3족 물질의 성장 거동에 의한 상분리(phase separation) 현상을 이용하여 In(Ga, Al)As 양자점을 형성하는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
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제16항에 있어서, 상기 완충층은 InAl(Ga)As, In(Ga, Al, As)P 또는 이들로 구성된 이종접합층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
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제16항에 있어서, 상기 교번증착시 In(Ga)As 물질층과 InAl(Ga)As 물질층의 두께는 각각 1 모노레이어(Monolayer)에서 10 모노레이어로 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
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제16항에 있어서, 상기 교번증착시 In(Ga)As 물질층과 InAl(Ga)As 물질층의 교번주기는 10 내지 100 주기인 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
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InP 기판 상에 상기 InP와 격자정합한 완충층을 형성하고; 및 상기 완충층 상에, 서로 격자 부정합이 큰 물질층인 In(Ga)As 물질층과 In(Ga, Al, As)P 물질층을 순차적으로 교번하여 증착함으로써, 상기 In(Ga)As 물질층과 In(Ga, Al, As)P 물질층간의 격자 부정합에 의한 자발 형성 방법과 상기 교번증착시 In(Ga, Al, P)As 양자점을 형성하는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
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제20항에 있어서, 상기 완충층은 InAl(Ga)As, In(Ga, Al, As)P 또는 이들로 구성된 이종접합층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
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제20항에 있어서, 상기 교번증착시 In(Ga)As 물질층과 In(Ga, Al, As)P 물질층의 두께는 각각 1 모노레이어(Monolayer)에서 10 모노레이어로 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
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제20항에 있어서, 상기 교번증착시 In(Ga)As 물질층과 In(Ga, Al, As)P 물질층의 교번주기는 10 내지 100주기인 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
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