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나노갭 전극소자의 제작 방법

  • 기술번호 : KST2015080848
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수 나노미터(nm) 이하의 폭을 갖는 나노갭(nano-gap)을 사이에 두고 두 개의 전극이 접해 있는 나노갭 전극소자의 제작 방법에 관한 것으로, 서로 다른 식각비를 갖는 반도체층들을 이용하여 공기중에 부양된 구조의 나노 구조물을 형성하고, 반도체층으로부터 나노 구조물까지의 높이, 나노 구조물의 폭 및 금속의 증착 각도를 조절하여 나노갭을 형성한다. 나노갭의 위치와 폭을 용이하게 조절할 수 있고 반복되는 구조를 갖는 어레이 형태의 나노갭을 동시에 형성할 수 있다.나노 구조물, 증착 각도, 나노갭, 전극소자, 어레이
Int. CL H01L 21/336 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020050091288 (2005.09.29)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0714924-0000 (2007.04.27)
공개번호/일자 10-2007-0036355 (2007.04.03) 문서열기
공고번호/일자 (20070507) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.09.29)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유한영 대한민국 대전 유성구
2 백인복 대한민국 충북 청주시 흥덕구
3 안창근 대한민국 대전 유성구
4 임기주 대한민국 대전 서구
5 양종헌 대한민국 대전 유성구
6 피웅환 대한민국 대전 유성구
7 유민기 대한민국 부산 사하구
8 박찬우 대한민국 대전 유성구
9 최성율 대한민국 대전 중구
10 이성재 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0551688-24
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.07.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.08.10 수리 (Accepted) 9-1-2006-0049920-24
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0633273-73
5 의견서
Written Opinion
2006.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0948810-44
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.12.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0948816-17
7 등록결정서
Decision to grant
2007.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0224560-24
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 반도체층 상에 부양되는 와이어 형태의 나노갭 형성부와 상기 나노갭 형성부의 길이방향의 양단부를 지지하는 지지부를 구비하는 나노 구조물을 배치하는 단계;b) 상기 나노 구조물과 교차되도록 적어도 하나의 개구패턴이 형성된 마스크층을 형성하는 단계,c) 상기 개구패턴을 통해 노출되는 상기 반도체층 상에 금속을 증착하여 전극을 형성하되, 상기 나노 구조물에 의해 상기 나노 구조물 하부에 나노갭이 형성되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노갭 전극소자의 제작 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 단계 a)는적층 구조의 제 1 및 제 2 반도체층을 형성하는 단계,상기 제 2 반도체층을 패터닝하여 나노 구조물을 형성하는 단계,상기 나노 구조물이 지지되는 상태로 상기 나노 구조물 하부의 상기 제 1 반도체층을 소정 두께 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노갭 전극소자의 제작 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 반도체층은 서로 다른 식각비를 갖는 것을 특징으로 하는 나노갭 전극소자의 제작 방법
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 제 1 반도체층은 습식 식각으로 제거하는 것을 특징으로 하는 나노갭 전극소자의 제작 방법
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 지지부가 상기 나노갭 형성부보다 넓게 형성된 것을 특징으로 하는 나노갭 전극소자의 제작 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 마스크층은 감광물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 나노갭 전극소자의 제작 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 금속은 금, 은, 구리 및 알루미늄 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노갭 전극소자의 제작 방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 금속은 상기 나노 구조물을 중심으로 양측에서 소정의 경사각으로 증착하는 것을 특징으로 하는 나노갭 전극소자의 제작 방법
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 나노갭의 폭은 상기 나노 구조물의 폭, 상기 나노 구조물의 높이 및 상기 금속의 증착 각도 중 적어도 어느 하나에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 나노갭 전극소자의 제작 방법
11 11
제1항, 제2항, 제3항, 제4항, 제6항, 제7항, 제8항, 제9항 및 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 마스크층은 다수의 개구패턴이 소정 간격으로 형성된 스트라이프 어레이인 것을 특징으로 하는 나노갭 전극소자의 제작 방법
지정국 정보가 없습니다
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1 US2007072336 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7537883 US 미국 DOCDBFAMILY
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