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실리콘 기판에 형성된 신호 처리기; 및 상기 신호 처리기 상에 본딩되고, GaAs 기판에 광을 송신하거나 수신할 있는 광소자, 태양에너지를 이용하여 자체적으로 동작할 수 있는 태양 전지 및 고주파 무선 통신이 가능한 고주파 무선 통신 소자가 수직적으로 단일 집적된 자가 발진 통신 소자; 및 상기 자가 발진 통신소자를 구성하는 광소자에 광통신을 위하여 연결된 광섬유를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자가 발진 통신 모듈
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제1항에 있어서, 상기 자가 발진 통신 소자는 상기 신호 처리기 상에 상기 광소자, 태양 전지 및 고주파 무선 통신 소자가 수직적으로 단일 집적되는 것을 특징으로 하는 자가 발진 통신 모듈
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제1항에 있어서, 상기 자가 발진 통신 소자는 상기 신호 처리기 상에 상기 태양 전지, 광소자 및 고주파 무선 통신 소자가 수직적으로 단일 집적되는 것을 특징으로 하는 자가 발진 통신 모듈
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제1항에 있어서, 상기 광소자는 양자점이 포함된 활성층을 갖는 레이저 다이오드 또는 광 검출기인 것을 특징으로 하는 자가 발진 통신 모듈
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제1항에 있어서, 상기 광섬유는 상기 신호 처리기를 구성하는 실리콘 기판에 형성된 V자 홈에 위치하여 상기 광소자와 연결되는 것을 특징으로 하는 자가 발진 통신 모듈
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실리콘 기판에 형성된 신호 처리기; 및 상기 신호 처리기 상에 본딩되고, 광을 송신하거나 수신할 있는 광소자, 태양에너지를 이용하여 자체적으로 동작할 수 있는 태양 전지 및 고주파 무선 통신이 가능한 고주파 무선 통신 소자가 수직적으로 단일 집적된 자가 발진 통신 소자; 및 상기 자가 발진 통신소자를 구성하는 광소자에 광통신을 위하여 연결된 광섬유를 포함하여 이루어지되, 상기 자가 발진 통신 소자는 고주파 무선 통신 소자를 포함하는 제1 도전형의 GaAs 기판과, 상기 제1 도전형의 GaAs 기판 상에 제1 도전형 반도체층, InGa(Al)P 광흡수층 및 제1 도전형과 반대의 제2 도전형의 반도체층이 순차적으로 형성된 태양 전지와, 상기 태양 전지 상에 제2 도전형의 하부 클래드층, In(Ga)As 양자점 활성층 및 제1 도전형의 상부 클래드층으로 구성된 광소자로 이루어지고, 상기 태양전지가 태양광을 받게 되면 상기 광소자에 순방향 전압이 인가되어 전류가 흐르는 것을 특징으로 하는 자가 발진 통신 모듈
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제7항에 있어서, 상기 자가 발진 통신 소자는 고주파 무선 통신 소자를 포함하는 n-GaAs 기판 상에 n-GaAs 버퍼층, InGa(Al)P 광흡수층 및 p-GaAs 접합층이 순차적으로 형성된 np형의 태양 전지와, 상기 p-GaAs 접합층 상에 p-AlGaAs 하부 클래드층, In(Ga)As 양자점 활성층 및 n-AlGaAs 상부 클래드층이 순차적으로 형성된 pn형의 광소자로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자가 발진 통신 모듈
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제7항에 있어서, 상기 자가 발진 통신 소자는 고주파 무선 통신 소자를 포함하는 p-GaAs 기판 상에 p-GaAs 버퍼층, InGa(Al)P 광흡수층, 및 n-GaAs 접합층이 순차적으로 형성된 pn형의 태양 전지와, 상기 n-GaAs 접합층 상에 n-AlGaAs 하부 클래드층, In(Ga)As 양자점 활성층 및 p-AlGaAs 상부 클래드층이 순차적으로 형성된 np형의 광소자로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자가 발진 통신 모듈
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실리콘 기판에 형성된 신호 처리기; 및 상기 신호 처리기 상에 본딩되고, 광을 송신하거나 수신할 있는 광소자, 태양에너지를 이용하여 자체적으로 동작할 수 있는 태양 전지 및 고주파 무선 통신이 가능한 고주파 무선 통신 소자가 수직적으로 단일 집적된 자가 발진 통신 소자; 및 상기 자가 발진 통신소자를 구성하는 광소자에 광통신을 위하여 연결된 광섬유를 포함하여 이루어지되,상기 자가 발진 통신 소자는 고주파 무선 통신 소자를 포함하는 제1 도전형의 GaAs 기판과, 상기 제1 도전형의 GaAs 기판 상에 제1 도전형의 하부 클래드층, In(Ga)As 양자점 활성층 및 상기 제1 도전형과 반대의 제2 도전형의 상부 클래드층으로 구성된 광소자와, 상기 광소자 상에 형성되고 제2 도전형의 반도체층, InGa(Al)P 광흡수층 및 제1 도전형의 반도체층으로 구성된 태양 전지로 이루어지고, 상기 태양전지가 태양광을 받게 되면 상기 광소자에 순방향 전압이 인가되어 전류가 흐르는 것을 특징으로 하는 자가 발진 통신 모듈
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제10항에 있어서, 상기 자가 발진 통신 소자는 고주파 무선 통신 소자를 포함하는 n-GaAs 기판 상에 n-GaAs 버퍼층, n-AlGaAs 하부 클래드층, In(Ga)As 양자점 활성층 및 p-AlGaAs 상부 클래드층이 순차적으로 형성된 np형의 광소자와, 상기 p-AlGaAs 상부 클래드층 상에 p-GaAs 접합층, InGa(Al)P 광흡수층 및 n-GaAs 캡층이 순차적으로 형성된 pn형의 태양 전지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자가 발진 통신 모듈
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제10항에 있어서, 상기 자가 발진 통신 소자는 고주파 무선 통신 소자를 포함하는 p-GaAs 기판 상에 p-GaAs 버퍼층, p-AlGaAs 하부 클래드층, In(Ga)As양자점 활성층 및 n-AlGaAs 상부 클래드층이 순차적으로 형성된 pn형의 광소자와, 상기 n-AlGaAs 상부 클래드층 상에 n-GaAs 접합층, InGa(Al)P 광흡수층 및 p-GaAs 캡층이 순차적으로 형성된 np형의 태양 전지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자가 발진 통신 모듈
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제1항에 있어서, 상기 신호 처리기 상에 기능 센서가 더 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 자가 발진 통신 모듈
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