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소정 레벨의 상면과, 상기 상면으로부터 소정 깊이로 리세스되어 있는 복수의 요부를 가지는 투명 기판과, 상기 투명 기판의 요부 내에 매립되어 있는 금속 박막으로 이루어지고 상기 투명 기판의 상면과 동일한 레벨의 상면을 가지는 그리드와, 상기 투명 기판의 상면 및 상기 그리드의 상면을 덮도록 상기 투명 기판 위에 요철 없이 평탄하게 연장되어 있는 전도성 보호 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 기판
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제1항에 있어서, 상기 그리드는 은, 구리, 아연, 금, 티타늄 및 알루미늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 금속, 또는 그 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 투명 전도성 기판
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제1항에 있어서, 상기 투명 기판은 구부림이 가능한 고분자 기판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 투명 전도성 기판
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제3항에 있어서, 상기 투명 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트 또는 폴리에테르설폰으로 이루어진 것을 특징으로 하는 투명 전도성 기판
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제1항에 있어서, 상기 투명 기판은 전도성 유리 기판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 투명 전도성 기판
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제1항에 있어서, 상기 요부는 상기 투명 기판의 상면으로부터 1 ∼ 10㎛의 깊이로 리세스되어 있는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 기판
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제1항에 있어서, 상기 보호 박막은 SnO2:F (FTO), In2O3:Sn (ITO), 및 이들의 조합중에서 선택되는 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 기판
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8
금속 기판과, 상기 금속 기판 위에 형성된 절연 박막과, 상기 절연 박막 위에 형성된 전도성 박막과, 상기 전도성 박막 위에 형성되고 염료 분자가 흡착되어 있는 나노입자 산화물층을 포함하는 반도체 전극과, 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 투명 전도성 기판과, 상기 투명 전도성 기판의 전도성 보호 박막 위에 형성된 백금층을 포함하는 대향 전극과, 상기 반도체 전극과 대향 전극과의 사이에 개재되어 있는 전해질 용액을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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제8항에 있어서, 상기 금속 기판은 구부림이 가능한 금속 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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제9항에 있어서, 상기 금속 기판은 스테인레스 스틸 기판인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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제8항에 있어서, 상기 절연 박막은 이산화실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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제8항에 있어서, 상기 전도성 박막은 SnO2:F (FTO), In2O3:Sn (ITO), 및 이들의 조합중에서 선택되는 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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13
제8항에 있어서, 상기 나노입자 산화물층은 이산화티탄(TiO2), 이산화주석(SnO2) 또는 산화아연(ZnO)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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