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급격한 ＭＩＴ 소자를 이용한 전기전자시스템 보호 회로 및그 회로를 포함한 전기전자시스템

  • 기술번호 : KST2015081024
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 정격표준전압 이상의 고주파수 잡음이 전기전자시스템의 전원 라인 혹은 신호라인을 타고 들어올 때 상기 잡음을 효과적으로 제거할 수 있는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로 및 그 보호회로를 포함한 전기전자시스템을 개시한다. 그 전기전자시스템 보호회로는 잡음으로부터 보호받고자 하는 전기전자시스템에 병렬 연결되는 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition:MIT) 소자를 포함한다. 전기전자시스템 보호회로는 정격표준전압 이상의 전압이 인가될 때 발생하는 잡음전류의 대부분을 급격한 MIT 소자 쪽으로 바이패스(bypass) 시킴으로써, 전기전자시스템을 보호한다. 금속-절연체 전이, 급격한 MIT 소자, 보호회로
Int. CL H01L 29/772 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020050111882 (2005.11.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0640001-0000 (2006.10.24)
공개번호/일자 10-2006-0093266 (2006.08.24) 문서열기
공고번호/일자 (20061101) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020050051982   |   2005.06.16
대한민국  |   1020050014228   |   2005.02.21
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.11.22)
심사청구항수 45

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현탁 대한민국 대전광역시 유성구
2 강광용 대한민국 대전광역시 유성구
3 채병규 대한민국 대전 유성구
4 김봉준 대한민국 대전 유성구
5 윤선진 대한민국 대전 유성구
6 이용욱 대한민국 대전 동구
7 김경옥 대한민국 서울 강남구
8 윤두협 대한민국 대전광역시 유성구
9 임정욱 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2005-0672819-79
2 등록결정서
Decision to grant		 2006.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0540374-27
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
잡음으로부터 보호받고자 하는 전기전자시스템에 병렬 연결되는 급격한MIT(Metal-Insulator Transition:MIT) 소자를 포함하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
2 2
제1 항에 있어서,상기 잡음은 상기 전기전자시스템에 전원전압을 인가하는 전원라인을 통해 인가되며, 상기 급격한 MIT 소자는 상기 전원라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
3 3
제2 항에 있어서, 상기 급격한 MIT 소자는 상기 급격한 MIT 소자를 보호하는 보호저항을 통해 상기 전원라인과 연결되는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
4 4
제2 항에 있어서,상기 전기전자시스템 보호회로는 상기 전기전자시스템으로 상기 전원전압을 인가하는 전원전압원에 병렬연결된 전원전압 보강용 커패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
5 5
제1 항에 있어서,상기 잡음은 상기 전기전자시스템으로 신호를 입출력하는 신호라인을 통해 인가되며,상기 급격한 MIT 소자는 상기 신호라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
6 6
제5 항에 있어서, 상기 급격한 MIT 소자는 상기 급격한 MIT 소자를 보호하는 보호저항을 통해 상기 신호라인과 연결되는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
7 7
제1 항에 있어서,상기 잡음은 상기 전기전자시스템에 전원전압을 인가하는 전원라인 및 신호를 입출력하는 신호라인을 통해 인가되며,상기 급격한 MIT 소자는 상기 전원라인 및 신호라인 각각에 연결되는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
8 8
제7 항에 있어서,상기 급격한 MIT 소자는 상기 급격한 MIT 소자를 보호하는 보호저항을 통해 상기 전원라인 및 신호라인 각각과 연결되는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
9 9
제7 항에 있어서,상기 전기전자시스템 보호회로는 상기 전기전자시스템으로 상기 전원전압을 인가하는 전원전압원에 병렬연결된 전원전압 보강용 커패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
10 10
제1 항에 있어서,상기 급격한 MIT 소자는 상기 잡음의 전압준위에 대응하여 그 전기적 특성이 급격하게 변하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
11 11
제1 항에 있어서, 상기 급격한 MIT 소자는, 소정의 한계전압 이하에서는 절연체의 성질을 나타내고, 상기 한계전압 이상에서는 금속의 성질을 나타내는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
12 12
제11 항에 있어서,상기 전기전자시스템은 상기 한계 전압 이상의 잡음으로부터 보호되는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
13 13
제1 항 내지 제12 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 급격한 MIT 소자에 병렬 연결되는 적어도 하나의 급격한 MIT 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
14 14
잡음으로부터 보호받고자 하는 전기전자시스템에 병렬로 연결되며,저 농도의 정공을 포함하는 급격한 금속-절연체 전이 박막 및 상기 전이 박막에 콘택하는 제1 및 제2 전극 박막을 구비한 급격한 MIT 소자를 포함하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
15 15
제14 항에 있어서,상기 잡음은 상기 전기전자시스템에 전원전압을 인가하는 전원라인 또는 신호를 입출력하는 신호라인을 통해 인가되며,상기 급격한 MIT 소자는 상기 전원라인 또는 신호라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
16 16
제15 항에 있어서,상기 급격한 MIT 소자는 상기 급격한 MIT 소자를 보호하는 보호저항을 통해 상기 전원라인 또는 신호라인과 연결되는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
17 17
제15 항에 있어서,상기 전기전자시스템 보호회로는 상기 전기전자시스템으로 상기 전원전압을 인가하는 전원전압원에 병렬연결된 전원전압 보강용 커패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
18 18
제14 항에 있어서,상기 잡음은 상기 전기전자시스템에 전원전압을 인가하는 전원라인 및 신호를 입출력하는 신호라인을 통해 인가되며,상기 급격한 MIT 소자는 상기 전원라인 및 신호라인 각각에 연결되는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
19 19
제18 항에 있어서,상기 급격한 MIT 소자는 상기 급격한 MIT 소자를 보호하는 보호저항을 통해 상기 전원라인 및 신호라인 각각과 연결되는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
20 20
제14 항에 있어서,상기 급격한 MIT 소자는 잡음의 전압준위에 대응하여 그 전기적 특성이 급격하게 변하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
21 21
제14 항에 있어서, 상기 급격한 MIT 소자는, 소정의 한계전압 이하에서는 절연체의 성질을 나타내고, 상기 한계전압 이상에서는 금속의 성질을 나타내는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
22 22
제14 항에 있어서, 상기 급격한 금속-절연체 전이 박막은, 산소, 탄소, 반도체 원소(III-V족, II-VI족), 전이금속원소, 희토류원소, 란탄계 원소들을 포함하는 저 농도의 정공이 첨가된 무기물 화합물 반도체 및 절연체, 저 농도의 정공이 첨가된 유기물 반도체 및 절연체, 저 농도의 정공이 첨가된 반도체, 및 저 농도의 정공이 첨가된 산화물 반도체 및 절연체 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
23 23
제14 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극박막은, W, Mo, W/Au, Mo/Au, Cr/Au, Ti/W, Ti/Al/N, Ni/Cr, Al/Au, Pt, Cr/Mo/Au, YBa2Cu3O7-d, Ni/Au, Ni/Mo, Ni/Mo/Au, Ni/Mo/Ag, Ni/Mo/Al, Ni/W, Ni/W/Au, Ni/W/Ag 및 Ni/W/Al 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
24 24
제14 항에 있어서, 상기 급격한 금속-절연체 전이 박막은, n 형 반도체 및 절연체를 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
25 25
제 14항에 있어서,상기 급격한 MIT 소자는기판; 상기 기판 위에 형성된 제1 전극박막; 상기 제1 전극박막의 상부에 형성되며, 저 농도의 정공을 포함하는 급격한 금속-절연체 전이 박막; 및 상기 급격한 금속-절연체 전이 박막의 상부에 형성된 제2 전극박막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
26 26
제25 항에 있어서, 상기 급격한 MIT 소자는 상기 기판과 상기 제1 전극박막 사이에 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
27 27
제26 항에 있어서, 상기 버퍼층은 SiO2 또는 Si3N4막을 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
28 28
제14 항에 있어서, 상기 급격한 MIT 소자는, 기판;상기 기판 상부 일부에 형성된 저 농도의 정공을 포함하는 급격한 금속-절연체 전이 박막;상기 기판 상부로 급격한 금속-절연체 전이 박막의 일측면 및 상면 일부에 형성된 제1 전극박막; 및상기 기판 상부로 급격한 금속-절연체 전이 박막의 상기 일측면에 대향하는 타측면 및 상면 일부에 형성된 제2 전극박막을 포함하며, 상기 제1 전극박막 및 상기 제2 전극박막은 서로 분리되어 있는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
29 29
제28 항에 있어서,상기 급격한 MIT 소자는 상기 기판 상에 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
30 30
제29 항에 있어서, 상기 버퍼층은 SiO2 또는 Si3N4막을 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
31 31
제25 항 또는 제28항에 있어서, 상기 기판은, Si, SiO2, GaAs, Al2O3, 플라스틱, 유리, V2O5, PrBa2Cu3O7, YBa2Cu3O7, MgO, SrTiO3, Nb가 도핑된 SrTiO3 및 절연 박막 위의 실리콘(SOI) 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
32 32
제14 항에 있어서,상기 급격한 MIT 소자에 병렬 연결되는 적어도 하나의 급격한 MIT 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로
33 33
잡음으로부터 보호받고자 하는 부하 전기전자시스템; 및 상기 부하 전기전자시스템에 병렬로 연결된 급격한 MIT 소자를 구비한 전기전자시스템 보호회로;를 포함하는 전기전자시스템
34 34
제33 항에 있어서,상기 전기전자시스템은 상기 부하 전기전자시스템으로 전원라인을 통해 전원전압을 인가하는 전원전압원을 더 포함하고,상기 잡음은 상기 전원라인을 통해 상기 부하 전기전자시스템으로 인가되며, 상기 보호회로의 상기 급격한 MIT 소자는 상기 전원라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 전기전자시스템
35 35
제34 항에 있어서, 상기 보호회로의 상기 급격한 MIT 소자는 상기 급격한 MIT 소자를 보호하는 보호저항을 통해 상기 전원라인과 연결되는 것을 특징으로 하는 전기전자시스템
36 36
제34 항에 있어서,상기 보호회로는 상기 전원전압원에 병렬연결된 전원전압 보강용 커패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기전자시스템
37 37
제33 항에 있어서,상기 전기전자시스템은 상기 부하 전기전자시스템으로 신호라인을 통해 신호를 입출력하는 신호원을 더 포함하고,상기 잡음은 상기 신호라인을 통해 상기 부하 전기전자시스템으로 인가되며,상기 보호회로의 상기 급격한 MIT 소자는 상기 신호라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 전기전자시스템
38 38
제37 항에 있어서, 상기 보호회로의 상기 급격한 MIT 소자는 상기 급격한 MIT 소자를 보호하는 보호저항을 통해 상기 신호라인과 연결되는 것을 특징으로 하는 전기전자시스템
39 39
제33 항에 있어서,상기 전기전자시스템은 전원라인을 통해 전원전압을 인가하는 전원전압원 및 신호라인을 통해 신호를 입출력하는 신호원을 포함하고,상기 잡음은 상기 전원라인 및 신호라인을 통해 상기 부하 전기전자시스템에 인가되며,상기 보호회로의 상기 급격한 MIT 소자는 상기 전원라인 및 신호라인 각각에 연결되는 것을 특징으로 하는 전기전자시스템
40 40
제39 항에 있어서,상기 보호회로의 상기 급격한 MIT 소자는 상기 급격한 MIT 소자를 보호하는 보호저항을 통해 상기 전원라인 및 신호라인 각각과 연결되는 것을 특징으로 하는 전기전자시스템
41 41
제39 항에 있어서,상기 보호회로는 상기 전원전압원에 병렬연결된 전원전압 보강용 커패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기전자시스템
42 42
제33 항에 있어서,상기 급격한 MIT 소자는 상기 잡음의 전압준위에 대응하여 그 전기적 특성이 급격하게 변하는 것을 특징으로 하는 전기전자시스템
43 43
제33 항에 있어서, 상기 급격한 MIT 소자는, 소정의 한계전압 이하에서는 절연체의 성질을 나타내고, 상기 한계전압 이상에서는 금속의 성질을 나타내는 것을 특징으로 하는 전기전자시스템
44 44
제43 항에 있어서,상기 부하 전기전자시스템은 한계 전압 이상의 잡음으로부터 보호되는 것을 특징으로 하는 전기전자시스템
45 45
제33 항에 있어서,상기 전기전자시스템 보호회로는 상기 급격한 MIT 소자에 병렬 연결되는 적어도 하나의 급격한 MIT 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기전자시스템
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