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기판상에 순차적으로 적층되는 n형 전극층, 활성층, 및 p형 전극층을 포함하는 질화물반도체 발광소자에 있어서,상기 p형 전극층 및 상기 활성층을 통과하는 홀을 구비하는 질화물반도체 발광소자
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제 1 항에 있어서,상기 홀은 상기 n형 전극층까지 연장되는 것을 특징으로 하는 질화물반도체 발광소자
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제 1 항에 있어서,상기 홀의 벽면이 기판면과 이루는 경사각(θ)은 0<θ< 90°인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제 1 항에 있어서,상기 홀은 적어도 하나 이상 구비되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제 1 항에 있어서,상기 홀은 동일한 간격으로 일정하게 배열되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제 1 항에 있어서, 상기 홀들이 발광영역에서 차지하는 총면적은 전체 발광영역면적의 30 ~ 70% 인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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7
제 1 항에 있어서,상기 홀의 저면에는 발광된 빛을 반사시키는 반사층이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제 7 항에 있어서,상기 반사층은 상기 활성층의 높이보다 낮게 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제 7 항에 있어서,상기 반사층은 금속, 타이타늄 산화물, 및 규소산화물로 구성되는 군에서 선택되는 적어도 하나의 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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10
기판상에 n형 전극층, 활성층, 및 p형 전극층을 순차적으로 적층하는 공정을 포함하는 제 1 단계,상기 n형 전극층에 n형 금속접촉층을 접촉시키기 위한 노출영역을 형성하는 제 2 단계,상기 p형 전극층 및 상기 활성층을 관통하고, 상기 n형 전극층의 일정깊이까지 연장되는 홀을 형성하는 제 3 단계,상기 홀의 저면에 반사층을 형성하는 제 4 단계,상기 노출영역에 n형 금속 접촉층을 형성하는 제 5 단계,상기 p형 전극층 상에 투명금속층을 형성하는 제 6 단계, 및상기 투명금속층 상에 p형 금속 접촉층을 형성하는 제 7 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 홀은 건식식각법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 반사층은 스퍼터링법 또는 E-beam 증착법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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