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평판 표시장치 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015081146
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 굴절률이 다른 두개의 산화막으로 구성된 절연막을 갖는 평판표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 평판표시장치는 기판 상에 형성되는 복수의 절연막; 상기 복수의 절연막 중 하나를 사이에 두고 적층되는 반도체층, 게이트 전극, 및 소스/드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터; 상기 소스/드레인 전극 상에 형성되는 평탄화막; 제1 전극, 발광층 및 제2 전극을 구비하며 상기 평탄화막 상에 형성되는 발광소자를 포함하며, 상기 복수의 절연막 중 적어도 하나는 굴절률이 다른 두 개이상의 산화막으로 이루어진다. 이에, 굴절률이 다른 산화막으로 구성된 절연막에 의해, 외부에서 유입되는 빛 반사를 방지하여 콘트라스트가 저하되는 것을 방지할 수 있다. 산화막, 절연막, 굴절률
Int. CL H05B 33/22 (2006.01) H05B 33/10 (2006.01)
CPC H01L 51/5281(2013.01) H01L 51/5281(2013.01) H01L 51/5281(2013.01) H01L 51/5281(2013.01)
출원번호/일자 1020050119011 (2005.12.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0704377-0000 (2007.03.30)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070409) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.07)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임정욱 대한민국 대전 유성구
2 윤선진 대한민국 대전 유성구
3 구재본 대한민국 대전 유성구
4 이진호 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2005-0715627-52
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.10.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.11.16 수리 (Accepted) 9-1-2006-0076469-66
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0712065-69
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.01.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0086218-84
6 의견서
Written Opinion		 2007.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0086137-84
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0170297-10
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성되는 복수의 절연막;상기 복수의 절연막 중 하나를 사이에 두고 적층되는 반도체층, 게이트 전극, 및 소스/드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터;상기 소스/드레인 전극 상에 형성되는 평탄화막;제1 전극, 발광층 및 제2 전극을 구비하며 상기 평탄화막 상에 형성되는 발광소자를 포함하며, 상기 복수의 절연막 중 적어도 하나는 플라즈마 원자증착법으로 적어도 하나는 굴절률이 다른 두 개 이상의 산화막으로 이루어지며, 상기 플라즈마 원자 증착법의 증착 사이클 수로 상기 산화막의 함량을 조절하는 평판표시장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 산화막은 실리콘산화막(SiO2), 티타늄 산화막(TiO2), 알루미늄 산화막(Al2O3), 지르코늄 산화막(ZrO2) 탄탈륨 산화막(Ta2O5)에서 선택되는 평판표시장치
3 3
삭제
4 4
기판 상에 반도체층, 게이트 전극 및 소스/드레인 전극을 형성하는 단계;상기 기판, 상기 반도체층, 상기 게이트 전극, 및 상기 소스/드레인 전극 상에 각각 절연막을 형성하되, 상기 절연막 중 적어도 하나를 플라즈마 원자 증착법을 사용하여 서로 다른 굴절률을 갖는 두 개 이상의 산화막을 형성하며, 상기 산화막의 함량은 상기 플라즈마 원자증착법의 증착 사이클 수로 조절하는 단계;상기 소스/드레인 전극 상에 형성된 절연막 상에 제1 전극, 발광층 및 제2 전극을 포함하는 발광소자를 형성하는 단계를 포함하는 평판표시장치의 제조방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제4항에 있어서, 상기 절연막을 형성할 때, 실리콘산화막(SiO2), 티타늄 산화막(TiO2), 알루미늄 산화막(Al2O3), 지르코늄 산화막(ZrO2) 탄탈륨 산화막(Ta2O5)에서 선택하여 형성하는 평판표시장치의 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 절연막을 구성하는 산화막들의 함량을 조절하여 굴절률을 다르게 형성할 수 있는 평판표시장치의 제조방법
9 9
제8항에 있어서,상기 절연막은 단일층 또는 다중층으로 증착하는 평판표시장치의 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 절연막은 보호막 역할과 반사방지막 역할을 수행할 수 있는 평판 표시장치의 제조방법
11 11
제9항에 있어서,상기 절연막은 게이트 절연막 역할과 반사방지막 역할을 수행할 수 있는 평판표시장치의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.