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플라즈마 원자층 증착법으로 알루미늄 전구체를 포함하는 반응기체를 이용하여 박막을 형성하는 제 1 단계, 및 플라즈마 원자층 증착법으로 타이타늄 전구체를 포함하는 반응기체를 이용하여 박막을 형성하는 제 2 단계를 포함하는 알루미늄-타이타늄 절연막 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 단계 및 상기 제 2 단계 중 적어도 하나의 단계를 한 번 이상 반복 수행하는 단계를 더 포함하는 알루미늄-타이타늄 절연막 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 원자층 증착법은 250℃의 온도 이하의 저온에서 이루어지는 알루미늄-타이타늄 절연막 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 단계 및 상기 제 2 단계의 실시 회수에 따라 절연막에 포함되는 알루미늄 및 타이타늄의 중량비를 제어하는 알루미늄-타이타늄 절연막 형성방법
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제 4 항에 있어서,상기 타이타늄의 중량이 전체중량(알루미늄+타이타늄)에 대해서 10% 내지 75%가 되도록 제어하는 알루미늄-타이타늄 절연막 형성방법
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제 5 항에 있어서,상기 알루미늄-타이타늄 절연막의 유전상수를 8 내지 60으로 제어하는 알루미늄-타이타늄 절연막 형성방법
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7
제 5 항에 있어서,상기 알루미늄-타이타늄 절연막의 굴절율을 1
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 단계는, 산소 플라즈마를 인가하여 알루미늄 전구체를 포함하는 반응기체를 박막으로 증착시키는 증착공정,상기 증착공정 후 상기 반응기체를 퍼지하는 제 1 퍼지공정,상기 퍼지공정 후 산소 플라즈마를 단독으로 처리하는 제 1 산소플라즈마공정, 및 상기 제 1 산소플라즈마공정 후 산소를 퍼지하는 제 2 퍼지공정을 포함하는 알루미늄-타이타늄 절연막 형성방법
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제 8 항에 있어서,상기 알루미늄 전구체는 트리메틸 알루미늄(Trimethyl Aluminum(TMA))인 알루미늄-타이타늄 절연막 형성방법
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10
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 단계는,산소 플라즈마를 인가하여 타이타늄 전구체를 포함하는 반응기체를 박막으로 증착시키는 증착공정,상기 증차공정 후 상기 반응기체를 퍼지하는 제 3 퍼지공정,상기 퍼지공정 후 산소 플라즈마을 단독으로 처리하는 제 2 산소 플라즈마공정, 및상기 제 2 산소 플라즈마 공정 후 산소를 퍼지하는 제 4 퍼지공정을 포함하는 알루미늄-타이타늄 절연막 형성방법
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제 10 항에 있어서,상기 타이타늄 전구체는 Ti(OC2H5)4, Ti(OCH(CH3)2)4(TTIP) 및 테트라디메틸 아미노 타이타늄(TDMATi)로 구성되는 군에서 선택되는 알루미늄-타이타늄 절연막 형성방법
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