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기판의 제1 표면 위에 부양 대상의 제1 도전층을 형성하는 단계와, 상기 제1 도전층 위에 복수의 스토퍼(stopper)를 형성하는 단계와, 상기 제1 도전층의 소정 영역에 식각홀을 형성하는 단계와, 상기 제1 도전층 및 상기 스토퍼 위에 고농도 불순물 박막을 포함하는 희생막을 형성하는 단계와, 상기 희생막 위에 제2 도전층을 형성하는 단계와, 상기 제1 도전층의 식각홀을 통해 상기 고농도 불순물 박막을 포함하는 희생막을 습식 식각 방법으로 제거하여 상기 제1 도전층 위에 공동 (cavity)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세기전집적시스템용 부양 구조물 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 도전층은 도핑된 폴리실리콘, 금속 또는 비금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세기전집적시스템용 부양 구조물 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 희생막은 제1 산화막과, 상기 제1 산화막 위에 형성된 제2 산화막과, 이들 사이에 개재된 상기 고농도 불순물 박막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세기전집적시스템용 부양 구조물 제조 방법
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제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 고농도 불순물 박막은 P2O5 박막 또는 B2O3 박막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세기전집적시스템용 부양 구조물 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 희생막을 습식 식각 방법으로 제거하기 위하여 탈이온수 (deionized water)로 HF 용액을 희석시킨 10:1 HF 용액을 식각액으로 사용하는 것을 특징으로 하는 미세기전집적시스템용 부양 구조물 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 스토퍼는 상기 제1 도전층 위에 형성된 질화막과, 상기 질화막 위에 형성된 폴리실리콘막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세기전집적시스템용 부양 구조물 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 도전층은 도핑된 폴리실리콘막을 포함하는 것을 특징으로 하는 미세기전집적시스템용 부양 구조물 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 도전층은 도핑된 폴리실리콘막과, 상기 도핑된 폴리실리콘막에 각각 접해 있는 하부 전극 및 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 미세기전집적시스템용 부양 구조물 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판의 제1 표면 위에 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 도전층은 상기 절연막 위에 형성되고, 상기 공동을 형성하는 단계는 상기 기판의 제1 표면의 반대측인 제2 표면으로부터 상기 기판이 소정 영역을 식각하여 상기 기판에 상기 절연막을 노출시키는 트렌치를 형성하는 단계와
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제1항에 있어서, 상기 식각홀은 상기 제1 도전층에서 상기 희생막이 제거될 영역 내에 복수개 형성되는 것을 특징으로 하는 미세기전집적시스템용 부양 구조물 제조 방법
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기판의 제1 표면 위에 부양 대상의 제1 도전층을 형성하는 단계와, 상기 제1 도전층 위에 복수의 스토퍼를 형성하는 단계와, 상기 제1 도전층 및 상기 스토퍼 위에 고농도 불순물 박막을 포함하는 희생막을 형성하는 단계와, 상기 희생막 위에 제2 도전층을 형성하는 단계와, 상기 제2 도전층의 소정 영역에 식각홀을 형성하는 단계와, 상기 제2 도전층의 식각홀을 통해 상기 고농도 불순물 박막을 포함하는 희생막을 습식 식각 방법으로 제거하여 상기 제1 도전층 위에 공동을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세기전집적시스템용 부양 구조물 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 식각홀은 상기 제2 도전층에서 상기 희생막이 제거될 영역의 양 측에 형성되는 것을 특징으로 하는 미세기전집적시스템용 부양 구조물 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 식각홀은 상기 제2 도전층에서 상기 희생막이 제거될 영역의 일측에만 형성되는 것을 특징으로 하는 미세기전집적시스템용 부양 구조물 제조 방법
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